非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种电压调节器，包括，传递器件；被耦合在所述电压调节器的输入与所述电压调节器的输出之间；放大电路；具有第一输入；第二输入；和输出；其中所述第一输入被配置为接收参考电压；所述第二输入经由反馈路径被耦合到所述电压调节器的所述输出；并且所述放大电路的所述输出被耦合到所述传递器件的栅极；第一电流源；被耦合在供电轨与所述放大电路之间；其中所述第一电流源包括被耦合在所述供电轨与所述放大电路之间的第一晶体管；所述第一晶体管的漏极直接耦合到所述放大电路；其中电容器被耦合在所述第一晶体管的栅极与所述电压调节器的所述输出之间；以及第二电流源；被耦合在所述供电轨与所述放大电路之间；其中所述第二电流源包括被耦合在所述供电轨与所述放大电路之间的第二晶体管；其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述传递器件的所述栅极；并且所述第二晶体管的漏极直接耦合到所述放大电路。
权利要求2
根据权利要求1所述的电压调节器，其中所述第一晶体管包括p型场效应晶体管PFET；所述PFET具有被耦合到所述供电轨的源极。
权利要求3
根据权利要求1所述的电压调节器，还包括被耦合到所述第一晶体管的所述栅极的电压偏置电路。
权利要求4
根据权利要求1所述的电压调节器，其中所述放大电路包括，放大器；具有被配置为接收所述参考电压的第一输入；经由所述反馈路径被耦合到所述电压调节器的所述输出的第二输入；以及输出；以及缓冲器；具有被耦合到所述放大器的所述输出的输入；和被耦合到所述传递器件的所述栅极的输出。
权利要求5
根据权利要求4所述的电压调节器，其中所述第一电流源还包括，第三晶体管；被耦合在所述供电轨与所述缓冲器之间；其中所述电容器被耦合在所述第三晶体管的栅极与所述电压调节器的所述输出之间。
权利要求6
根据权利要求5所述的电压调节器，其中，所述第一晶体管包括第一p型场效应晶体管PFET；所述第一PFET具有被耦合到所述供电轨的源极；和被耦合到所述放大器的漏极；并且所述第三晶体管包括第二PFET；所述第二PFET具有被耦合到所述供电轨的源极；和被耦合到所述缓冲器的漏极。
权利要求7
根据权利要求5所述的电压调节器，还包括被耦合到所述第一晶体管的所述栅极和所述第三晶体管的所述栅极的电压偏置电路。
权利要求8
根据权利要求5所述的电压调节器，其中所述第二电流源还包括，第四晶体管；被耦合在所述供电轨与所述缓冲器之间；其中所述第四晶体管的栅极被耦合到所述传递器件的所述栅极。
权利要求9
根据权利要求4所述的电压调节器，其中所述放大器包括级联放大器。
权利要求10
根据权利要求4所述的电压调节器，还包括偏置生成电路；其中所述偏置生成电路包括，电阻器；被耦合在第一节点与第二节点之间；其中所述第一节点被耦合到所述放大器的偏置输入；电容器；被耦合在所述第一节点与所述第二节点之间；以及偏置晶体管；具有被耦合到所述第二节点的漏极；被耦合到所述漏极的栅极；和被耦合到接地的源极。
权利要求11
根据权利要求4所述的电压调节器，其中所述缓冲器包括源极跟随器。