对比文件名称：发明申请_WO2004004946A1 金型の製造方法
目标专利名称：双侧电路
本次调用的模型名称：gpt-4
特征比对表格：
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A: 绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围 《直接公开》 | [0006] “准备基板...该基板具有第一主面和第二主面。” [0010] “在基板的第一主面上形成第一模具部分...在基板的第二主面上形成第二模具部分...” [0011] “设置导电侧壁，覆盖基板的侧面（外围）...” | 对比文件[0006]、[0010]、[0011]明确公开了“基板”，其具有第一主面和第二主面（即第一表面和第二表面），以及被导电侧壁覆盖的“侧面”（即外围）。该基板在对比文件中起到支撑和分隔第一、第二模具部分的结构性作用，与目标专利中绝缘体作为承载电路元件并分隔两个电路子集的结构性作用相同。因此，技术特征A被直接公开。 |
| B: 电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上 《未公开》 | [0010] “在基板的第一主面上形成第一模具部分...” | 对比文件[0010]公开了在基板第一主面上布置“第一模具部分”。然而，“第一模具部分”是用于形成产品（如半导体器件）的模具结构，其功能是成型而非电路功能（如滤波、耦合信号）。目标专利说明书[0024]明确指出“电路元件的第一子集...均包括...多个无源电部件（例如电容器和电感器）”，用于构成多路复用器等电路。两者在结构、功能和技术领域上存在本质区别。因此，对比文件未公开“电路元件的第一子集”这一技术特征。 |
| C: 电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上 《未公开》 | [0010] “...在基板的第二主面上形成第二模具部分。” | 同理，对比文件[0010]公开了在基板第二主面上布置“第二模具部分”。但“第二模具部分”是模具结构，并非目标专利所定义的用于实现电路功能的“电路元件的第二子集”。因此，该技术特征未被公开。 |
| D: 至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集 《隐含公开》 | [0011] “设置导电侧壁，覆盖基板的侧面...该导电侧壁电连接第一模具部分和第二模具部分。” | 对比文件[0011]明确公开了布置在基板侧面（外围）上的导电侧壁，并且该导电侧壁电连接了第一模具部分和第二模具部分。虽然对比文件连接的是“模具部分”而非“电路元件”，但“模具部分”是布置在基板两表面的元件，导电侧壁起到了在物理上分隔的两组元件之间建立电连接的作用。从宽松的隐含公开标准判断，本领域技术人员可以合理推断，如果需要在基板两表面上的两组“电路元件”之间建立电连接，采用对比文件中公开的、布置在外围并连接两侧元件的“导电侧壁”是显而易见的一种手段。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| E: 所述绝缘体包括玻璃 《直接公开》 | [0007] “基板例如由玻璃或蓝宝石形成。” | 对比文件[0007]明确列举了基板的材料包括玻璃。该基板在对比文件中作为支撑模具部分的基础，其材料选择（如玻璃）提供了绝缘性和机械支撑，这与目标专利中绝缘体（例如玻璃）的作用是类似的。因此，技术特征E被直接公开。 |
| F: 所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件未提及基板（绝缘体）的厚度与第一模具部分、第二模具部分（或任何电路元件）的厚度之间的关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| G: 所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件涉及模具制造方法，其“模具部分”不具备任何信号滤波功能，更未提及对不同频带（尤其是高低频带）进行滤波。因此，该技术特征未被公开。 |
| H: 所述电路元件的第一子集还包括第一电感器 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件全文未提及任何电感器或具有电感功能的元件。因此，该技术特征未被公开。 |
| I: 所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件既未公开电感器，也未公开电容器，更未公开它们之间电感值、电容值的相对关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| J: 所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件未公开任何电感器，自然也未公开螺旋电感器。因此，该技术特征未被公开。 |
| K: 所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件未公开任何电感器，更未公开电感器由多层导电子层和绝缘子层构成的具体结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| L: 以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 同上，对比文件未公开任何电感器及其多层结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| M: 所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件未公开任何电容器，更未公开电容器由内部导电层、介电层、中间导电层构成的具体结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| N: 所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 此特征与特征K实质相同，对比文件未公开。因此，该技术特征未被公开。 |
| O: 以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 此特征与特征L实质相同，对比文件未公开。因此，该技术特征未被公开。 |
| P: 一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件未公开电感器、电容器及其中间绝缘体，自然也未公开用于连接它们的过孔。因此，该技术特征未被公开。 |
| Q: 以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 同上，对比文件未公开相关元件和结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| R: 所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 对比文件中的导电侧壁仅用于电连接两个模具部分，并未被描述或用作与外部电路（如低频带信号源）连接的“接触表面”或端子。目标专利的“低频带接触表面”是特定的电路接口，对比文件未公开此功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| S: 高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 同上，对比文件未将导电侧壁用作“高频带接触表面”。因此，该技术特征未被公开。 |
| T: 以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线 《未公开》 | 未找到相关记载。 | 同上，对比文件未将导电侧壁用作连接天线的“天线接触表面”。因此，该技术特征未被公开。 |
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