非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
对比文件列表
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权利要求1
一种半导体发光器件，包括半导体结构；其包括设置在n型区与p型区之间的发光层；译p电极；其设置在p型区的一部分上；p电极包括反射性第一材料；其与p型区的第一部分直接接触；以及第二材料；其与毗连于第一部分的p型区的第二部分直接接触；译其中，第一材料和第二材料是具有相同的厚度的平面层；并且其中：p型区和发光层的一部分被蚀刻掉以露出n型区的一部分；译p型区的其余部分形成台面；以及第二材料被设置在第一材料与台面的边缘之间。译2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，第一材料包括银。译3.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，第二材料包括铝。译4.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，第二材料包括铝合金、铝金属叠层、AlTi、Al2O3/Al双层和SiO2/Al双层中的一个。译5.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述p电极还包括设置在第一和第二材料上的第三材料；其中所述第三材料配置为防止所述第一材料的迁移。译6.如权利要求5所述的半导体发光器件，其中，第三材料包括钛和钨。译