非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种存储器，包括：用于第一上部列的第一位线；用于所述第一上部列的第二位线；其中所述第一上部列包括多个第一位单元；每个第一位单元具有被耦合到所述第一位线的第一读取端口；被耦合到所述第二位线的第二读取端口；以及被耦合到所述第一位线和所述第二位线的写入端口；用于第一下部列的第一位线；用于所述第一下部列的第二位线；其中所述第一下部列包括多个第二位单元；每个第二位单元具有被耦合到用于所述第一下部列的所述第一位线的第一读取端口；被耦合到用于所述第一下部列的所述第二位线的第二读取端口；以及被耦合到用于所述第一下部列的所述第一位线和用于所述第一下部列的所述第二位线的写入端口；第一全局读取位线；第二全局读取位线；第一逻辑门；具有被耦合到用于所述第一上部列的所述第一位线的第一输入；被耦合到用于所述第一下部列的所述第一位线的第二输入；以及被耦合到所述第一全局读取位线的输出；以及第二逻辑门；具有耦合到用于所述第一上部列的所述第二位线的第一输入；被耦合到用于所述第一下部列的所述第二位线的第二输入；以及被耦合到所述第二全局读取位线的输出。
权利要求2
根据权利要求1所述的存储器，还包括：用于电源电压的电源节点；被耦合在所述第一逻辑门的功率节点与所述电源节点之间的第一晶体管；其中所述第一晶体管被配置为响应于针对所述第一上部列、所述第一下部列和所述第一全局读取位线的第一地址信号的断言而导通。
权利要求3
根据权利要求2所述的存储器，其中所述第一晶体管是PMOS晶体管。
权利要求4
根据权利要求2所述的存储器，还包括：被耦合在所述第二逻辑门的功率节点与所述电源节点之间的第二晶体管；其中所述第二晶体管被配置为响应于针对所述第一上部列、所述第一下部列和所述第二全局读取位线的第二地址信号的断言而导通。
权利要求5
根据权利要求4所述的存储器，其中所述第二晶体管是PMOS晶体管。
权利要求6
根据权利要求3所述的存储器，其中所述第一上部列被包括在上部存储体中；所述上部存储体还包括：用于第二上部列的第一位线；用于所述第二上部列的第二位线；其中所述第二上部列包括多个第三位单元；每个第三位单元具有被耦合到用于所述第二上部列的所述第一位线的第一读取端口；被耦合到用于所述第二上部列的所述第二位线的第二读取端口；以及被耦合到用于所述第二上部列的所述第一位线和用于所述第二上部列的所述第二位线的写入端口；以及第三逻辑门；具有被耦合到用于所述第二上部列的所述第一位线的第一输入；并且具有被耦合到所述第一全局读取位线的输出。
权利要求7
根据权利要求6所述的存储器，其中所述第一下部列被包括在下部存储体中；所述下部存储体还包括：用于第二下部列的第一位线；用于所述第二下部列的第二位线；其中所述第二下部列包括多个第四位单元；第四位单元具有被耦合到用于所述第二下部列的所述第一位线的第一读取端口；被耦合到用于所述第二下部列的所述第二位线的第二读取端口；以及被耦合到用于所述第二下部列的所述第一位线和用于所述第二下部列的所述第二位线的写入端口；以及第四逻辑门；具有被耦合到用于所述第二上部列的所述第二位线的第一输入；被耦合到用于所述第二下部列的所述第二位线的第二输入；并且其中，所述第三逻辑门还包括被耦合到用于所述第二下部列的所述第一位线的第二输入。
权利要求8
根据权利要求3所述的存储器，还包括：第一NMOS晶体管；具有被耦合到所述第一逻辑门的所述输出的栅极；并且具有耦合到所述第一全局读取位线的漏极。
权利要求9
根据权利要求8所述的存储器，还包括：第二NMOS晶体管；具有被耦合到所述第一逻辑门的所述输出的漏极；并且具有被耦合到地的源极；所述第二NMOS晶体管被配置为响应于针对所述第一上部列、所述第一下部列和所述第一全局读取位线的所述第一地址信号的解除断言而导通。
权利要求10
根据权利要求1所述的存储器，还包括与所述多个第一位单元相对应的多个字线对；每个字线对包括第一读取端口字线和第二读取端口字线。
权利要求11
根据权利要求10所述的存储器，其中第一位单元包括被耦合到用于所述第一上部列的所述第一位线的第一存取晶体管和被耦合到用于所述第一上部列的所述第二位线的第二存取晶体管。
权利要求12
根据权利要求1所述的存储器，还包括：第一感测放大器；具有被耦合到所述第一全局读取位线的输入；以及第二感测放大器；具有被耦合到所述第二全局读取位线的输入。
权利要求13
根据权利要求12所述的存储器，其中所述第一感测放大器是第一反相器；并且所述第二感测放大器是第二反相器。
权利要求14
根据权利要求7所述的存储器，其中所述第一逻辑门是第一与非门；所述第二逻辑门是第二与非门；所述第三逻辑门是第三与非门；并且所述第四逻辑门是第四与非门。
权利要求15
根据权利要求1所述的存储器，其中所述第一逻辑门是第一与非门；并且所述第二逻辑门是第二与非门。
权利要求16
根据权利要求15所述的存储器，还包括：第一NMOS晶体管；具有被耦合到地的源极；被耦合到第一全局读取位线的漏极和被耦合到所述第一与非门的所述输出的栅极；以及第二NMOS晶体管；具有被耦合到地的源极；被耦合到第二全局读取位线的漏极和被耦合到所述第二与非门的所述输出的栅极。
权利要求17
根据权利要求1所述的存储器，还包括：第一传输门；具有耦合到用于所述第一上部列的所述第一位线的输出和用于接收写入数据位的输入；以及第二传输门；具有耦合到用于所述第一上部列的所述第二位线的输出和用于接收所述写入数据位的补码的输入。
权利要求18
根据权利要求17所述的存储器，其中所述第一传输门和所述第二传输门两者被配置为响应于写入多路复用地址信号的断言而闭合。
权利要求19
根据权利要求1所述的存储器，其中所述存储器被包括在蜂窝电话内。