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专利无效挑战赛

目标专利:1669发光器件和包括发光器件的发光器件封装

专利公开号:CN105098041B

专利权人:LG

无效请求书提交日期:2026年


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非显而易见性评估仅供参考,不构成法律建议。



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序号 权利要求内容

1

一种发光器件,包括:衬底;多个发光单元,沿第一方向布置在所述衬底上;至少一个连接电极,用于连接所述发光单元;以及第一绝缘层,布置在由所述连接电极连接的相邻发光单元与所述至少一个连接电极之间;其中每个所述发光单元包括:发光结构,包括从衬底起依次堆叠的第一导电型半导体层(122)、有源层(124)和第二导电型半导体层(126);以及反射层(132,134),布置在所述第二导电型半导体层上;其中所述至少一个连接电极将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层;其中,在所述相邻发光单元中的每一个发光单元中,在所述第一方向上所述第二导电型半导体层(126)的第一宽度(W1)等于或大于在所述第一方向上所述反射层(132)的第三宽度(W3);并且所述第一方向不同于所述发光结构的厚度方向;以及其中所述多个发光单元中的每一个包括布置在所述第一方向上的每一个发光单元宽度的中心的至少一个电极孔以暴露出所述第一导电类型半导体层的一部分;使得所述连接电极穿过所述电极孔以将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层。

2

根据权利要求1所述的发光器件,其中每个所述发光单元还包括布置在所述反射层与所述第二导电型半导体层之间的导电层(142,144);所述导电层具有透光性。

3

根据权利要求2所述的发光器件,其中在所述第一方向上所述第二导电型半导体层(126)的所述第一宽度(W1)、在所述第一方向上所述反射层(132)的所述第三宽度(W3)、以及在所述第一方向上所述导电层(142)的的第二宽度(W2)满足以下关系之一;所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度是相同的;在所述第一方向上所述导电层的所述第一宽度、所述第二宽度或所述第三宽度至少之一相互不同;所述第二宽度等于或大于所述第三宽度;所述第一宽度与所述第二宽度相同;所述第一宽度大于所述第二宽度;所述第一宽度(W1)等于或大于所述第二宽度(W2),且所述第二宽度(W2)等于或大于所述第三宽度(W3);所述第一宽度(W1)大于所述第二宽度(W2),且所述第二宽度(W2)等于或大于所述第三宽度(W3)。

4

根据权利要求1所述的发光器件,其中所述反射层欧姆接触所述第二导电型半导体层;所述第一宽度(W1)等于或大于所述第三宽度(W3)。

5

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述反射层具有多层结构;该多层结构包括:反射光的第一层;用作阻挡层的第二层;以及用作钝化粘附增强层的第三层。

6

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述反射层具有70%或更大的反射率。

7

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述反射层包括Ni、Pd、Ru、Mg、Zn、Hf、Ag、Al、Au、Pt、Cu或Rh至少之一。

8

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述反射层具有0.5nm至4μm的厚度;其中所述导电层具有0.5nm至4μm的厚度。

9

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,还包括:第一电极单元,连接到一个所述发光单元的所述第一导电型半导体层;以及第二电极单元,连接到另一个所述发光单元的所述反射层。

10

根据权利要求9所述的发光器件,还包括布置在所述连接电极上和所述第一绝缘层上的第二绝缘层(190);其中所述第一和第二电极单元穿透所述第一和第二绝缘层并分别连接到所述第一导电型半导体层和所述反射层。

11

根据权利要求10所述的发光器件,其中所述第二绝缘层具有1nm至80nm的最小厚度。

12

根据权利要求10所述的发光器件,其中至少一个所述第一或第二绝缘层包括分布式布拉格反射器。

13

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述连接电极包括反射材料。

14

根据权利要求8所述的发光器件,其中相邻连接电极之间在所述第一方向的最短水平距离为5μm或更大。

15

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中第一和第二连接电极(150-1, 150-2)使用比第一绝缘层的反射率高的反射率的材料形成。

16

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述至少一个电极孔布置在与所述多个发光单元中的每一个的第一方向和第三方向垂直的第二方向上的宽度的中心。

17

根据权利要求16所述的发光器件,其中电极孔之间的第一最小距离(d11)的一半对应于发光单元的每个边缘(ES,ET)与每个对应的电极孔之间的第二最小距离(d12,d13);所述第一最小距离和第二最小距离沿着每个发光单元的第二方向。

18

根据权利要求17所述的发光器件,其中所述发光单元的平面形状是矩形、正方形、六边形、或等边三角形。

19

根据权利要求10所述的发光器件,还包括:热辐射部(176),布置在第二绝缘层(190)上第一电极单元和第二电极单元之间。

20

根据权利要求19所述的发光器件,其中所述热辐射部(176)由与所述第一电极单元和所述第二电极单元相同的金属材料形成。


对比文件列表

编号 名称

权利要求1

一种发光器件,包括:衬底;多个发光单元,沿第一方向布置在所述衬底上;至少一个连接电极,用于连接所述发光单元;以及第一绝缘层,布置在由所述连接电极连接的相邻发光单元与所述至少一个连接电极之间;其中每个所述发光单元包括:发光结构,包括从衬底起依次堆叠的第一导电型半导体层(122)、有源层(124)和第二导电型半导体层(126);以及反射层(132,134),布置在所述第二导电型半导体层上;其中所述至少一个连接电极将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层;其中,在所述相邻发光单元中的每一个发光单元中,在所述第一方向上所述第二导电型半导体层(126)的第一宽度(W1)等于或大于在所述第一方向上所述反射层(132)的第三宽度(W3);并且所述第一方向不同于所述发光结构的厚度方向;以及其中所述多个发光单元中的每一个包括布置在所述第一方向上的每一个发光单元宽度的中心的至少一个电极孔以暴露出所述第一导电类型半导体层的一部分;使得所述连接电极穿过所述电极孔以将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层。


权利要求2

根据权利要求1所述的发光器件,其中每个所述发光单元还包括布置在所述反射层与所述第二导电型半导体层之间的导电层(142,144);所述导电层具有透光性。


权利要求3

根据权利要求2所述的发光器件,其中在所述第一方向上所述第二导电型半导体层(126)的所述第一宽度(W1)、在所述第一方向上所述反射层(132)的所述第三宽度(W3)、以及在所述第一方向上所述导电层(142)的的第二宽度(W2)满足以下关系之一;所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度是相同的;在所述第一方向上所述导电层的所述第一宽度、所述第二宽度或所述第三宽度至少之一相互不同;所述第二宽度等于或大于所述第三宽度;所述第一宽度与所述第二宽度相同;所述第一宽度大于所述第二宽度;所述第一宽度(W1)等于或大于所述第二宽度(W2),且所述第二宽度(W2)等于或大于所述第三宽度(W3);所述第一宽度(W1)大于所述第二宽度(W2),且所述第二宽度(W2)等于或大于所述第三宽度(W3)。


权利要求4

根据权利要求1所述的发光器件,其中所述反射层欧姆接触所述第二导电型半导体层;所述第一宽度(W1)等于或大于所述第三宽度(W3)。


权利要求5

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述反射层具有多层结构;该多层结构包括:反射光的第一层;用作阻挡层的第二层;以及用作钝化粘附增强层的第三层。


权利要求6

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述反射层具有70%或更大的反射率。


权利要求7

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述反射层包括Ni、Pd、Ru、Mg、Zn、Hf、Ag、Al、Au、Pt、Cu或Rh至少之一。


权利要求8

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述反射层具有0.5nm至4μm的厚度;其中所述导电层具有0.5nm至4μm的厚度。


权利要求9

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,还包括:第一电极单元,连接到一个所述发光单元的所述第一导电型半导体层;以及第二电极单元,连接到另一个所述发光单元的所述反射层。


权利要求10

根据权利要求9所述的发光器件,还包括布置在所述连接电极上和所述第一绝缘层上的第二绝缘层(190);其中所述第一和第二电极单元穿透所述第一和第二绝缘层并分别连接到所述第一导电型半导体层和所述反射层。


权利要求11

根据权利要求10所述的发光器件,其中所述第二绝缘层具有1nm至80nm的最小厚度。


权利要求12

根据权利要求10所述的发光器件,其中至少一个所述第一或第二绝缘层包括分布式布拉格反射器。


权利要求13

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述连接电极包括反射材料。


权利要求14

根据权利要求8所述的发光器件,其中相邻连接电极之间在所述第一方向的最短水平距离为5μm或更大。


权利要求15

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中第一和第二连接电极(150-1, 150-2)使用比第一绝缘层的反射率高的反射率的材料形成。


权利要求16

根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件,其中所述至少一个电极孔布置在与所述多个发光单元中的每一个的第一方向和第三方向垂直的第二方向上的宽度的中心。


权利要求17

根据权利要求16所述的发光器件,其中电极孔之间的第一最小距离(d11)的一半对应于发光单元的每个边缘(ES,ET)与每个对应的电极孔之间的第二最小距离(d12,d13);所述第一最小距离和第二最小距离沿着每个发光单元的第二方向。


权利要求18

根据权利要求17所述的发光器件,其中所述发光单元的平面形状是矩形、正方形、六边形、或等边三角形。


权利要求19

根据权利要求10所述的发光器件,还包括:热辐射部(176),布置在第二绝缘层(190)上第一电极单元和第二电极单元之间。


权利要求20

根据权利要求19所述的发光器件,其中所述热辐射部(176)由与所述第一电极单元和所述第二电极单元相同的金属材料形成。


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