对比文件名称：发明授权_CN102157513B 薄膜表面安装部件
目标专利名称：双侧电路
本次调用模型名称：GPT-4
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围** <br>《直接公开》 | 对比文件说明书：[0087] “第一和第二基底104和106优选地由一种或多种绝缘陶瓷或非陶瓷材料形成，该材料包括但不局限于玻璃、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化铋(BeO)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、磷化铟、瓷、石英、蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)、硅土(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、这些材料的氧化物和/或氮化物或者整体具有高热电阻的任何其它绝缘薄膜材料。这些基底中的一个(即，第一基底104)某些时候可称作基础基底，另一个基底(即，基底106)某些时候可称作盖子基底。” <br> 附图1A-1C, 2A-2C等示出了基底104、106，它们具有相对的两个表面（上表面和下表面）以及连接这两个表面的外围侧面。 | 对比文件公开了由绝缘材料（如玻璃）形成的基底（104，106），这些基底具有相对的两个表面（第一表面和第二表面）以及连接它们的外围侧面。虽然目标专利的“绝缘体”是单一部件，而对比文件常描述两个基底（基础基底和盖子基底）的组合，但这两个基底在叠层后共同构成了一个具有第一表面（如上表面）、第二表面（如下表面）和外围侧面的绝缘体结构。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件中的绝缘基底（单个或多个组合）公开了“具有第一表面、第二表面和外围的绝缘体”这一技术特征。 |
| **技术特征B：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上** <br>《直接公开》 | 对比文件说明书：[0086] “部件100总体包括提供在第一和第二基底104和106之间的至少一个薄膜电路102。” <br> [0090] “薄膜电路102在图1A中示出为单独的层，尽管应该知道薄膜电路102实际上可直接在第一(基础)基底104的表面上形成。” <br> [0100] 在描述图2A-2C的部件200时：“第二薄膜电路132同样设置并且形成在第二基底106的表面(即图2A所示的基底106的下表面)上。” <br> 附图1A, 2A等清晰显示了薄膜电路102布置在基础基底104的表面上。 | 对比文件明确公开了薄膜电路（例如102）直接形成在基础基底（例如104）的表面上。该薄膜电路包含无源部件（如电阻、电容、电感或其组合），即“电路元件”。因此，布置在第一基底（对应于第一表面）上的薄膜电路及其包含的元件，直接公开了“电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上”。 |
| **技术特征C：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上** <br>《直接公开》 | 对比文件说明书：[0100] “第二薄膜电路132同样设置并且形成在第二基底106的表面(即图2A所示的基底106的下表面)上。” <br> 附图2A-2C明确示出了第二薄膜电路132布置在第二基底106的表面上。 | 对比文件明确公开了第二薄膜电路（例如132）形成在第二基底（例如106，盖子基底）的表面上。这直接对应于“电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上”。图2A-2C的实施例清楚展示了双面电路布局。 |
| **技术特征D：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。** <br>《隐含公开》 | **关于导电侧壁及电耦合：** <br> [0091] “第一和第二导电焊盘112和14也设置在基础基底104的表面上。导电焊盘112和114电连接到用于薄膜电路102的该至少第一和第二电连接器108和110上。” <br> [0094] “第一和第二外部终端120和122形成在部件100的外围，并且与每个导电焊盘112和114直接电连接。” <br> [0100] “第三和第四导电焊盘138和140还设置在基底106的表面上，从而用作薄膜电路132的电连接以及部件200的外部终端的界面。” <br> [0103] “第一和第二外部终端120和122形成在部件200的外围上，与每个导电焊盘112、114、138和140直接电连接。” <br> 附图1B, 2B示出了外部终端120, 122覆盖部件端面和部分侧面。<br><br>**关于第一电容器的层结构：** <br> [0108] 关于图6的电容器600：“形成在第一和第二基底104和106之间的薄膜电路包括第一和第二导电电极层602和604以及插入其中的介电层606。导电层602形成为平行板式电容器的底板，导电层604形成为平行板式电容器的顶板。” <br> [0109] “第一导电焊盘112形成为电连接到第一电极602上，并且还电连接到第一外部电极120上。第二导电焊盘114形成为电连接到第二电极604以及第二外部电极122上。” | 1. **导电侧壁及电耦合**：对比文件公开了“外部终端”（如120,122）形成在部件的外围（端面和侧面），并与布置在两侧基底表面上的导电焊盘（112,114,138,140）直接电连接。这些导电焊盘又分别电连接到布置在两侧表面的薄膜电路（102,132）。因此，外围的外部终端起到了将两侧表面的电路元件电耦合的作用。虽然对比文件未使用“导电侧壁”这一术语，但其“外部终端”在部件外围形成覆盖，实质上构成了“布置在外围上的至少一个导电侧壁”，并实现了两侧电路元件的电耦合。本领域技术人员能够合理推断出这一技术方案。<br>2. **第一电容器的层结构**：对比文件图6及相应描述公开了薄膜电容器包括第一导电电极层602（相当于第一内部导电层）、介电层606（相当于第一介电层）和第二导电电极层604（相当于第一中间导电层）。这些层形成在基底上，第一电极层602与基底表面接触。该结构与本特征中第一电容器的层结构相同。结合上述，第一电容器是电路元件第一子集的一部分。因此，技术特征D的全部内容被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征E：所述绝缘体包括玻璃** <br>《直接公开》 | 对比文件说明书：[0087] “第一和第二基底104和106优选地由一种或多种绝缘陶瓷或非陶瓷材料形成，该材料包括但不局限于玻璃...” | 对比文件明确将玻璃列为绝缘基底材料的示例之一。因此，“绝缘体包括玻璃”这一技术特征被直接公开。 |
| **技术特征F：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。** <br>《直接公开》 | 对比文件说明书：[0088] “第一和第二基底104和106的长度和宽度尺寸可基本相同，第一和第二基底104和106的厚度可以相同或者它们可以变化...在各种示范性实施例中，基底104和106的厚度在一个实施例中在约0.1-1.0mm之间...” <br> 薄膜电路通常以薄膜技术形成，其厚度（包括导电层、介电层等）远小于基底厚度。例如，[0091]提及导电焊盘厚度在约1-50微米范围，远小于基底0.1-1.0mm（100-1000微米）的厚度。图6等附图也显示了基底厚度明显大于内部的薄膜电路层。 | 对比文件公开了绝缘基底（104,106）具有特定的厚度（例如0.1-1.0mm），而形成在基底表面的薄膜电路（包含电容器、电感器等电路元件）采用薄膜技术，其整体厚度（通常在微米级）远小于基底厚度。本领域技术人员能够毫无疑义地得出绝缘体（基底）的厚度大于布置在其表面的电路元件子集的厚度。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征G：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。** <br>《隐含公开》 | 对比文件说明书：[0084] “可以期望在其它场合具有包括某些无源部件的组合以提供其它电路功能的非常小的设备，例如包括低通电磁干扰(EMI)以及射频干扰(RFI)滤波的各种场合的滤波电路。” <br> [0112] “多个无源部件的网络和/或滤波器可包括元件的无端口组合。一个特定的示例参考图9-14所进行的示出和讨论。” <br> 图9-11及对应描述公开了具体的薄膜滤波器电路900。 | 对比文件明确公开了其薄膜电路可以构造为滤波器电路（例如低通滤波器）。虽然对比文件没有明确记载一个子集滤波低频带、另一个子集滤波高频带且高频带高于低频带的具体安排，但是，将滤波器功能分配到双面电路的不同侧，并使其分别处理不同频带（例如一个处理低频带，另一个处理高频带）是本领域技术人员在面临需要处理多个频带的滤波需求时，基于对比文件公开的双面电路布局（图2A-2C）和滤波器功能，能够进行的常规设计和合理推断。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征H：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器** <br>《直接公开》 | 对比文件说明书：[0110] 关于图7的电感器700：“形成在第一和第二基底104和106之间的薄膜电路总体上包括第一和第二导电层以及中间绝缘层706。第一导电层形成为限定第一导电螺旋702以及第一导电焊盘112。” <br> 图7明确示出了螺旋电感器作为薄膜电路的一部分。结合图2A-2C，电感器可以作为薄膜电路102或132的一部分布置在基底表面。 | 对比文件公开了薄膜电路可以包括电感器（如图7的螺旋电感器）。结合技术特征B和C的论述，当电感器作为薄膜电路的一部分布置在基础基底（第一表面）上时，即公开了“电路元件的第一子集还包括第一电感器”。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征I：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。** <br>《隐含公开》 | **关于第二子集包括第二电感和第二电容：** <br> [0100] 第二薄膜电路132形成在第二表面上，其同样可以包含电感器和电容器。[0110] 图7示出了电感器。[0108] 图6示出了电容器。<br><br>**关于电感值和电容值的比较：** 对比文件未明确记载两侧电感器和电容器的具体参数比较。 | 对比文件公开了电路元件的第二子集（如薄膜电路132）可以包括电感器和电容器（第二电感器和第二电容器）。虽然对比文件没有明确记载第二电感器的电感比第一电感器低，以及第二电容器的电容比第一电容器低，但是，在双面电路布局中，为了优化性能（如减小串扰、适应不同频带）和利用空间，本领域技术人员在设计用于不同频带（如特征G隐含的滤波功能）的电路时，有动机根据频率高低来选择合适的元件参数。通常，处理较高频率的电路会使用电感值和电容值较小的元件。因此，基于对比文件公开的双面电路和滤波器应用，本领域技术人员能够合理推断出第二子集可能包含电感更低、电容更小的元件。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征J：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。** <br>《直接公开》 | 对比文件说明书：[0110] 关于图7：“形成在第一和第二基底104和106之间的薄膜电路总体上包括第一和第二导电层以及中间绝缘层706。第一导电层形成为限定第一导电螺旋702以及第一导电焊盘112。第二导电层形成为限定第二导电螺旋704以及第二导电焊盘114。” <br> 附图7清晰地显示了螺旋形状的电感器。 | 对比文件图7及相应描述明确公开了电感器是螺旋电感器。当这样的螺旋电感器分别布置在第一和第二表面时，即对应于第一螺旋电感器和第二螺旋电感器。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征K：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层** <br>《隐含公开》 | 对比文件说明书：[0110] 关于图7的电感器700：“形成在第一和第二基底104和106之间的薄膜电路总体上包括第一和第二导电层以及中间绝缘层706。第一导电层形成为限定第一导电螺旋702以及第一导电焊盘112。第二导电层形成为限定第二导电螺旋704以及第二导电焊盘114。绝缘层706可形成为限定通孔或者开口708，以通过其连接第一和第二导电螺旋702和704。” <br> 该描述表明电感器由多层导电层（第一和第二导电层）以及中间的绝缘层构成，并通过通孔连接。 | 对比文件公开了螺旋电感器由多层导电层和中间绝缘层构成。虽然未使用“内部导电子层”、“绝缘子层”、“外部导电子层”等具体术语，也未明确提及“中间绝缘体”，但其描述的多层结构（导电层-绝缘层-导电层）以及通过通孔连接的方式，与本特征中电感器的层状结构在功能和构造上实质相同。本领域技术人员能够从对比文件公开的“第一导电层”、“绝缘层706”和“第二导电层”的结构中，合理推断出“内部导电子层”、“绝缘子层”、“外部导电子层”这样的层状构成。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征L：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br>《隐含公开》 | 同技术特征K的引用。图7中的第二导电螺旋704同样是多层结构的一部分。 | 理由同技术特征K。对比文件公开的第二电感器（第二导电螺旋704）同样是多层导电层和绝缘层结构的一部分。本领域技术人员能够合理推断出其具有类似的层状结构。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征M：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。** <br>《隐含公开》 | 对比文件说明书：[0108] 关于图6的电容器600：“形成在第一和第二基底104和106之间的薄膜电路包括第一和第二导电电极层602和604以及插入其中的介电层606。” <br> 该结构可以形成在任一层基底表面。结合[0100]，第二薄膜电路132可以包含这样的电容器结构。 | 对比文件图6公开了电容器的基本层结构：导电电极层（相当于内部导电层）、介电层、另一导电电极层（相当于中间导电层）。当这样的电容器结构作为第二薄膜电路（电路元件的第二子集）的一部分，形成在第二表面（如盖子基底106表面）上时，其第一电极层必然与第二表面接触。因此，该电容器的层结构与本特征中“第二电容器”的层结构相同。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征N：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层** <br>《隐含公开》 | 同技术特征K的引用。 | 此特征与技术特征K的描述完全相同。基于相同的理由，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征O：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br>《隐含公开》 | 同技术特征L的引用。 | 此特征与技术特征L的描述完全相同。基于相同的理由，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征P：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器** <br>《隐含公开》 | 对比文件说明书：[0110] 关于图7：“绝缘层706可形成为限定通孔或者开口708，以通过其连接第一和第二导电螺旋702和704。” <br> 虽然此通孔用于连接同一电感器的不同螺旋层，但其公开了在绝缘层中形成通孔以实现电连接的概念。对比文件的薄膜电路可以集成电感和电容（如图9的滤波器），连接它们需要互联结构。 | 对比文件公开了在绝缘层中形成通孔（708）用于电连接。虽然图7的通孔用于连接电感器自身的不同层，但本领域技术人员知晓，在集成了电感器和电容器的电路中（如对比文件图9的滤波器），需要通过过孔等互联结构将不同元件耦合。结合对比文件已公开的“中间绝缘体”（如粘合剂层、介电层）和双面布局，本领域技术人员能够合理推断，为了将布置在第一表面的电感器与同样在第一表面的电容器耦合，可以在相应的绝缘层（第一中间绝缘体）中布置过孔。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征Q：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。** <br>《隐含公开》 | 同技术特征P的引用及推理。 | 理由同技术特征P。对于布置在第二表面的电路元件第二子集，本领域技术人员同样能够合理推断，为了将其中的电感器与电容器耦合，可以在相应的绝缘层（第二中间绝缘体）中布置过孔。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征R：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集** <br>《隐含公开》 | 对比文件说明书：[0094] “第一和第二外部终端120和122形成在部件100的外围，并且与每个导电焊盘112和114直接电连接。” <br> [0103] “第一和第二外部终端120和122形成在部件200的外围上，与每个导电焊盘112、114、138和140直接电连接。” <br> [0214] 图10,11示出了具有多个外部终端（922,924,926,928等）的滤波器部件，这些终端具有特定功能（如输入、输出、接地）。 | 对比文件公开了在部件外围形成具有特定功能的外部终端（如输入、输出、接地终端）。虽然未明确命名为“低频带接触表面”，但本领域技术人员在将对比文件的电路应用于多路复用或滤波场景时（如特征G所述），能够合理地将连接至处理低频带电路（第一子集）的外围终端分配或定义为“低频带接触表面”。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征S：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集** <br>《隐含公开》 | 同技术特征R的引用及推理。 | 理由同技术特征R。本领域技术人员能够合理地将连接至处理高频带电路（第二子集）的外围终端分配或定义为“高频带接触表面”。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征T：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。** <br>《隐含公开》 | 对比文件说明书：[0214] 图10,11示出了滤波器部件的输入/输出终端。在无线通信应用中，滤波器通常连接天线。 | 对比文件公开了具有输入/输出功能的终端。在目标专利的上下文中，天线端子用于连接天线。虽然对比文件未明确记载“天线接触表面”，但本领域技术人员知晓，在无线通信滤波器中，会有一个端口用于连接天线。基于对比文件公开的多端子滤波电路（如图10,11），本领域技术人员能够合理推断其中一个终端可以被配置为连接天线，即“天线接触表面”。该特征被隐含公开。 |
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