非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
权利要求列表点击可跳转
对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种静态随机存取存储器SRAM单元，包括： 第一导电层，所述第一导电层包括与所述SRAM单元中的传输晶体管和毗邻于所述传输晶体管的相邻晶体管两者都交叠的字线着陆焊盘，所述字线着陆焊盘从存储器单元延伸到存储器阵列的毗邻行中的相邻存储器单元中，所述第一导电层中的所述字线着陆焊盘与所述相邻存储器单元的所有栅极触点电隔离； 第二导电层，所述第二导电层包括耦合至所述第一导电层中的所述字线着陆焊盘的字线； 将所述SRAM单元中的所述传输晶体管的栅极触点耦合至所述第一导电层中的所述字线着陆焊盘的第一通孔；以及耦合所述字线着陆焊盘和所述第二导电层的字线的第二通孔。
权利要求2
如权利要求1所述的SRAM单元，其特征在于，在所述相邻存储器单元中省略与第一通孔位置相对应的位置中的通孔。
权利要求3
如权利要求1所述的SRAM单元，其特征在于，所述SRAM单元包括六晶体管存储器单元。
权利要求4
如权利要求1所述的SRAM单元，其特征在于，所述SRAM单元被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元以及计算机中的至少一者中。
权利要求5
一种制造半导体器件的方法，包括： 在基板上制造传输晶体管和毗邻于所述传输晶体管的相邻晶体管，所述传输晶体管和所述相邻晶体管两者都包含栅极触点； 在传输晶体管栅极上的所述栅极触点上制造第一通孔； 在所述第一通孔上形成第一导电层，所述第一导电层包括通过将从存储器单元延伸来的字线着陆焊盘放置在存储器阵列的毗邻行中的相邻存储器单元中而与所述传输晶体管和所述相邻晶体管两者都交叠的所述字线着陆焊盘； 在所述第一导电层上制造第二通孔；以及 制造所述第二通孔上的第一字线以及与所述相邻晶体管对准的第二字线。
权利要求6
如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述基板上制造所述传输晶体管和所述相邻晶体管包括：在所述基板中形成至少两个材料阱； 在所述至少两个材料阱上制造绝缘层；以及 在所述绝缘层上制造导电栅极。
权利要求7
如权利要求5所述的方法，其特征在于，层间电介质材料层将所述相邻晶体管栅极上的所述栅极触点与所述第一导电层分开。
权利要求8
如权利要求5所述的方法，其特征在于，层间电介质材料层将所述第一导电层与所述第二字线分开。
权利要求9
如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一字线和所述第二字线是从第二导电层制造的。
权利要求10
如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述半导体器件纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。
权利要求11
一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：第一导电层，所述第一导电层包括与所述SRAM单元中的传输晶体管和毗邻于所述传输晶体管的相邻晶体管两者都交叠的字线着陆焊盘，所述字线着陆焊盘从存储器单元延伸到存储器阵列的毗邻行中的相邻存储器单元中，所述第一导电层中的所述字线着陆焊盘与所述相邻存储器单元的所有栅极触点电隔离； 第二导电层，所述第二导电层包括耦合至所述第一导电层中的所述字线着陆焊盘的字线； 用于将所述SRAM单元中的所述传输晶体管的栅极触点耦合至所述第一导电层中的所述字线着陆焊盘的第一装置；以及用于耦合所述字线着陆焊盘和所述第二导电层的字线的第二装置。
权利要求12
如权利要求11所述的SRAM单元，其特征在于，在所述相邻存储器单元中省略与所述第一装置的位置相对应的位置中的通孔。
权利要求13
如权利要求11所述的SRAM单元，其特征在于，所述SRAM单元包括六晶体管存储器单元。
权利要求14
如权利要求11所述的SRAM单元，其特征在于，所述SRAM单元被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元以及计算机中的至少一者中。