非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
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权利要求1
一种制作发光二极管结构的方法，该方法包含通过在生长衬底上外延生长N型层；在该N型层上外延生长有源层；在该有源层上外延生长P型层；形成发光二极管层；在单独的发光二极管之间形成隔离区；将所述发光二极管安装在底座晶片上；所述发光二极管通过所述隔离区机械耦合在一起；通过金属图案互连单独的发光二极管的组以至少形成串联的多个发光二极管；同时所述发光二极管通过所述隔离区机械耦合在一起；移除该生长衬底；电学隔离所述发光二极管层的区域以产生基本上电学隔离的发光二极管；电学隔离的区域为外延生长在该生长衬底上且位于该生长衬底和该有源层之间的层的至少一部分；以及分离该底座晶片以形成互连的发光二极管的模块；每个模块包含曾为该底座晶片的一部分的底座。
权利要求2
权利要求1的方法，其中所述电学隔离的区域是半绝缘的。
权利要求3
权利要求1的方法，其中所述电学隔离的区域通过离子注入形成。
权利要求4
权利要求1的方法，其中在单独的发光二极管之间形成隔离区包含形成穿过该P型层和有源层且仅仅部分穿过该N型层的槽以产生单独的发光二极管；使得该N型层的一部分继续将单独的发光二极管机械耦合在一起；以及其中电学隔离所述发光二极管层的区域以产生基本上电学隔离的发光二极管包含将离子注入该N型层的表面从而在单独的发光二极管之间形成电学隔离的区域。
权利要求5
权利要求1的方法，其中单独的发光二极管为倒装芯片。