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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括：衬底，包括具有顶表面的本体
B
FET器件，包括： 源极，设置在所述衬底中
C
漏极，设置在所述衬底中
D
以及 有源栅极，具有有源栅极宽度并且形成在所述源极与所述漏极之间
E
以及隔离结构，邻近所述FET器件设置在所述衬底中，所述隔离结构包括：扩散中断，邻近所述FET器件的所述源极和所述漏极中的一个设置在所述衬底中，其中所述源极和所述漏极中的邻近所述扩散中断的一个的深度大于所述源极和所述漏极中的不邻近所述扩散中断的一个的深度
F
以及伪栅极，具有伪栅极宽度并且邻近所述有源栅极形成在所述扩散中断上方，所述伪栅极宽度比所述有源栅极宽度小栅极宽度余裕。
权利要求 2
G
进一步包括：源极接触件，邻近所述有源栅极设置在所述源极上方
H
以及漏极接触件，邻近所述有源栅极设置在所述漏极上方，其中与所述源极和所述漏极中的邻近所述扩散中断的一个相对应的所述源极接触件和所述漏极接触件中的一个设置在所述有源栅极与所述伪栅极之间，并且与所述有源栅极隔开第一距离并且与所述伪栅极隔开第二距离，所述第二距离与所述第一距离相差隔离余裕，其中所述隔离余裕为所述栅极宽度余裕的一半。
权利要求 3
I
其中所述有源栅极宽度为十五(15)纳米(nm)
J
其中所述伪栅极宽度为十三(13)nm
K
以及其中所述隔离余裕为一(1)nm。
权利要求 4
L
其中所述有源栅极宽度为十八(18)纳米(nm)
M
其中所述伪栅极宽度为十四(14)nm
N
以及其中所述隔离余裕为两(2)nm。
权利要求 5
O
其中所述栅极宽度余裕为至少两(2)纳米(nm)。
权利要求 6
P
其中所述有源栅极宽度为十五(15)nm
Q
以及其中所述伪栅极宽度为十三(13)nm。
权利要求 7
R
其中所述有源栅极宽度为十七(17)nm
S
以及其中所述伪栅极宽度为十四(14)nm。
权利要求 8
T
其中所述栅极宽度余裕至少为四(4)纳米(nm)
U
以及其中所述有源栅极宽度为十八(18)nm。
权利要求 9
V
被集成到集成电路(IC)中。