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专利无效挑战赛

目标专利:3588包括若干条光栅线的衍射光栅结构

专利公开号:CN111788501B

专利权人:交互数字

无效请求书提交日期:2026年

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项目管理员
蒋 晓勇
@jxy

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序号 权利要求内容

1

一种衍射光栅结构，其包括若干光栅线；所述衍射光栅结构与具有折射率n2(λ)≥3的传播层相关联；所述衍射光栅结构由具有折射率等于n2(λ)的材料制成；所述衍射光栅结构的特征在于；其包括T条光栅线每μm；T＝(n2(λ)+1)/2λ；其中λ是根据入射电磁波限定的波长。

2

根据权利要求1所述的衍射光栅结构，其中所述材料是硅；且其中所述传播层包括厚度不大于10μm的硅层。

3

根据权利要求1至2中任一项所述的衍射光栅结构，其中所述入射电磁波的波长为译486nm。

4

根据权利要求1至2中任一项所述的衍射光栅结构，其中所述入射电磁波的波长为译588nm。

5

根据权利要求1至2中任一项所述的衍射光栅结构，其中所述入射电磁波的波长为译656nm。

6

根据权利要求1至2中任一项所述的衍射光栅结构，其中所述传播层和所述衍射光栅结构具有相同的折射率。

7

根据权利要求1至2中任一项所述的衍射光栅结构，其中所述传播层和所述衍射光栅结构具有不同的折射率。

对比文件列表

编号 名称

权利要求1

一种衍射光栅结构，其包括若干光栅线；所述衍射光栅结构与具有折射率n2(λ)≥3的传播层相关联；所述衍射光栅结构由具有折射率等于n2(λ)的材料制成；所述衍射光栅结构的特征在于；其包括T条光栅线每μm；T＝(n2(λ)+1)/2λ；其中λ是根据入射电磁波限定的波长。

技术特征:
A 其包括若干光栅线 (0)
B 所述衍射光栅结构与具有折射率n2(λ)≥3的传播层相关联 (0)
C 所述衍射光栅结构由具有折射率等于n2(λ)的材料制成 (0)
D 所述衍射光栅结构的特征在于 (0)
E 其包括T条光栅线每μm (0)
F T＝(n2(λ)+1)/2λ (0)
G 其中λ是根据入射电磁波限定的波长。 (0)

权利要求2

根据权利要求1所述的衍射光栅结构，其中所述材料是硅；且其中所述传播层包括厚度不大于10μm的硅层。

技术特征:
H 其中所述材料是硅；并且中所述传播层包括厚度不大于10μm的硅层。 (0)

权利要求3

根据权利要求1至2中任一项所述的衍射光栅结构，其中所述入射电磁波的波长为译486nm。

技术特征:
I 其中所述入射电磁波的波长为译486nm。 (0)

权利要求4

根据权利要求1至2中任一项所述的衍射光栅结构，其中所述入射电磁波的波长为译588nm。

技术特征:
J 其中所述入射电磁波的波长为译588nm。 (0)

权利要求5

根据权利要求1至2中任一项所述的衍射光栅结构，其中所述入射电磁波的波长为译656nm。

技术特征:
K 其中所述入射电磁波的波长为译656nm。 (0)

权利要求6

根据权利要求1至2中任一项所述的衍射光栅结构，其中所述传播层和所述衍射光栅结构具有相同的折射率。

技术特征:
L 其中所述传播层和所述衍射光栅结构具有相同的折射率。 (0)

权利要求7

根据权利要求1至2中任一项所述的衍射光栅结构，其中所述传播层和所述衍射光栅结构具有不同的折射率。

技术特征:
M 其中所述传播层和所述衍射光栅结构具有不同的折射率。 (0)

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