非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
|---|
权利要求1
一种电子装置，包括；第一晶体管；具有被配置为接收输入信号的栅极端子；被配置为输出放大信号的漏极端子；以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子；第二晶体管；具有连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的源极端子；和连接至第一信号路径的漏极端子；以及第三晶体管；具有连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的栅极端子；连接至第二信号路径的漏极端子；和连接至所述信号地的源极端子；其中，所述第三晶体管的所述漏极端子通过开关选择性地连接至所述第一信号路径。
权利要求2
根据权利要求1所述的电子装置，进一步包括；第四晶体管；具有连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的源极端子；和连接至所述第一信号路径的漏极端子；所述第四晶体管被配置为传导与所述第二晶体管相同或不同的电流量。
权利要求3
根据权利要求2所述的电子装置，所述第四晶体管由控制信号选择性地启用或偏置用于DC耦合以控制去往第一负载的电流；所述第一负载连接至所述第一信号路径。
权利要求4
根据权利要求1所述的电子装置，进一步包括一个或多个另外的晶体管；所述一个或多个另外的晶体管具有分别连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的一个或多个栅极端子；分别连接至一个或多个信号路径的一个或多个漏极端子；以及连接至所述信号地的一个或多个源极端子。
权利要求5
根据权利要求4所述的电子装置，所述一个或多个漏极端子通过一个或多个开关选择性地连接至所述一个或多个信号路径。
权利要求6
根据权利要求5所述的电子装置，所述一个或多个开关由一个或多个控制信号选择性地启用。
权利要求7
根据权利要求4所述的电子装置，所述一个或多个另外的晶体管的所述漏极端子通过一个或多个开关选择性地连接至所述第一信号路径。
权利要求8
根据权利要求7所述的电子装置，所述一个或多个开关由一个或多个控制信号选择性地启用。
权利要求9
根据权利要求1所述的电子装置，所述第二晶体管由控制信号选择性地启用或偏置用于DC耦合。
权利要求10
根据权利要求1所述的电子装置，所述第三晶体管的所述漏极端子通过开关选择性地连接至所述第二信号路径。
权利要求11
根据权利要求10所述的电子装置，所述开关由控制信号选择性地启用或偏置用于DC耦合。
权利要求12
根据权利要求4所述的电子装置，其中所述第一信号路径将所述第二晶体管的所述漏极端子连接至第一负载；所述第二信号路径将所述第三晶体管的所述漏极端子连接至第二负载；并且所述一个或多个信号路径分别将所述一个或多个另外的晶体管的所述漏极端子连接至一个或多个负载；其中，所述第一负载包括主负载；以及所述第二负载和所述一个或多个负载包括载波聚合负载。
权利要求13
根据权利要求4所述的电子装置，其中所述第一信号路径包括主信号路径；并且所述第二信号路径和一个或多个信号路径包括载波聚合信号路径。
权利要求14
根据权利要求1所述的电子装置，所述开关由控制信号选择性地启用。
权利要求15
根据权利要求1所述的电子装置，进一步包括控制器；用以生成控制信号；以选择性地启用所述第二晶体管和所述第三晶体管或偏置所述第二晶体管和所述第三晶体管用于DC耦合。
权利要求16
根据权利要求1所述的电子装置，所述电子装置被配置为在接收器中执行载波聚合信号的可配置的放大和路由。
权利要求17
根据权利要求1所述的电子装置，所述电子装置被形成在集成电路上。
权利要求18
根据权利要求1所述的电子装置，进一步包括另外的晶体管；所述另外的晶体管具有连接至所述第三晶体管的所述漏极端子的栅极端子；连接至另外的信号路径的漏极端子；以及连接至所述信号地的源极端子。
权利要求19
根据权利要求18所述的电子装置，所述另外的晶体管的所述漏极端子通过开关选择性地连接至所述第一信号路径。
权利要求20
根据权利要求19所述的电子装置，所述开关由控制信号选择性地启用。
权利要求21
根据权利要求18所述的电子装置，其中所述另外的晶体管是多个另外的晶体管之一；所述多个另外的晶体管中的每个晶体管具有栅极端子、源极端子和漏极端子；其中所述多个另外的晶体管形成一条链以使得所述多个晶体管的所述栅极端子耦合到相应前一晶体管的漏极端子；其中所述多个晶体管的所述漏极端子耦合到相应的信号路径；并且其中所述多个晶体管的所述源极端子连接至所述信号地。
权利要求22
根据权利要求21所述的电子装置，其中所述第一信号路径包括主信号路径；并且所述第二信号路径和相应的信号路径包括载波聚合信号路径。