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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 2009-06-25_US2009161422A_发明申请_US20090161422A1 Magnetic Tunnel Junction Device with Separate Read and Write Paths_+++A_B_C_M_n_o+++.docx |
| 0 | JP2009081216A_Description_20260318_1914_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_M+++.docx |
| 0 | JP2008252008A_Description_20260318_1914_+++B_C_D_F_H_I_M_N_a_j_k_l_o+++.docx |
| 0 | JP2004005807A_Description_20260318_1914.docx |
| 0 | JP2002158381A_Description_20260318_1914_+++B_D_F_H_I_M_a_c_k_n_o+++.docx |
| 0 | DE102005008353A1_Description_20260318_1914_+++A_B_C_D_F_M_N_O+++.docx |
| 0 | 2010-04-08_JP2010080733A_发明专利_JP2010080733A Magnetoresistive element, and magnetic memory_+++A_B_C_G_M_N_O_d_h+++.docx |
| 0 | 2010-04-01_WO2010037048A_发明申请_WO2010037048A1 STRAM WITH ELECTRONICALLY REFLECTIVE INSULATIVE SPACER_+++A_B_C_D_H_M+++.docx |
| 0 | 2009-10-01_US2009247814A_发明申请_US20090247814A1 BONE CONDUCTION HEARING DEVICE HAVING ACOUSTIC FEEDBACK REDUCTION SYSTEM.docx |
| 0 | 2009-07-23_JP2009164182A_发明专利_JP2009164182A Magneto-resistive effect element, magnetic head, and magnetic recording_reading device_+++B_C_H_M_d_f_g_i_l_n+++.docx |
| 0 | 2009-07-02_US2009168493A_发明申请_US20090168493A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH STACKED MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE STACKED MEMORY CELL_+++M_N_a_b_o+++.docx |
| 0 | 2005-08-25_US2005185454A_发明申请_US20050185454A1 Magnetic tunnel junctions for MRAM devices_+++A_B_C_F_H_M_N_O_d_e_g_i_j_k_l+++.docx |
| 0 | 2009-01-08_JP2009004784A_发明专利_JP2009004784A Exchange-coupling film, magnetoresistance effect element using the same and method of manufacturing magnetoresistance effect element_+++B_C_D_H_M_e_f_g_i+++.docx |
| 0 | 2008-12-31_EP2009590A_发明公开_EP2009590A1 DRIVE ASSISTANCE DEVICE.docx |
| 0 | 2008-12-25_US2008316657A_发明申请_US20080316657A1 TMR or CPP structure with improved exchange properties_+++B_C_D_H_M_i+++.docx |
| 0 | 2008-10-02_US2008239591A_发明申请_US20080239591A1 Magneto-resistance effect element, and method for manufacturing the same_+++A_B_C_D_H_L_M_f_i+++.docx |
| 0 | 2008-10-01_CN101276878A_发明公开_CN101276878A 磁阻效应元件及其制造方法_+++B_C_D_H_L_M_a_i_k_n_o+++.docx |
| 0 | 2008-05-15_JP2008110182A_发明专利_JP2008110182A Strainer.docx |
| 0 | 2008-04-17_JP2008091551A_发明专利_JP2008091551A Magnetoresistance effect element, magnetic storage device, and magnetic memory device_+++B_C_M+++.docx |
| 0 | 2006-11-24_JP2006319259A_发明专利_JP2006319259A Ferromagnetic tunnel junction element, magnetic head using same, magnetic recording device, and magnetic memory device_+++B_C_M_n+++.docx |
| 0 | 2006-03-30_JP2006086476A_发明专利_JP2006086476A Magnetic recording element and magnetic recording apparatus_+++B_a_m+++.docx |
权利要求1
一种磁性隧道结MTJ存储元件，其包括： 钉扎层堆叠，其集成在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM中，所述钉扎层堆叠由多个层形成，所述多个层包括底部钉扎层、耦合层和顶部钉扎层；以及第一功能层，其安置于所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层中，其中所述第一功能层是形成自钽的结晶增强功能层。
权利要求2
根据权利要求1所述的MTJ存储元件，其中所述第一功能层保护所述钉扎层堆叠免于穿过所述多个层的高温材料扩散。
权利要求3
根据权利要求1所述的MTJ存储元件，其中所述结晶增强功能层促进晶体形成。
权利要求4
根据权利要求1所述的MTJ存储元件，其中安置所述第一功能层的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层包括第一层和第二层，所述第一功能层插入于所述第一层与第二层之间。
权利要求5
根据权利要求1所述的MTJ存储元件，其进一步包括第二功能层，所述第二功能层安置于与安置所述第一功能层的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层相对的钉扎层中。
权利要求6
根据权利要求5所述的MTJ存储元件，其中所述第二功能层由不同于所述第一功能层的材料形成。
权利要求7
根据权利要求5所述的MTJ存储元件，其中所述第二功能层由相同于所述第一功能层的材料形成。
权利要求8
根据权利要求1所述的MTJ存储元件，其进一步包括与所述第一功能层安置于同一底部钉扎层或顶部钉扎层中的第二功能层。
权利要求9
根据权利要求1所述的MTJ存储元件，其进一步包括反铁磁层、隧穿势垒层、自由层和/或罩盖层。
权利要求10
根据权利要求1所述的MTJ存储元件，其中所述存储元件集成在选自由以下各项组成的群组的电子装置中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机。
权利要求11
根据权利要求1所述的MTJ存储元件，其中所述STT-MRAM装置集成在至少一个半导体裸片中。
权利要求12
一种形成磁性隧道结MTJ存储元件的方法，所述方法包括： 在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM中沉积且形成包括底部钉扎层、耦合层和顶部钉扎层的多个层以形成钉扎层堆叠；以及沉积且形成安置于所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层中的第一功能层，其中所述第一功能层是形成自钽的结晶增强功能层。
权利要求13
根据权利要求12所述的方法，其中所述第一功能层保护所述钉扎层堆叠免于穿过所述多个层的高温材料扩散。
权利要求14
根据权利要求12所述的方法，其中所述结晶增强功能层促进晶体形成。
权利要求15
根据权利要求12所述的方法，其中安置所述第一功能层的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层包括第一层和第二层，所述第一功能层插入于所述第一层与第二层之间。
权利要求16
根据权利要求12所述的方法，其进一步包括沉积且形成安置于所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层中的第二功能层。
权利要求17
根据权利要求12所述的方法，其进一步包括沉积且形成反铁磁层、隧穿势垒层、自由层和/或罩盖层。
权利要求18
一种磁性隧道结MTJ存储元件，其包括： 钉扎层堆叠，其集成在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM中，所述钉扎层堆叠由多个层形成，所述多个层包括底部钉扎层、耦合层和顶部钉扎层；以及用于保护所述钉扎层堆叠的第一装置，所述第一装置安置于所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层中，其中所述第一装置是形成自钽的结晶增强装置。
权利要求19
根据权利要求18所述的MTJ存储元件，其中所述第一装置保护所述钉扎层堆叠免于穿过所述多个层的高温材料扩散。
权利要求20
根据权利要求18所述的MTJ存储元件，其中所述结晶增强装置促进晶体形成。
权利要求21
根据权利要求18所述的MTJ存储元件，其中安置所述第一装置的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层包括第一层和第二层，所述第一装置插入于所述第一层与第二层之间。
权利要求22
根据权利要求18所述的MTJ存储元件，其进一步包括用于保护所述钉扎层堆叠的第二装置，所述第二装置安置于所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层中。
权利要求23
根据权利要求18所述的MTJ存储元件，其进一步包括反铁磁层、隧穿势垒层、自由层和/或罩盖层。
权利要求24
根据权利要求18所述的MTJ存储元件，其中所述存储元件集成在选自由以下各项组成的群组的电子装置中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机。
权利要求25
根据权利要求18所述的MTJ存储元件，其中所述MTJ存储元件集成在至少一个半导体裸片中。