一种装置，包括：移相器，包括：第一正节点；第一负节点；第二正节点；第二负节点；以及双向放大器，包括：第一晶体管；耦合在所述第一正节点与所述第二负节点之间；其中，所述第一晶体管的栅极端子被耦合到所述第一正节点；并且所述第一晶体管的漏极端子被耦合到所述第二负节点；第二晶体管；耦合在所述第一负节点与所述第二正节点之间；其中，所述第二晶体管的栅极端子被耦合到所述第一负节点；并且所述第二晶体管的漏极端子被耦合到所述第二正节点；第三晶体管；耦合在所述第一正节点与所述第二负节点之间；其中，所述第三晶体管的栅极端子被耦合到所述第一正节点；并且所述第三晶体管的漏极端子被耦合到所述第二负节点；第四晶体管；耦合在所述第一负节点与所述第二正节点之间；其中，所述第四晶体管的栅极端子被耦合到所述第一负节点；并且所述第四晶体管的漏极端子被耦合到所述第二正节点；第五晶体管；耦合在所述第一正节点与所述第二正节点之间；其中，所述第五晶体管的栅极端子被耦合到所述第一正节点；并且所述第五晶体管的漏极端子被耦合到所述第二正节点；第六晶体管；耦合在所述第一负节点与所述第二负节点之间；其中，所述第六晶体管的栅极端子被耦合到所述第一负节点；并且所述第六晶体管的漏极端子被耦合到所述第二负节点；第七晶体管；耦合在所述第一正节点与所述第二正节点之间；其中，所述第七晶体管的栅极端子被耦合到所述第一正节点；并且所述第七晶体管的漏极端子被耦合到所述第二正节点；以及第八晶体管；耦合在所述第一负节点与所述第二负节点之间；其中，所述第八晶体管的栅极端子被耦合到所述第一负节点；并且所述第八晶体管的漏极端子被耦合到所述第二负节点。

根据权利要求1所述的装置，其中所述双向放大器还包括：第九晶体管；耦合在所述第二正节点与所述第一正节点之间；第十晶体管；耦合在所述第二负节点与所述第一负节点之间；第十一晶体管；耦合在所述第二正节点与所述第一正节点之间；第十二晶体管；耦合在所述第二负节点与所述第一负节点之间；第十三晶体管；耦合在所述第二正节点与所述第一负节点之间；第十四晶体管；耦合在所述第二负节点与所述第一正节点之间；第十五晶体管；耦合在所述第二正节点与所述第一负节点之间；以及第十六晶体管；耦合在所述第二负节点与所述第一正节点之间。

根据权利要求2所述的装置，其中：所述第一晶体管；所述第二晶体管；所述第三晶体管；所述第四晶体管；所述第五晶体管；所述第六晶体管；所述第七晶体管；和所述第八晶体管；各自近似具有第一尺寸；所述第九晶体管；所述第十晶体管；所述第十一晶体管；所述第十二晶体管；所述第十三晶体管；所述第十四晶体管；所述第十五晶体管；和所述第十六晶体管；各自近似具有第二尺寸；并且所述第一尺寸与所述第二尺寸基本上不相同。

根据权利要求3所述的装置，其中所述第一尺寸和所述第二尺寸对应于以下至少一项：通道宽度；通道长度；或有效通道宽度。

根据权利要求2所述的装置，其中：对于所述第一晶体管；所述第二晶体管；所述第三晶体管；所述第四晶体管；所述第五晶体管；所述第六晶体管；所述第七晶体管；和所述第八晶体管；所述第一正节点和所述第一负节点包括所述双向放大器相对于第一信号传播方向的第一差分信令输入；并且所述第二正节点和所述第二负节点包括所述双向放大器相对于所述第一信号传播方向的第一差分信令输出；以及对于所述第九晶体管；所述第十晶体管；所述第十一晶体管；所述第十二晶体管；所述第十三晶体管；所述第十四晶体管；所述第十五晶体管；和所述第十六晶体管；所述第二正节点和所述第二负节点包括所述双向放大器相对于第二信号传播方向的第二差分信令输入；并且所述第一正节点和所述第一负节点包括所述双向放大器相对于所述第二信号传播方向的第二差分信令输出。

根据权利要求1所述的装置，其中所述移相器被配置为通过所述双向放大器并在以下项之间传播同相信号分量(I信号分量)：包括所述第一正节点和所述第一负节点的第一差分接口；以及包括所述第二正节点和所述第二负节点的第二差分接口。

根据权利要求1所述的装置，其中所述双向放大器还包括：第一正偏压电路系统；耦合到所述第一晶体管的所述栅极端子；所述第三晶体管的所述栅极端子；所述第五晶体管的所述栅极端子；和所述第七晶体管的所述栅极端子；以及第一负偏压电路系统；耦合到所述第二晶体管的所述栅极端子；所述第四晶体管的所述栅极端子；所述第六晶体管的所述栅极端子；和所述第八晶体管的所述栅极端子。

根据权利要求1所述的装置，其中：所述第一正节点和所述第一负节点包括所述双向放大器的差分信令输入；以及所述第二正节点和所述第二负节点包括所述双向放大器的差分信令输出。

根据权利要求1所述的装置，其中所述双向放大器还包括：第一正电容器；耦合在所述第一正节点与以下项之间：所述第一晶体管；所述第三晶体管；所述第五晶体管；和所述第七晶体管；以及第一负电容器；耦合在所述第一负节点与以下项之间：所述第二晶体管；所述第四晶体管；所述第六晶体管；和所述第八晶体管。

根据权利要求9所述的装置，还包括：至少一个配电网络(PDN)节点(PDN节点)；其中：所述第一晶体管；所述第三晶体管；所述第六晶体管；和所述第八晶体管；经由所述第二负节点被直流耦合(DC耦合)到所述至少一个PDN节点；以及所述第二晶体管；所述第四晶体管；所述第五晶体管；和所述第七晶体管；经由所述第二正节点被DC耦合到所述至少一个PDN节点。

根据权利要求1所述的装置，其中所述双向放大器还包括：第一启用设备；耦合在：所述第一晶体管与至少一个配电网络(PDN)节点(PDN节点)之间；以及所述第二晶体管与所述至少一个PDN节点之间；第二启用设备；耦合在：所述第三晶体管与所述至少一个PDN节点之间；以及所述第四晶体管与所述至少一个PDN节点之间；第三启用设备；耦合在：所述第五晶体管与所述至少一个PDN节点之间；以及所述第六晶体管与所述至少一个PDN节点之间；以及第四启用设备；耦合在：所述第七晶体管与所述至少一个PDN节点之间；以及所述第八晶体管与所述至少一个PDN节点之间。

根据权利要求11所述的装置，其中：所述第一启用设备被配置为使得第一直流(DC)电流能够流经或禁止所述第一DC电流流经所述第一晶体管和所述第二晶体管；所述第二启用设备被配置为使得第二DC电流能够流经或禁止所述第二DC电流流经所述第三晶体管和所述第四晶体管；所述第三启用设备被配置为使得第三DC电流能够流经或禁止所述第三DC电流流经所述第五晶体管和所述第六晶体管；以及所述第四启用设备被配置为使得第四DC电流能够流经或禁止所述第四DC电流流经所述第七晶体管和所述第八晶体管。

根据权利要求12所述的装置，其中：所述第一启用设备包括第一启用晶体管；所述第二启用设备包括第二启用晶体管；所述第三启用设备包括第三启用晶体管；以及所述第四启用设备包括第四启用晶体管。

根据权利要求11所述的装置，其中：所述至少一个PDN节点包括接地节点；以及所述第一晶体管；所述第二晶体管；所述第三晶体管；所述第四晶体管；所述第五晶体管；所述第六晶体管；所述第七晶体管；和所述第八晶体管中的每个晶体管包括相应n沟道金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)(nMOSFET)。

根据权利要求11所述的装置，其中：所述至少一个PDN节点包括至少一电源节点；并且所述第一晶体管；所述第二晶体管；所述第三晶体管；所述第四晶体管；所述第五晶体管；所述第六晶体管；所述第七晶体管；和所述第八晶体管中的每个晶体管包括相应p沟道金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)(pMOSFET)。

根据权利要求11所述的装置，其中所述双向放大器被配置为基于以下项而处于活动模式或非活动模式：使得至少一个直流(DC)电流能够流动的所述第一启用设备；所述第二启用设备；所述第三启用设备；或所述第四启用设备中的至少一个。

根据权利要求16所述的装置，其中：所述活动模式包括第一活动模式；并且所述双向放大器被配置为基于所述第一启用设备和所述第二启用设备而处于活动模式；所述第一启用设备和所述第二启用设备共同使得所述至少一个DC电流能够流经所述第一晶体管；所述第二晶体管；所述第三晶体管；和所述第四晶体管。

根据权利要求17所述的装置，其中：所述活动模式包括所述第一活动模式和第二活动模式；并且所述双向放大器被配置为基于所述第三启用设备和所述第四启用设备而处于所述第二活动模式；所述第三启用设备和所述第四启用设备共同使得所述至少一个DC电流能够流经所述第五晶体管；所述第六晶体管；所述第七晶体管；和所述第八晶体管。

根据权利要求18所述的装置，其中所述双向放大器被配置为输出如下差分信号；所述差分信号具有相对于操作于所述第一活动模式；响应于操作于所述第二活动模式而被反转的极性。

根据权利要求17所述的装置，其中所述双向放大器被配置为基于所述第三启用设备和所述第四启用设备而处于所述第一活动模式；所述第三启用设备和所述第四启用设备共同禁止所述至少一个DC电流流经所述第五晶体管；所述第六晶体管；所述第七晶体管；和所述第八晶体管。

根据权利要求16所述的装置，其中所述双向放大器被配置为基于所述第二启用设备和所述第三启用设备而处于所述非活动模式；所述第二启用设备和所述第三启用设备共同使得所述至少一个DC电流能够流经所述第三晶体管；所述第四晶体管；所述第五晶体管；和所述第六晶体管。

根据权利要求21所述的装置，其中所述双向放大器被配置为基于所述第一启用设备和所述第四启用设备而处于所述非活动模式；所述第一启用设备和所述第四启用设备共同禁止所述至少一个DC电流流经所述第一晶体管；所述第二晶体管；所述第七晶体管；和所述第八晶体管。

根据权利要求16所述的装置，其中：所述双向放大器被配置为基于所述第一启用设备；所述第二启用设备；所述第三启用设备；或所述第四启用设备中的两个启用设备而处于所述非活动模式；所述两个启用设备共同使得所述至少一个DC电流能够流经所述第一晶体管；所述第二晶体管；所述第三晶体管；所述第四晶体管；所述第五晶体管；所述第六晶体管；所述第七晶体管；和所述第八晶体管中的四个晶体管；所述四个晶体管中的每个晶体管耦合到所述两个启用设备中的至少一个；所述四个晶体管中的两个晶体管被耦合到具有第一极性的所述第二正节点和所述第二负节点；并且所述四个晶体管中的另外两个晶体管被耦合到具有第二极性的所述第二正节点和所述第二负节点；所述第二极性与所述第一极性不同。

根据权利要求1所述的装置，其中：所述双向放大器包括与第一放大量相对应的第一双向放大器；并且所述移相器包括可变增益放大器(VGA)；所述VGA包括所述第一双向放大器以及与第二放大量相对应的第二双向放大器；所述第二放大量与所述第一放大量不同。

根据权利要求24所述的装置，其中所述第一双向放大器的晶体管和所述第二双向放大器的晶体管具有不同加权因子；以使所述第一放大量和所述第二放大量不同。

根据权利要求25所述的装置，其中所述第一双向放大器的所述晶体管具有与所述第二双向放大器的所述晶体管相比不同的尺寸。

根据权利要求24所述的装置，其中所述移相器包括：信号相位发生器；以及耦合到所述信号相位发生器的矢量调制器；所述矢量调制器包括所述VGA。

根据权利要求27所述的装置，其中所述信号相位发生器被配置为：生成具有第一相位的第一信号分量和具有第二相位的第二信号分量；所述第一相位和所述第二相位相隔90度(90°)。

根据权利要求27所述的装置，其中：所述VGA包括与信号的第一相位相关联的第一VGA；所述矢量调制器包括与所述信号的第二相位相关联的第二VGA；所述第一VGA经由第一变压器被耦合到所述信号相位发生器；并且所述第二VGA经由第二变压器被耦合到所述信号相位发生器。

根据权利要求27所述的装置，还包括：信号耦合器；功率放大器；以及低噪声放大器；其中所述移相器可切换地被耦合在：所述信号耦合器与所述功率放大器之间；或者所述信号耦合器与所述低噪声放大器之间。

根据权利要求1所述的装置，还包括：天线阵列；包括多个天线元件；所述多个天线元件中的至少一个天线元件耦合到所述移相器；以及无线接口设备；耦合到所述天线阵列；所述无线接口设备包括所述移相器并且被配置为使用所述移相器的所述双向放大器来引导经由所述天线阵列传送的无线信号。

根据权利要求31所述的装置，还包括：显示屏；以及处理器；操作性地耦合到所述显示屏和所述无线接口设备；所述处理器被配置为基于以下项来将一个或多个图形图像呈现在所述显示屏上：使用所述移相器的所述双向放大器由所述无线接口设备引导的所述无线信号。