一种制造太阳能电池的方法，其包括： 提供衬底； 在所述衬底上提供界面钝化层； 在所述界面钝化层上提供钝化膜，所述钝化膜包含钝化材料和导电掺杂剂，其中所述提供界面钝化层和提供钝化膜包括：在所述衬底的上表面上提供非晶含硅化合物，所述化合物包含氧掺杂剂和导电掺杂剂，热处理所述非晶含硅化合物，以使所述氧掺杂剂至少部分扩散到所述衬底的上表面中以在衬底之上形成氧化物层，所述氧化物层界定了界面钝化层，所述热处理使钝化膜中的导电掺杂剂扩散通过所述界面钝化层；以及其中在所述氧化物层之上剩余的非晶含硅化合物界定了钝化膜，其中所述热处理也使至少部分所述导电掺杂剂扩散到整个所述界面钝化层中以促进与衬底的电连接； 和 在所述钝化膜上提供至少一个电极，其中在所述钝化膜内和整个界面钝化层中的导电掺杂剂提供了所述至少一个电极与衬底之间的直接电连接。

CN104952943B
同族无效证据与权利要求特征比对分析报告

分析对象  CN104952943B授权权利要求1至12
相关母案  CN102460715B
分析日期  2026年10月3日

一 结论摘要

现有材料支持把第650437号无效决定作为重要的证据选择与论证参考，但不足以据此直接断定CN104952943B全部无效。两案权利要求的关键差异在于：目标权利要求1要求含氧及导电掺杂剂的非晶含硅前驱体经热处理，由其中的氧向衬底上表面迁移并形成界面氧化层，同时保留上部材料作为钝化膜。母案决定的核心证据E2采用先形成隧穿层、再沉积非晶硅的路线，未直接给出这条完整工艺链。[1][2][4]

建议的主线是有条件的创造性组合：以E2的太阳能电池结构、硼掺杂非晶硅及退火接触工艺为基础，以E3的含氧SIPOS及退火界面层机理作为工艺替换启示。能否成立取决于目标权利要求的有效日期、非晶初始状态、内源氧迁移成膜、上部膜保留以及全界面掺杂电连接能否被证据和合理技术推理闭合。现有证据对这些问题的支撑强弱不同，不能以母案结论替代逐特征证明。[2][4][5]

新颖性路线应更谨慎。E2对A至D及若干附加特征有较强支撑，却不直接公开E至H与J所限定的同一前驱体原位分层过程；E3虽接近该过程，但将界面氧化物形成机理表述为假设，并承认氧化层也可能在沉积前形成。把两篇材料拼接证明完整方案，应在创造性框架内展开，不能作为单篇新颖性公开处理。[4][5]

时间门槛优先于技术比对。第650437号决定认定E2最晚于2009年12月31日公开；该时间晚于目标声称的2009年4月21日优先权日。母案优先权不成立并不自动使目标分案丧失优先权，尤其目标权利要求1没有母案所争议的500℃温度限定。应同时推进目标优先权原文核验和E2更早公众可得证据的收集。[1][2][3]

全部12项均在本报告覆盖范围内。权利要求2至11必须连同所继承的权利要求1整体评价；权利要求12为以方法限定的产品，应另查相应制法是否带来可区分的结构或组成，不能机械追随方法权项的结果。[1][8]

二 目标范围与证据编号

本报告以授权权利要求书为比对基础，沿用用户特征表的A至W标记。A至L对应权利要求1；M至V依次对应权利要求2至11的附加限定；W对应权利要求12。特征表J中的“并且中”属转录异常，按授权原文理解为“其中”。权利要求1未限定热处理温度达到500℃、必须结晶、必须隧穿或必须扩散进入衬底；这些内容不得从母案或说明书直接补入。[1]

D650的E2、E3、E4编号与D580不同，不能跨决定直接沿用同号。D580的证据2是CN1862840A，证据5是US6448105B1，证据17是US5057439A；后者在D650中编号为证据5。后文涉及这些专利均写全公开号，避免混淆。

证据标签的含义

明确公开：原文或附图直接记载的具体事实。合议组认定：决定对事实、公开范围或技术推理所作判断。本案推论：基于材料向目标权项作出的分析，不冒充文献原文或既有裁判。未核实：仍需原始文本、公开日证明、实验或档案补足。一个特征可以同时具有以上不同层次，表格中的标签不代表胜败概率。

无效决定定位采用章节，不把附件解析器生成的页码当作原决定印页。对论文则采用论文原页码及图号。决定文本中出现的前后不一致，以下按审查基础、决定理由和授权文本分别校验。

三 两次母案决定的实际作用

第580613号决定的边界

合议组认定：审查基础仍是母案授权公告文本。专利权人2024年5月16日提出的修改未被接受，其中在权利要求8和17加入的结晶成多晶膜特征不是授权权项中记载的特征，故不能把该修改稿视作维持有效的权利要求版本。[3，二（一）]

附件案由开头所引“授权公告时”权项，已混入拟增加的内容，与审查基础、授权文本及D650转录存在冲突；附件个别段落又将母案权9误写为引用权8。报告对母案范围的判断以获接受的审查基础及授权文本为准。上述文本差异值得在正式提交时用官方决定原件和完整案卷再次复核，不能扩大其实体含义。

合议组认定：母案主要独立权项不享有US61/171194的优先权，最小必要理由分别涉及500℃或更高热处理导致结晶、超过500℃激活掺杂并穿过界面进入衬底等内容，未在优先权文本中记载且不能直接无疑义导出。请求人列举的全部其他差异，不能一并归为合议组已经采纳的结论。[3，二（二）]

维持母案有效只说明该次证据、理由和证明达到的范围不足以推翻所审权项，并不构成所有同族专利永久有效的证明。D580中有关不同现有技术的温度表述也存在内部概括不一致；正确的关注点是其未证明整体技术链，而非断言所有证据都没有500℃以上热处理。

第650437号决定的决定性路径

D650最终明确：1、8至10、17缺乏新颖性，2至7、11至16缺乏创造性。中间个别段落使用“新颖性或创造性”的表述，不改变最终归类。其余无效理由、E1/E5/E6/E7等证据及其他组合未再评述，不能宣称已经获得合议组实体采纳。[2，二3.7及三]

四 优先权与公开日先行核验

目标与母案均记载2010年4月21日申请日、2009年4月21日美国临时申请优先权；目标为母案分案，授权公告日为2017年7月18日。但族关系与书目优先权记载并不能取代对目标各技术方案的实质优先权核实。[1][3]

E2能否使用的两条路径

合议组认定：D650以2009年馆藏收录和公众可查询状态为主要依据，推定E2最晚于2009年12月31日公开。2008年会议日期、出版信息、购买信息及其他检索资料属于辅助证明；决定没有把2008年9月会议日期直接认定为论文公众可得日。[2，二2]

本案推论：应分别核查目标E至H及J的内源氧分层方案、I/K/L的扩散及直接电连接，并再核对从属附加特征。目标权1没有500℃下限，D580针对母案温度及结晶限定的理由不足以直接得出目标优先权同样不成立。即使分案说明书与母案相同，权利要求提取出的技术方案仍需单独比对。

E3时间信息的正确写法

E3为IEDM 1984论文，原题录为742至745页。IEEE页面所列2005年8月9日是加入IEEE Xplore的日期，不能改写成原会议发表日。D650将该日期作为在先公开日期列示并认可其适格性；无论采用1984年题录还是已核得的2005年数据库时间，均早于两个关键日，但正式证据仍应保留原始文献与公开时间证明。[2][5]

未核实：目标优先权全文的逐特征支持结论、目标当前无效及司法程序状态、D650是否已被起诉或生效。报告不以第三方“Active”标签判断有效性，也不把D650当作已发生既判效力的终局裁判。

五 权利要求1的A至D特征比对

本节对各特征先给出目标限定，再区分直接记载与推论。A至D的结构级对应较强，但不能割裂后半部分关于形成方式的约束：B、C、D在目标权项中是由E至J的同一工艺链实现。

A 衬底

E2产品结构和流程均以硅晶片为基底，D650已明确将其对应为母案的衬底。目标A未要求特定晶向、掺杂浓度或背场，因此该基础特征不存在明显映射障碍。E3也研究SIPOS与单晶硅的接触，可支持同类基体的技术背景。[2，二3.1][4，图2至3][5，742页]

B 界面钝化层

E2的约6至12Å超薄介质兼具扩散阻挡与界面钝化功能，属于结构及功能上高度相关的公开。但其化学氧化层或快速热氧化层在a-Si沉积前就已形成。此处的“提供”不能抹去目标G所规定的内源氧热迁移形成步骤。[4，1149至1150页、图3]

C 上部钝化膜

E2在隧穿介质上沉积硼掺杂非晶硅并退火转为多晶硅，D650将其视作界面层之上的导电钝化层。本案采用这一结构对应具有依据，但E2上部膜来自后续独立沉积；目标J则要求它是形成界面氧化层后所剩材料。两者层叠形状接近，不等于制造方法相同。[2，二3.1][4，图2至3]

D 钝化材料及导电掺杂剂

E2的硅层和硼掺杂、E3的SIPOS及掺杂激活均能支持一般材料与掺杂组成。E3的含氧组分进一步接近F，但其本案样品非晶初态、氧进入界面的具体路径及界面导电作用须另证。仅凭“掺杂SIPOS”名称不足以一次性涵盖D至L。[4][5]

六 权利要求1的E至L特征比对表

本表与第五节A至D表共同覆盖独立权利要求1全部特征。每行均应与其余步骤共同阅读；“对应较强”仅表示该局部内容的证据基础，不表示完整权项已失去新颖性或创造性。

说明书核验：目标[0228]位于授权PDF第15页末至第16页上部（说明书13/15至14/15页），描述单工序层、氧向硅界面迁移及分层，是解释G/J的重要位置。母案对应[0226]位于其PDF第17页（说明书14/15页）。这些说明书内容帮助解释权项，不可把未写入目标权1的温度和结晶限制补入。[1][10]

母案权3、15的宽泛热处理分层限定与目标最接近；但母案相关权项另有500℃及结晶等限制，而目标新增具体氧来源和迁移因果链，故目标权1与母案权1并非可直接认定的严格包含关系。

七 权利要求1的E至G逐项说明

E 在衬底上表面提供非晶含硅化合物

明确公开：E2的图3标注a-Si(B)，原文说明氧化处理后沉积非晶硅，以1000℃、30秒快速热退火使其结晶，能够支持“非晶含硅化合物”这一材料状态。限制在于E2的a-Si位于预先形成的隧穿层上，该沉积层并未被证实为目标所要求的含氧前驱体。E3原文讨论含氧SIPOS及热处理相分离，但不能据“低温制膜”或SIPOS类别名称认定所用样品初始必为非晶。[4，1150页][5，742至743页]

F 同一化合物包含氧及导电掺杂剂

明确公开：E3向沉积环境引入含氧物质，形成富硅氧化物类SIPOS；添加掺杂剂并高温退火后可获得足够导电性。其组成方向明显接近F。E2只记载硼掺杂非晶硅与独立隧穿介质，未明确将氧作为该a-Si层内的掺杂剂。

本案推论：E3可以成为把E2的掺杂硅层替换为含氧掺杂层的技术来源，但F应与E的非晶初态、G的氧迁移过程以及J的保留膜一起证明。不能从一篇取得非晶、另一篇取得含氧，再不经技术启示论证就视为单篇完整公开。

G 氧迁移并在衬底上原位形成氧化层

明确公开：E3提出膜内置氧源可能帮助形成或维持界面氧化层；但其机理使用“postulating”“assuming”等推测措辞，图3也称推定结构。原文同时承认，不能排除薄热氧化层在SIPOS沉积之前的热平衡阶段已经形成。因而该文献没有直接追踪氧从膜向衬底上表面的迁移，更没有以实验排除其他氧化层来源。[5，743至744页]

合议组认定：D650在母案权3、15的创造性评价中接受E3关于热处理形成界面层和上部导电钝化层的教导。这是对较宽的母案附加限定及组合启示的判断，并非已经确认目标G的逐字工艺和唯一物理机理。[2，二3.2、3.6]

本案推论：上述假设性不当然消除创造性启示价值；它削弱的是把G当作单篇直接、无疑义公开的强断言。请求方应证明技术人员为何会采用该机理作为可实施工艺，并说明含氧量、沉积状态和退火条件如何支持目标路径。专利权人则可据竞争解释及缺乏氧迁移测量质疑直接公开和合理成功预期。

阶段结论：E/F/G是目标相对E2的核心工艺差异，E3是最有价值的桥梁，但仍需证据把“提出界面成膜解释”与“实现权项规定的内源氧迁移过程”连接起来。

八 权利要求1的H至J逐项说明

H 氧化物层界定界面钝化层

E2明确把超薄介质作为界面钝化及扩散阻挡层，E3的退火界面氧化物解释也与抑制界面复合相关，故氧化层具有界面钝化功能的证据基础较强。本案缺口在其来源与时序：目标H所指的是G原位形成的那一层，不能借已有独立氧化层的功能公开替代G。[4][5]

I 热处理使导电掺杂剂扩散通过界面层

合议组认定：D650依据E2的SIMS图4、相关文字及图2至3的整体方案，认为硼自上而下扩散到整个隧穿介质，少量穿过进入衬底。该内容应标注为合议组根据测试结果所作技术认定，而非E2逐字声称其目的在于促进穿层扩散。[2，二3.1]

明确公开：E2强调隧穿介质阻挡扩散、形成陡峭结；原文也讨论界面硼偏聚。两者不必然矛盾，因为阻挡不必意味着完全阻断。但把少量外扩散进一步解释为目标所要求的电连接机理，仍需分析界面层本体、针孔、隧穿及局部接触等可能性。E3讨论掺杂外扩散与界面层厚度的关系，能提供相关背景，却不等于已实证界面氧化物被掺杂至导电。[4，图4][5，743页]

J 氧化层上方的剩余前驱体构成钝化膜

目标要求界面层与上部膜来源于同一含氧非晶材料热处理后的分化，而非简单要求成品中存在上下两层。E2的上部多晶硅确实在器件中保留，但其氧化层预制在先，不能直接证明同一前驱体分化这一来源关系。

E3对退火后富氧基质与硅微晶、界面氧化物及上部SIPOS的讨论，与“形成下部界面并保留上部膜”的工艺构想更接近；D650据此认定母案多功能薄膜分层具有启示。然而原文的非晶初态、分层来源和结果验证仍不足以不加解释地覆盖J。[2，二3.2、3.6][5]

解释注意：J提到“剩余的非晶含硅化合物”，权2又允许进一步结晶。因此不宜机械解释为所有最终膜必须始终完全非晶，也不能把“非晶”一词完全删除。应结合目标说明书及审查档案说明该用语是指起始材料、剩余部分还是热处理后的材料状态，并在各备选解释下分别比对。目标说明书[0225]至[0228]及[0231]分别涉及结晶、原位成层和备选输运机制，可作为解释起点。[1]

阶段结论：H的功能映射较强，I有母案决定的直接支持，J与G共同维持目标方法的核心差异。I的支撑不能反向证明G和J；多项结构相似也不能替代同一来源及时间顺序的证明。

九 权利要求1的K与L及整体结论

K 导电掺杂剂遍及界面层并促进电连接

合议组认定：D650将E2中硼分布至整个隧穿介质的情形对应为母案的全界面扩散，并进一步认为其缩短电荷载流子路径。本案可援用该分析作为论据，但必须呈现其依赖SIMS解释和结构推理，而不是明确记载的单一句事实。[2，二3.1]

本案推论：目标K还建立了“导电掺杂剂分布”与“促进衬底电连接”的因果关系。SIMS给出元素分布，不直接测量掺杂电活性、界面电导率或载流子路径。应通过E2原文、技术说明或相关实验区分偏聚、介质内有效掺杂、针孔接触与隧穿。不能仅以谱线上有硼就推定所有导电功能。

L 电极及由掺杂剂提供的直接电连接

明确公开：E2的正面栅线／接触及热处理后接触步骤可对应在膜上提供电极。合议组认定：在母案中，电极、层叠结构及掺杂分布共同支持缩短路径。本案推论：目标L的“直接电连接”是否与该路径缩短相同，仍取决于权项解释及导电机理证据。[2，二3.1][4，图2至3]

不得把“直接”未经论证地改写为只允许金属式欧姆贯通，也不得因此排除隧穿。目标从属权6明列载流子隧穿，说明其体系可以容纳隧穿功能；但此点也不自动证明E2的任意隧穿结构都满足由膜内及整个界面层的导电掺杂剂提供电连接的因果限定。

整体评价不能以命中数量代替

结论：现阶段最可取的是保留边界的组合论证，不能以“A至L大多命中”推算无效概率，也不能把D650针对较宽母案权项的裁判直接转作目标全部特征已经公开的事实。

十 权利要求2至6的附加特征

继承规则：权2引用权1；权3、4、5引用权2；权6引用权1。故本页每项均保留权1的E/F/G/J及K/L问题。附加限定有证据，不等于对应从属权项整体已被证明无效。[1]

M与N的区别

E2对非晶到多晶的热转化证据最清楚。D650又从该过程推导透射率增加并采用于母案从属项，故不能把N描述为毫无基础；也不能反过来把该推论升格为对目标“透明膜”在所有工艺条件下的明确原文记载。透明的技术含义应联系膜厚、光谱范围及器件用途解释。

O与P应另设论证段落

O是结晶与钝化改善之间的效果关系，P是界面层在热处理期间承担保护功能，两者不能被“膜具有钝化作用”这一概括覆盖。P中衬底“不被结晶化”的措辞尤其需要结合说明书语境与实验对象澄清；若提出清楚性、支持或充分公开问题，必须建立目标文本的专门理由，不能借母案未采纳的请求人意见代替。[1][3]

十一 权利要求7至11的附加特征

继承规则：权7、8、9、10均直接引用权1；权11引用权10。下述评估仅处理各自新增内容，不消除所继承的原位成层与电连接证明任务。[1]

R的辅助证据使用边界

D580承认US6448105B1有900至1200℃的硼穿氧化物扩散，但指出其氧化物作用、掺杂层属性与母案不同，而且处理后相关层被去除。因此它可辅助说明高温穿层扩散的物理可能性，却不能作为目标保留导电钝化膜、以原位界面层实现电连接的主证据。[3，二（八）2.2][7]

S与U及V的原图核校

E2图2对抗反射层的标注为氮化物或ITO，厚度标注为76 nm。D650转录为0.76 nm与原图不符，报告采用原图76 nm，同时不将该值扩大为所有ITO实施方案的固定厚度。图3给出的顺序为隧穿层、a-Si、RTA、ITO或SiNx以及背面和正面接触，选择ITO分支才与U/V的导电膜相匹配。[4，1150页图2至3]

专利辅助线索：D580二（八）1.3摘录CN1755949A及CN100449792C的ITO表面电极与银集电极结构，可补强U/V的局部限定。这里以决定记载为依据，未将其扩大为已独立核实公开目标完整工艺；两者仍不能替代E/F/G/J及K/L的证明。[3][11][12]

结论：M、Q、R、S、U、V的附加特征有较强或较具体的证据入口；N需把透明程度说清；O、P以及T的因果或功能性限定更需专项补证。以上是论证成熟度分类，不是无效成功率。

十二 权利要求12的产品限定单独评价

W的授权表述是通过权利要求1至11之一的方法形成的太阳能电池。这是以制备方法限定的产品型权项；“之一”表示择一引用，不能把M至V全部累加成唯一产品，也不能忽略每条方法路径均源于权1。[1]

审查焦点是产品的结构或组成

《专利审查指南》第二部分第三章第3.2.5节第（3）项要求，判断包含制备方法特征的产品权利要求时，考虑该方法是否使产品具有特定结构或组成。仅有制造步骤不同而产品结构、组成相同，通常不足以建立产品的新颖性；若方法带来可区分的结果，则应把该结果纳入评价。[8]

因此，两种简单推导均不稳妥：一是因E2未公开G的制造步骤，就立即认定权12一定新颖；二是因方法组合可能显而易见，就跳过产品本身的比对，直接认定权12无效。应分别识别各方法路径实际留下的产品限定。

本案推论：若能证明E2产品与目标由权1方法制得的产品在相关结构和组成上实质相同，即使二者成层顺序不同，仍可能形成针对权12的有力新颖性论证。相反，如原位分层留下独特含氧分布、界面组成或导电路径，方法差异便可能具有产品限定效果。现阶段材料尚不足以在这两种情形间作确定选择。

D650对母案权9采用了与方法权1关联的简化分析。它可供了解母案处理方式，不能代替针对目标新增内源氧工艺可能造成的产品差异进行独立判断。[2，二3.4]

十三 证据组合与攻防论证

优先路线 E2结合E3

本案推论：E2适合作为最接近现有技术的候选，因为它具有太阳能电池、界面钝化隧穿层、掺杂硅膜、退火及后续接触的完整体系。E3涉及同类硅接触的复合抑制及导电兼顾，并将其与太阳能电池性能联系起来，因而不是跨越遥远领域的任意材料。D650已经接受二者对母案宽泛分层工艺的组合，提供实际可用的论证起点。[2][4][5]

建议将区别技术问题表述为：如何获得兼具界面钝化与导电接触功能的层结构并选择其形成工艺。不能把问题预先写成“如何让氧从非晶膜迁移到衬底上生成氧化层”，否则可能把解决方案直接塞入技术问题。随后解释技术人员为何会用含氧掺杂SIPOS替换E2上部材料和预制界面的形成方式，并检查该替换是否仍保持E2所需要的钝化与电学性能。

反方最强质疑包括：E2以抑制扩散、保持陡峭结为方向；E3仅提出界面成膜假说，并承认沉积前氧化的竞争解释；SIPOS初始非晶状态未直接证明；氧含量、退火、相分离与膜导电可能存在权衡。请求方应逐点回应，不能只凭同领域和同族决定一句带过。

E4适合补什么

D650采用E4解释界面氧化物在高温下局部破裂、形成额外导电通道。该材料可辅助理解穿孔或局部接触，但目标权1并未要求穿孔，且K/L指向掺杂剂提供电连接。若把E4加入组合，应先明确它解决的是电连接机理的哪一缺口，并说明局部破裂机制与目标文字兼容；不得把“针孔导电”直接等同“掺杂使全层电连接”。[2，二3.2、3.6]

其他专利应作为有界辅助材料

CN1862840A可支持晶体衬底、本征钝化层及重掺杂非晶或微晶背场层等一般层叠结构，D580并未据其认定目标的内源氧原位成膜。US6448105B1可补充穿氧化物扩散，却存在处理后去膜等差别。US5057439A在两案中的提交或被请求人主张，不等于其实体组合已经获采纳；如要使用，应独立核对原文及对应特征。[3][6][7][9]

路线选择结论：优先补强E2结合E3，而不是增加许多仅在一般结构上重复的证据。新颖性、创造性、清楚性、支持和充分公开各有不同证明任务；在未完成目标文本及案卷核实前，不把后几类理由包装成既定结论。

十四 补证清单与可执行结论

技术资料应优先选择相关有效日前已经公开的文献。后出的实验或论文可以帮助解释物理事实或验证测量方法，但其角色与在先技术证据不同，应明确区分，不能追溯性地创造当时不存在的技术启示。

当前可安全采用的结论

第一，D650是与目标高度相关的同族证据资源，E2与E3尤其值得沿用及补强。第二，E2单篇不足以直接完成目标权1所要求的内源氧原位形成界面层的证明；E3提供实质启示，但对完整工艺链仍存在限定和缺口。第三，2至11应逐项评价附加限定并完整继承权1；12须转向产品结果另行证明。第四，优先权和E2公众可得日期决定主要路线能否启动，不能在技术表格中省略。

本报告提出的是基于现有证据的论证结构和补证方向，并非对目标专利无效结果的保证。正式提出无效请求时，应由承办专利代理师或律师结合完整档案、证据原件、最新法律状态及程序期限完成最终审查。

十五 来源与核验定位

以下链接用于回溯公开原文。附件决定的引证以章节为准，正式程序中应取得适格证据及必要译文，不以本报告或检索页面替代原件。

[1] CN104952943B授权公告文本。全部权1至12位于PDF第2页；说明书首页记载分案及优先权信息。用户A至W特征表用于标记，遇转录差异以授权文本为准。 原文链接

[2] 第650437号无效宣告请求审查决定。用户提供。决定日2026年4月22日；二2证据及公开日；二3.1至3.7实质评价；三全部无效结论。母案CN102460715B。

[3] 第580613号无效宣告请求审查决定。用户提供。决定日2024年7月16日；二（一）审查基础；二（二）优先权；二（八）创造性及各证据评价；三维持有效结论。

[4] Borden等 Polysilicon Tunnel Junctions as Alternates to Diffused Junctions。23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference，2008，1149至1152页；1149页摘要，1150页工艺及图2至4。Fraunhofer原文。 原文链接

[5] Kwark Sinton Swanson SIPOS Heterojunction Contacts to Silicon。IEDM 1984，742至745页，DOI 10.1109/IEDM.1984.190832；742页材料及退火，743页假设机理与竞争解释，744页图3图注。USPTO案件公开原扫描。 原文链接

[5a] E3题录及IEEE加入日期的存档。第1页同时列1984年会议日期与2005年8月9日Date Added to IEEE Xplore；原IEEE条目编号1484603。 原文链接

[6] CN1862840A。D580证据2；说明书[0025]至[0026]及D580二（八）1.3。 原文链接

[7] US6448105B1。D580证据5；D580二（八）2.2关于900至1200℃扩散、层属性及最终去层的评价。 原文链接

[8] 国家知识产权局 专利审查指南。第二部分第三章第3.2.5节第（3）项，包含制备方法特征的产品权利要求。 原文链接

[9] US5057439A。D580证据17、D650证据5；本报告仅说明程序引用地位，不将其未获实质评述的主张当作采纳结论。 原文链接

[10] CN102460715B母案授权文本。用于区分母案与分案权项范围，并校验D580案由中混入修改稿的转录差异；原位成层段[0226]在PDF第17页。 原文链接

[11] CN1755949A。D580证据6，二（八）1.3摘录ITO表面电极及银集电极；本报告按决定所载内容作为U/V辅助线索。 原文链接

[12] CN100449792C。D580证据13，二（八）1.3摘录ITO表面电极及银集电极；本报告按决定所载内容作为U/V辅助线索。 原文链接

如权利要求1所述的方法，其中所述热处理至少部分使所述钝化膜进一步结晶以得到结晶钝化膜。

如权利要求2所述的方法，其中所述结晶钝化膜为透明膜。

如权利要求2所述的方法，其中所述钝化膜的结晶提高了钝化膜的钝化。

如权利要求2所述的方法，其中在所述钝化膜的热处理和结晶期间，所述界面钝化层保护衬底不被结晶化。

如权利要求1所述的方法，其中所述界面钝化层具有的厚度允许载流子隧穿通过界面钝化层进入到衬底中。

如权利要求1所述的方法，其中所述热处理使一些导电掺杂剂扩散通过所述界面钝化层进入到衬底中。

如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述钝化膜的导电上表面之上提供抗反射膜。

如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个电极经导电掺杂剂通过钝化膜与衬底电连接。

如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在钝化膜之上提供至少一个导电膜，其中所述提供至少一个电极包括在所述至少一个导电膜上提供至少一个电极。

如权利要求10所述的方法，其中所述至少一个导电膜是透明导电膜。

一种通过权利要求1-11之一所述的方法形成的太阳能电池。

分析