非显而易见杯

专利无效挑战赛

目标专利:1478具有在晶片水平形成的模制化合物中的金属柱的芯片级发光器件

专利公开号:CN104350619B

专利权人:皇家飞利浦电子股份有限公司

无效请求书提交日期:2026年


上一项目 下一项目

非显而易见性评估仅供参考,不构成法律建议。



权利要求列表点击可跳转

序号 权利要求内容

1

一种制造发光器件的方法,所述方法包括:在衬底上形成发光结构;发光结构包括设置在N-区和P-区之间的有源区;形成到N-区的接触件和到P-区的接触件;形成耦合至到N-区的接触件的第一金属段和耦合至到P-区的接触件的第二金属段;形成多个金属柱;所述多个金属柱包括:耦合至第一金属段的至少一个第一金属柱;以及耦合至第二金属段的至少一个第二金属柱;以及不电气连接到发光结构的至少一个第三金属柱;形成占据所述多个金属柱之间的空间的填充物材料;以及形成多个金属垫;包括耦合至第一金属柱的第一金属垫和耦合至第二金属柱的第二金属垫;第一和第二金属垫被安置成经由第一和第二金属柱提供到N-区和P-区的外部连接

2

权利要求1的方法,其中发光结构是形成在衬底上的多个发光结构之一

3

权利要求2的方法,其中所述多个发光结构通过芯片间隔从彼此分离;并且所述方法还包括通过切穿芯片间隔形成各个发光器件

4

权利要求3的方法,还包括将发光结构从衬底拆离

5

权利要求2的方法,还包括将发光结构从衬底拆离

6

权利要求1的方法,其中填充物材料具有与P-区的热膨胀系数没有明显不同的热膨胀系数

7

权利要求1的方法,其中所述至少一个第一金属柱包括耦合在第一金属垫和第一金属段之间的多个第一金属柱;并且所述至少一个第二金属柱包括耦合在第二金属垫和第二金属段之间的多个第二金属柱


对比文件列表

编号 名称

权利要求1

一种制造发光器件的方法,所述方法包括:在衬底上形成发光结构;发光结构包括设置在N-区和P-区之间的有源区;形成到N-区的接触件和到P-区的接触件;形成耦合至到N-区的接触件的第一金属段和耦合至到P-区的接触件的第二金属段;形成多个金属柱;所述多个金属柱包括:耦合至第一金属段的至少一个第一金属柱;以及耦合至第二金属段的至少一个第二金属柱;以及不电气连接到发光结构的至少一个第三金属柱;形成占据所述多个金属柱之间的空间的填充物材料;以及形成多个金属垫;包括耦合至第一金属柱的第一金属垫和耦合至第二金属柱的第二金属垫;第一和第二金属垫被安置成经由第一和第二金属柱提供到N-区和P-区的外部连接


权利要求2

权利要求1的方法,其中发光结构是形成在衬底上的多个发光结构之一


权利要求3

权利要求2的方法,其中所述多个发光结构通过芯片间隔从彼此分离;并且所述方法还包括通过切穿芯片间隔形成各个发光器件


权利要求4

权利要求3的方法,还包括将发光结构从衬底拆离


权利要求5

权利要求2的方法,还包括将发光结构从衬底拆离


权利要求6

权利要求1的方法,其中填充物材料具有与P-区的热膨胀系数没有明显不同的热膨胀系数


权利要求7

权利要求1的方法,其中所述至少一个第一金属柱包括耦合在第一金属垫和第一金属段之间的多个第一金属柱;并且所述至少一个第二金属柱包括耦合在第二金属垫和第二金属段之间的多个第二金属柱


Powered by Django

网站备案号:渝ICP备2023012882号


重庆市非显而易见网络科技有限责任公司 A Anti NPE NPE