对比文件的名称：发明专利_JP2014107653A Common mode noise filter
目标专利的名称：双侧电路
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围**<br>**《直接公开》** | [0011] 本発明の請求項１に記載の発明は、積層体と、前記積層体の表面に形成された第１〜第４の外部電極と、前記積層体を構成し上下方向に積層された複数の絶縁体層と...<br>译：本发明权利要求1记载的发明，包括积层体、形成于该积层体表面的第1~第4外部电极、以及构成该积层体并在上下方向上层叠的多个绝缘体层...<br>[2] 図１は本発明の実施の形態１におけるコモンモードノイズフィルタの分解斜視図、図２は同コモンモードノイズフィルタの斜視図である。<br>译：图1是本发明实施方式1中的共模噪声滤波器的分解立体图，图2是该共模噪声滤波器的立体图。 | 对比文件公开了“积层体11”（参见图1，图2），该积层体由多个绝缘体层13a-13i堆叠构成，其必然具有最上方的第一表面、最下方的第二表面以及连接上下的侧面（外围）。这与目标专利的“绝缘体”具有相同的物理结构。虽然在目标专利中绝缘体是承载双面电路的单一体，而在对比文件中是一个多层堆叠的复合体（积层体），但该积层体作为一个整体，其外部的“第一表面”、“第二表面”和“外围”是本领域技术人员能够毫无疑义地确定的。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上**<br>**《直接公开》** | [2] 第１のコイル導体１４は第１の絶縁体層１３ａの上面、第２のコイル導体１５は第４の絶縁体層１３ｄの上面、第３のコイル導体１７は第５の絶縁体層１３ｅの上面、第４のコイル導体１８は第８の絶縁体層１３ｈの上面にそれぞれ形成されている。<br>译：第一线圈导体14形成于第一绝缘体层13a的上面，第二线圈导体15形成于第四绝缘体层13d的上面，第三线圈导体17形成于第五绝缘体层13e的上面，第四线圈导体18形成于第八绝缘体层13h的上面。<br>[2] 第１のコンデンサ電極２０は第２の絶縁体層１３ｂの上面に、第２のコンデンサ電極２１は第３の絶縁体層１３ｃの上面に形成されている。<br>译：第一电容器电极20形成于第二绝缘体层13b的上面，第二电容器电极21形成于第三绝缘体层13c的上面。 | 对比文件中的积层体由多个绝缘体层堆叠而成，其最上方的绝缘体层（例如第1层13a）的上表面即可视为积层体的“第一表面”。在该“第一表面”所在的层（及其附近的层，如13a, 13b, 13c, 13d）上，布置有第一线圈导体14、第二线圈导体15、第一电容器电极20、第二电容器电极21等电路元件，这些元件共同构成了一个电路网络（如第一线圈16、第一电容器26）。这些元件虽然分布在不同的层上，但这些层都属于积层体“第一表面”一侧的区域，本领域技术人员可以理解它们构成了布置在“第一表面上”的电路元件子集。因此，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上**<br>**《直接公开》** | [2] 第３のコイル導体１７は第５の絶縁体層１３ｅの上面、第４のコイル導体１８は第８の絶縁体層１３ｈの上面にそれぞれ形成されている。<br>译：第三线圈导体17形成于第五绝缘体层13e的上面，第四线圈导体18形成于第八绝缘体层13h的上面。<br>[2] 第３のコンデンサ電極２２は第６の絶縁体層１３ｆの上面に、第４のコンデンサ電極２３は第７の絶縁体層１３ｇの上面に形成されている。<br>译：第三电容器电极22形成于第六绝缘体层13f的上面，第四电容器电极23形成于第七绝缘体层13g的上面。 | 同理，对比文件积层体的最下方的绝缘体层（例如第9层13i）的下表面可视为积层体的“第二表面”。在该“第二表面”所在的层（及其附近的层，如13e, 13f, 13g, 13h）上，布置有第三线圈导体17、第四线圈导体18、第三电容器电极22、第四电容器电极23等电路元件，这些元件共同构成了另一个电路网络（如第二线圈19、第二电容器27）。这些元件构成了布置在“第二表面上”的电路元件子集。因此，技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。**<br>**《直接公开》**<br>**（关于导电侧壁及其电耦合功能）**<br>**《隐含公开》**<br>**（关于第一电容器的具体层叠结构）** | **[关于导电侧壁及电耦合]**<br>[0011] ...前記積層体の表面に形成された第１〜第４の外部電極...<br>译：...形成于所述积层体表面的第1~第4外部电极...<br>[2] この積層体１１の両側面には、第１〜第４の外部電極１２ａ〜１２ｄが設けられ、第１の外部電極１２ａは第２のコイル導体１５、第２の外部電極１２ｂは第３のコイル導体１７、第３の外部電極１２ｃは第１のコイル導体１４、第４の外部電極１２ｄは第４のコイル導体１８の各一端部とそれぞれ接続されている。<br>译：在该积层体11的两侧面，设有第1~第4外部电极12a~12d，第1外部电极12a与第二线圈导体15、第2外部电极12b与第三线圈导体17、第3外部电极12c与第一线圈导体14、第4外部电极12d与第四线圈导体18的各自一端部分别连接。<br>**[关于电容器结构]**<br>[2] 第１のコンデンサ電極２０は第２の絶縁体層１３ｂの上面に、第２のコンデンサ電極２１は第３の絶縁体層１３ｃの上面に形成されている。<br>译：第一电容器电极20形成于第二绝缘体层13b的上面，第二电容器电极21形成于第三绝缘体层13c的上面。<br>[2] 第１のコンデンサ電極２０と第２のコンデンサ電極２１は、互いに隣接し対向しているため、第１のコンデンサ電極２０と第２のコンデンサ電極２１とで第１のコンデンサ２６が構成される。<br>译：第一电容器电极20和第二电容器电极21由于彼此相邻且对向，因此由第一电容器电极20和第二电容器电极21构成第一电容器26。 | **关于导电侧壁及其电耦合功能：** 对比文件明确公开了在积层体（相当于绝缘体）的侧面（即外围）上布置有多个外部电极（12a-12d），这些外部电极即为“导电侧壁”。这些外部电极连接了布置在积层体不同层（即第一表面侧和第二表面侧）上的电路元件（例如，电极12a连接第二线圈导体15，电极12b连接第三线圈导体17），从而将这些电路元件电耦合在一起，构成了完整的滤波电路。因此，导电侧壁及其电耦合功能被直接公开。<br>**关于第一电容器的具体层叠结构：** 对比文件公开了第一电容器26由第一电容器电极20和第二电容器电极21构成，它们分别形成于相邻的绝缘体层13b和13c的表面上。这种结构必然隐含了“与绝缘体层（相当于绝缘体的一部分）接触的导电层（电极20或21）”、“与导电层接触的介电层（绝缘体层13b或13c的材料本身起到介电作用）”、“与介电层接触的另一导电层（电极21或20）”的层叠关系。虽然目标专利强调“与绝缘体的第一表面接触”，而对比文件的电容器是内埋在多层结构内部的，但本领域技术人员可以理解，在多层结构中，位于特定层上的电极与该层的表面是接触的，且该层的材料作为介电层。因此，对比文件隐含公开了该电容器的基本层叠结构特征。 |
| **技术特征E：所述绝缘体包括玻璃**<br>**《直接公开》** | [2] 第２、第３、第５、第７、第８の絶縁体層１３ｂ、１３ｃ、１３ｅ、１３ｇ、１３ｈは、Ｃｕ−Ｚｎ系セラミック、ガラスセラミック等の非磁性材料によりシート状に構成され...<br>译：第2、第3、第5、第7、第8的绝缘体层13b、13c、13e、13g、13h，由Cu-Zn系陶瓷、玻璃陶瓷等非磁性材料构成片状... | 对比文件明确公开了构成积层体（绝缘体）的部分绝缘体层（例如13b, 13c等）的材料包括“玻璃陶瓷”。玻璃陶瓷是含有玻璃相和结晶相的材料，属于玻璃材料的一种。因此，技术特征E被直接公开。 |
| **技术特征F：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。**<br>**《隐含公开》** | [2] 第１〜第９の絶縁体層１３ａ〜１３ｉは、下からこの順に積層され...<br>译：第1~第9的绝缘体层13a~13i，从下开始按此顺序层叠...<br>[2] 第１のコンデンサ電極２０は第２の絶縁体層１３ｂの上面に、第２のコンデンサ電極２１は第３の絶縁体層１３ｃの上面に形成されている。<br>译：第一电容器电极20形成于第二绝缘体层13b的上面，第二电容器电极21形成于第三绝缘体层13c的上面。 | 对比文件公开的积层体由多层（例如9层）绝缘体层堆叠而成，其总厚度（绝缘体厚度）是各单层厚度的总和。而电路元件（如线圈导体、电容器电极）是形成在单层绝缘体层的表面上，其厚度（如通过印刷、电镀形成的金属层厚度）通常远小于单层绝缘体层的厚度，更远小于多层堆叠的总厚度。本领域技术人员根据多层陶瓷器件（MLCC、LTCC等）的常规知识，可以毫无疑义地推断出，作为承载基体的整个积层体的厚度必然大于形成在其任一单层表面上的电路元件（或其子集）的厚度。因此，技术特征F被隐含公开。 |
| **技术特征G：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。**<br>**《直接公开》** | [0007] 特に携帯電話では、通信に使われる周波数帯のノイズ、特に８００〜９００ＭＨｚ帯のノイズを除去することが望まれているとともに、近年通信周波数帯の増加により８００ＭＨｚ帯〜２ＧＨｚ帯近傍の広い帯域に対しても...<br>译：特别是在移动电话中，期望除去通信所用频带的噪声，尤其是800~900MHz频带的噪声，同时由于近年通信频带的增加，对于800MHz频带~2GHz频带附近的宽频带也...<br>[2] コモンモード減衰量の８００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの減衰極は、第２のコイル導体１５および第３のコイル導体１７で形成されるコモンモードフィルタ部によるものであり、並列共振回路による減衰極は、２ＧＨｚにおいて...<br>译：共模衰减量的800MHz~1GHz的衰减极点，是由第二线圈导体15和第三线圈导体17形成的共模滤波器部导致的，而由并联谐振电路导致的衰减极点，在2GHz处... | 对比文件明确其发明应用于移动电话等设备，需要滤除800MHz~2GHz的噪声。具体在实施方式中，公开了由第二、第三线圈导体（15, 17）形成的共模滤波器部在800MHz~1GHz产生衰减极点（对应第一频带滤波），而由包含第一、第四线圈导体（14, 18）等的并联谐振电路在2GHz产生衰减极点（对应第二频带滤波）。第二频带（2GHz）明显高于第一频带（800MHz~1GHz）。因此，技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器**<br>**《直接公开》** | [2] ...第１のコイル導体１４および第２のコイル導体１５からなる第１のコイル１６と...<br>译：...由第一线圈导体14以及第二线圈导体15构成的第一线圈16...<br>[2] 第１のコイル１６および第２のコイル１９が差動線路となる。<br>译：第一线圈16以及第二线圈19成为差动线路。 | 对比文件明确公开了电路包含“第一线圈16”，该线圈由线圈导体14和15连接构成，是一个电感元件。该第一线圈16位于积层体上部（第一表面侧），属于电路元件第一子集的一部分。因此，技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。**<br>**《隐含公开》** | [0011] ...第１〜第４のコイル導体間でそれぞれ生じる磁気結合を、第１〜第４のコンデンサ電極によって低減できるため、第２、第３のコイル導体からなるコモンモードフィルタ部や第１のコイル導体、あるいは第４のコイル導体を含む並列共振回路の特性を独立して調整することができ...<br>译：...能够通过第1~第4电容器电极来减少在第1~第4线圈导体间分别产生的磁耦合，因此能够独立地调整由第2、第3线圈导体构成的共模滤波器部、或者包含第1线圈导体或第4线圈导体的并联谐振回路的特性...<br>[2] 第１のコイル導体１４と第１のコンデンサ２６による並列共振回路、および第４のコイル導体１８と第２のコンデンサ２７による並列共振回路の共振周波数を携帯電話の主要通信周波数帯２ＧＨｚに設定できるように、第１、第４のコイル導体１４、１８および第１〜第４のコンデンサ電極２０〜２３の形状、大きさ、巻き数等を調整している。<br>译：为了能够将第一线圈导体14与第一电容器26的并联谐振回路、以及第四线圈导体18与第二电容器27的并联谐振回路的谐振频率设定在移动电话的主要通信频带2GHz，对第一、第四线圈导体14、18以及第1~第4电容器电极20~23的形状、大小、匝数等进行调整。 | 对比文件公开了需要独立调整不同部分（共模滤波器部和并联谐振回路）的特性，并具体提到通过调整线圈导体（电感）和电容器电极（电容）的“形状、大小、匝数等”来设定不同的谐振频率（例如2GHz）。为了使位于第二表面侧的并联谐振回路（包含第四线圈导体18和第二电容器27）的谐振频率达到较高的2GHz（相对于第一表面侧共模滤波器部的800MHz~1GHz），本领域技术人员根据LC谐振频率公式（f=1/(2π√LC)）可以毫无疑义地推导出，在目标频率更高的情况下，通常需要更小的电感值（L）和/或更小的电容值（C）。因此，为了实现所公开的2GHz谐振频率，第二电感器（第四线圈导体18所属线圈）的电感值必然小于第一电感器（第一线圈导体14所属线圈）的电感值，第二电容器（27）的电容值也必然小于第一电容器（26）的电容值。这是一种隐含的技术方案。因此，技术特征I被隐含公开。 |
| **技术特征J：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。**<br>**《直接公开》** | [2] さらに、前記第１〜第４のコイル導体１４、１５、１７、１８は、それぞれ銀等の導電材料を渦巻状にめっきまたは印刷することにより形成されている。<br>译：此外，所述第1~第4线圈导体14, 15, 17, 18，分别通过将银等导电材料以涡卷状电镀或印刷而形成。<br>[2] なお、第１〜第４のコイル導体１４、１５、１７、１８は、渦巻き状ではなく、螺旋状等であってもよい。<br>译：另外，第1~第4线圈导体14, 15, 17, 18，也可以不是涡卷状，而是螺旋状等。 | 对比文件明确公开了线圈导体（14, 15, 17, 18）是“涡卷状”或“螺旋状”形成的，这直接对应于“螺旋电感器”。第一电感器（第一线圈16）由线圈导体14和15构成，第二电感器（第二线圈19）由线圈导体17和18构成，因此两者都是螺旋电感器。技术特征J被直接公开。 |
| **技术特征K：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层**<br>**以及**<br>**技术特征L：所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。**<br>**《隐含公开》** | [2] 第１のコイル導体１４は第１の絶縁体層１３ａの上面、第２のコイル導体１５は第４の絶縁体層１３ｄの上面、第３のコイル導体１７は第５の絶縁体層１３ｅの上面、第４のコイル導体１８は第８の絶縁体層１３ｈの上面にそれぞれ形成されている。<br>译：第一线圈导体14形成于第一绝缘体层13a的上面，第二线圈导体15形成于第四绝缘体层13d的上面，第三线圈导体17形成于第五绝缘体层13e的上面，第四线圈导体18形成于第八绝缘体层13h的上面。<br>[2] また、第１のコイル導体１４と第２のコイル導体１５とは、第２〜第４の絶縁体層１３ｂ〜１３ｄにそれぞれ形成された第１のビア電極２４を介して互いに接続され、第１のコイル１６が構成される。<br>译：另外，第一线圈导体14和第二线圈导体15，通过在第2~第4绝缘体层13b~13d上分别形成的第一过孔电极24相互连接，构成第一线圈16。 | 对比文件公开了第一线圈16由位于不同层（13a和13d）的两个线圈导体（14和15）通过过孔电极24连接构成。本领域技术人员可以理解，在多层陶瓷工艺中，为了形成完整的螺旋电感，通常需要将位于不同层的平面螺旋导体通过垂直的过孔（via）连接起来，从而形成三维螺旋结构。这种结构必然包含：位于某一层（如13a）的导体（相当于内部导电子层）、覆盖该导体的绝缘层（13a本身或后续层，相当于绝缘子层）、以及位于另一层（如13d）并通过过孔连接的导体（相当于外部导电子层）。虽然对比文件未明确使用“内部导电子层”、“绝缘子层”、“外部导电子层”的术语，也未明确“中间绝缘体”的概念（但多层绝缘体层堆叠的整体可视为中间绝缘体），但根据其公开的多层连接结构，本领域技术人员能够合理推断出这种用于构建螺旋电感器的多层导体-绝缘体交替层叠的通用技术方案。因此，技术特征K和L被隐含公开。 |
| **技术特征M：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。**<br>**《隐含公开》** | [2] 第３のコンデンサ電極２２は第６の絶縁体層１３ｆの上面に、第４のコンデンサ電極２３は第７の絶縁体層１３ｇの上面に形成されている。<br>译：第三电容器电极22形成于第六绝缘体层13f的上面，第四电容器电极23形成于第七绝缘体层13g的上面。<br>[2] 第３のコンデンサ電極２２と第４のコンデンサ電極２３は、互いに隣接し対向しているため、第３のコンデンサ電極２２と第４のコンデンサ電極２３とで第２のコンデンサ２７が構成される。<br>译：第三电容器电极22和第四电容器电极23由于彼此相邻且对向，因此由第三电容器电极22和第四电容器电极23构成第二电容器27。 | 与对技术特征D中第一电容器的分析类似，对比文件公开了第二电容器27由第三电容器电极22和第四电容器电极23构成，它们分别形成于相邻的绝缘体层13f和13g的表面上。这种结构必然隐含了“与绝缘体层（相当于绝缘体的一部分）接触的导电层（电极22或23）”、“与导电层接触的介电层（绝缘体层13f或13g的材料本身）”、“与介电层接触的另一导电层（电极23或22）”的层叠关系。第二电容器位于积层体下部（第二表面侧）。因此，技术特征M被隐含公开。 |
| **技术特征N：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层**<br>**以及**<br>**技术特征O：所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。**<br>**《隐含公开》** | （同技术特征K、L的引用） | （同技术特征K、L的论述）技术特征N、O与技术特征K、L的文字描述完全相同，是基于同一技术事实的判断。因此，技术特征N和O同样被隐含公开。 |
| **技术特征P：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器**<br>**以及**<br>**技术特征Q：一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。**<br>**《直接公开》** | [2] また、第１のコンデンサ電極２０は第１のビア電極２４と接続、すなわち、第１のコイル導体１４と第２のコイル導体１５との接続部に接続され...<br>译：另外，第一电容器电极20与第一过孔电极24连接，即，连接到第一线圈导体14与第二线圈导体15的连接部...<br>[2] そしてまた、第４のコンデンサ電極２３は第２のビア電極２５と接続、すなわち、第３のコイル導体１７と第５のコイル導体１８との接続部に接続され...<br>译：并且，第四电容器电极23与第二过孔电极25连接，即，连接到第三线圈导体17与第五线圈导体18的连接部... | 对比文件明确公开了“第一过孔电极24”布置在绝缘体层（13b-13d）中，并且将第一电容器电极20连接到了第一线圈导体14与第二线圈导体15的连接部（即第一电感器16的一部分）。这实现了将第一电容器耦合至第一电感器的连接。同样，公开了“第二过孔电极25”布置在绝缘体层（13f-13h）中，并且将第四电容器电极23连接到了第三线圈导体17与第四线圈导体18的连接部（即第二电感器19的一部分）。这实现了将第二电容器耦合至第二电感器的连接。因此，技术特征P和Q被直接公开。 |
| **技术特征R：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集**<br>**《直接公开》** | [2] この積層体１１の両側面には、第１〜第４の外部電極１２ａ〜１２ｄが設けられ、第１の外部電極１２ａは第２のコイル導体１５...<br>译：在该积层体11的两侧面，设有第1~第4外部电极12a~12d，第1外部电极12a与第二线圈导体15...<br>结合[2]中等效电路图（图3）和滤波功能描述，外部电极12a, 12b用于连接差动信号线，是信号输入端/输出端。 | 对比文件中的外部电极12a-12d是布置在积层体（绝缘体）外围的导电侧壁。这些外部电极作为电路的接触端子（电路接触表面）。根据对比文件的电路功能和连接关系（图3），外部电极12a和12b连接到包含第一线圈导体14、15等的第一子集电路（差动线路的一部分）。虽然没有明确使用“低频带”一词，但对比文件公开了其滤波器处理从800MHz开始的频带，且外部电极是信号端口，本领域技术人员能够理解这些端口必然与特定的滤波频带相关联。作为电耦合至第一子集的接触表面，它可以对应于“低频带接触表面”。因此，技术特征R被直接公开。 |
| **技术特征S：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集**<br>**《直接公开》** | [2] ...第２の外部電極１２ｂは第３のコイル導体１７...第４の外部電極１２ｄは第４のコイル導体１８の各一端部とそれぞれ接続されている。<br>译：...第2外部电极12b与第三线圈导体17...第4外部电极12d与第四线圈导体18的各自一端部分别连接。 | 同理，外部电极12b和12d连接到包含第三线圈导体17、第四线圈导体18等的第二子集电路（差动线路的另一部分）。作为电耦合至第二子集的接触表面，它可以对应于“高频带接触表面”。因此，技术特征S被直接公开。 |
| **技术特征T：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。**<br>**《隐含公开》** | [2] 図３は、上記した本発明の実施の形態１におけるコモンモードノイズフィルタの等価回路図である。<br>译：图3是上述本发明实施方式1中的共模噪声滤波器的等效电路图。<br>（图3显示滤波器连接在两条差动信号线之间，外部电极12a, 12b, 12c, 12d是信号端口。） | 对比文件公开的共模噪声滤波器用于处理差动信号线上的噪声，其外部电极是信号线的连接点。在目标专利中，天线接触表面用于将滤波电路耦合至天线。虽然应用场景（差动数据线 vs. 天线）不同，但从电路连接功能上看，对比文件的外部电极起到了将内部滤波电路（包含第一子集和第二子集的元件）与外部线路（在目标专利中是天线，在对比文件中是差动信号线）电耦合的作用。本领域技术人员可以理解，这种用于信号输入/输出的接触表面，其功能是通用的。当将该滤波器用于射频前端时，这些接触表面自然可以用于耦合至天线。因此，技术特征T被隐含公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<J>>><<<P>>><<<Q>>><<<R>>><<<S>>>
<<<f>>><<<i>>><<<k>>><<<l>>><<<m>>><<<n>>><<<o>>><<<t>>>