**对比文件名称**：发明申请_US20150244064A1 COMMUNICATION TERMINAL DEVICE
**目标专利名称**：用于屏蔽无线功率发射器的装置和方法
**模型名称**：DeepSeek
根据目标专利权利要求的技术特征划分，结合对比文件内容，进行特征比对分析如下：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (翻译自原文) | 公开性论述 |
| **技术特征B**：《直接公开》<br>具有限定多个槽的形状，所述多个槽从所述第一金属片的周边向内延伸 | [0041] “冲孔部分5C设置在所述后金属体5上...冲孔部分5C具有与所述平面辐射导体7上的切口部分7C不同的形状。” <br> [0049] “...冲孔部分5C设置在所述后金属体5上...” <br> 参见图4C, 5A, 5B, 5C, 10C, 11A-C, 13C等图示，冲孔部分5C为从金属片（后金属体5）周边向内延伸的开口或缝隙。 | 目标专利的“第一金属片”是具有多个槽的金属片。对比文件中的“后金属体5”同样是一个金属片，其上的“冲孔部分(punched portion) 5C”实质上是贯穿金属片的开口，即“槽”。这些冲孔部分（槽）从后金属体5的周边向内延伸，如图4C、5A等所示。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出“具有限定多个槽的形状，所述多个槽从所述第一金属片的周边向内延伸”的技术方案。 |
| **技术特征C**：《隐含公开》<br>线圈，被配置为生成足以对负载充电或供电的磁场 | [0030] “馈电线圈81...连接到馈电电路。” <br> [0035] “当电流沿箭头方向流过馈电线圈81时...电流...流过平面辐射导体7。” <br> [0036] “流过馈电线圈81的电流...在后金属体5的冲孔部分5C附近感应出如箭头所示的电流。” | 目标专利的线圈用于生成磁场以进行无线功率传输并对负载充电/供电。对比文件的馈电线圈81连接至馈电电路9（参见图3），当电流通过时，其必然生成时变磁场（如[0035]所述该磁场在平面辐射导体7中感应出电流）。虽然对比文件明确的应用是RFID/NFC通信，但其线圈生成磁场是基本物理原理。本领域技术人员公知，用于通信的感应耦合同样依赖于线圈生成的交变磁场。因此，从对比文件公开的“生成磁场的线圈”可以合理推断出“被配置为生成磁场”的线圈。关于“足以对负载充电或供电”，虽然对比文件未明确说明功率等级，但本领域技术人员知晓，通过调整线圈参数和驱动电路，可以使线圈生成的磁场能量达到为小型设备（如RFID标签、NFC设备）供电的水平，这属于隐含的技术可能性。 |
| **技术特征D**：《直接公开》<br>所述多个槽被配置为至少部分地消除经由所述磁场在所述第一金属片中生成的涡流 | [0040] “冲孔部分5C...与至少一部分高电流密度区域相对，因此与没有在后金属体5上设置冲孔部分5C的情况相比，显著减少或防止了电流感应到后金属体5中。” <br> [0090] “...后金属体5的一部分被冲压掉，从而减少涡流损耗。以相同方式显著减少或防止在狭缝部分SL的内边缘部分和后金属体5的外边缘处产生的涡流损耗。” <br> [0091] “因此，根据本优选实施例，后金属体5不与平面辐射导体7的高电流密度区域相对。” | 目标专利中槽的作用是至少部分消除第一金属片中的涡流。对比文件明确记载了在后金属体5上设置冲孔部分（槽）的目的就是为了“显著减少或防止电流（即涡流）感应到后金属体5中”（[0040]），并直接指出该结构“减少涡流损耗”（[0090]）。其技术原理也是通过使金属体（第一金属片）避开高电流密度区域（即减少闭合回路）来减少感应涡流。因此，对比文件直接公开了“多个槽被配置为至少部分地消除经由磁场在所述第一金属片中生成的涡流”这一技术特征及其所起的作用。 |
| **技术特征E**：未被公开<br>所述多个槽中的第一槽和第二槽被配置为使得在所述第一槽的第一侧在第一方向上流动的涡流至少部分地被在所述第二槽的第二侧与所述第一方向相反地流动的涡流消除，其中所述第二槽的所述第二侧邻近所述第一槽的所述第一侧 | 对比文件未描述槽之间涡流方向的具体相互作用机制。 | 该特征限定了特定槽对之间涡流方向相反并相互抵消的精确物理配置和作用机制。对比文件虽然公开了设置槽可以减少涡流（特征D），但并未揭示或描述槽与槽之间涡流的具体流向及其相互抵消的因果关系。本领域技术人员无法从对比文件的内容中毫无疑义地得出或合理推断出这一具体的涡流消除实施方式。 |
| **技术特征F**：未被公开<br>所述第一槽和所述多个槽中的第三槽被配置为使得在所述第一槽的端部在第三方向上流动的涡流至少部分地被在所述第三槽的端部与所述第三方向相反地流动的涡流消除 | 对比文件未描述槽的端部之间涡流方向的具体相互作用机制。 | 该特征限定了特定槽的端部之间涡流方向相反并相互抵消的精确物理配置。与特征E类似，对比文件未涉及槽端部涡流行为的描述，更未公开端部涡流相互抵消的配置。本领域技术人员无法从对比文件的内容中得出或推断出这一具体技术方案。 |
| **技术特征G**：《直接公开》<br>进一步包括一个或多个铁氧体片 | [0030] “磁性体片6...是填充有铁氧体粉末的树脂成型产品或铁氧体板。” <br> [0034] “磁性体片6是...例如填充有铁氧体粉末的树脂成型产品或铁氧体板。” <br> 图2, 4B, 8等图示了磁性体片6的存在。 | 目标专利要求保护包括铁氧体片的装置。对比文件明确公开了“磁性体片(magnetic body sheet) 6”，并说明其可以是“铁氧体板(ferrite plate)”。该磁性体片6是装置的一个组成部分。因此，技术特征“进一步包括一个或多个铁氧体片”被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：未被公开<br>其中所述一个或多个铁氧体是放置在所述多个槽之上或之内的片 | 对比文件中的磁性体片6通常被描述为设置在平面辐射导体7和后金属体5之间（例如[0030], 图2），或与馈电线圈81集成在一起（图4B）。没有文字或图示表明铁氧体片被特意放置在冲孔部分（槽）的“之上或之内”。 | 该特征限定了铁氧体片与槽之间的特定位置关系。对比文件公开了铁氧体片（磁性体片6）的存在，但未公开其被布置在槽“之上或之内”。虽然在某些附图中（如图5B，其可能对应于不同实施例的描述），铁氧体材料可能出现在槽的区域，但说明书文字部分并未明确描述或教导这种特定的布置关系。本领域技术人员无法从对比文件中确定铁氧体片必须或通常被放置在槽内或槽上。 |
| **技术特征I**：《直接公开》<br>进一步包括第二金属片，其中所述第一金属片位于所述线圈的第一侧并且所述第二金属片位于所述线圈的第二侧 | [0030] “平面辐射导体7...、后金属体5...、馈电线圈81和磁性体片6设置在平面辐射导体7和后金属体5之间。” <br> 图2, 3, 4D等清晰地显示了层叠结构：平面辐射导体7（金属片）在一侧，馈电线圈81和磁性体片6在中间，后金属体5（带槽的第一金属片）在另一侧。 | 目标专利的装置包括位于线圈两侧的第一和第二金属片。对比文件明确公开了“平面辐射导体7”（其由金属制成，如铝，见[0029]）和“后金属体5”（带冲孔部分的金属片）。如图2、3、4D所示，馈电线圈81位于平面辐射导体7和后金属体5之间。因此，“第一金属片”（对应于后金属体5）位于线圈的一侧，“第二金属片”（对应于平面辐射导体7）位于线圈的另一侧。该特征被直接公开。 |
| **技术特征J**：《直接公开》<br>其中所述第二金属片包括全金属片 | [0029] “平面辐射导体7是铝成型产品。” <br> 图4A, 10A, 13A等显示平面辐射导体7是具有切口和狭缝的连续金属片，其本身未被图案化成多个独立的槽（除了为天线功能设计的特定切口7C和狭缝SL）。相对于后金属体5上的多个冲孔部分（槽），平面辐射导体7可被视为“全金属片”。 | 目标专利中“第二金属片”为全金属片。对比文件中的“平面辐射导体7”是一个完整的金属导体片（例如铝片），其具有为天线功能设计的特定切口（conductor opening CA）和狭缝（slit SL），但该结构不同于第一金属片（后金属体5）上分布的、用于消除涡流的多个槽。因此，平面辐射导体7符合“全金属片”的描述。该特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：未被公开<br>其中所述线圈包括沿着第一平面的线圈环，其中所述多个槽与所述线圈环的至少一部分重叠并且被配置为沿着所述第一平面垂直于所述线圈环 | [0042] “从图4B、4C和4D可以看出，优选地，后金属体5的冲孔部分5C在平面图中与馈电线圈81的线圈开口CW的内边缘的至少一部分重叠。” <br> 图4D显示冲孔部分5C与线圈开口CW的内边缘重叠，但并未显示槽（冲孔部分）被配置为“垂直于线圈环”。对比文件图5A所示的矩形冲孔部分5C延伸方向垂直于后金属体外边缘，但未提及与线圈环的方向关系。 | 该特征限定了槽与线圈环重叠且方向垂直的特定几何关系。对比文件虽然提到冲孔部分（槽）可以与线圈开口的内边缘重叠（[0042]），但并未公开槽被配置为“沿着第一平面垂直于所述线圈环”。线圈环的走向是二维的，对比文件未描述槽的方向与线圈环走向之间的垂直关系。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出这一具体的空间方位配置。 |
| **技术特征L**：未被公开<br>进一步包括位于所述第一金属片的第一侧的电介质片 | 对比文件说明书中未提及在所述后金属体（第一金属片）的任一侧设置电介质片。 | 该特征要求包括一个特定位置的电介质片。对比文件未公开任何电介质片（dielectric sheet）的存在。虽然装置中可能存在其他绝缘或间隔材料，但说明书中没有文字或图示表明存在一个明确称为“电介质片”且位于第一金属片第一侧的部件。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：《直接公开》<br>其中所述第一金属片位于所述线圈的第一侧 | 同特征I的引用。图2, 3, 4D等明确显示后金属体5（第一金属片）位于馈电线圈81的一侧（与平面辐射导体7相对的一侧）。 | 该特征限定了第一金属片相对于线圈的位置。对比文件的附图（如图2、3、4D）和文字描述清晰地表明，后金属体5（即第一金属片）位于馈电线圈81的一侧。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征N**：未被公开<br>进一步包括第三金属片，所述第三金属片包括多个槽，所述多个槽从所述第三金属片的周边延伸，其中所述第一金属片位于所述线圈的第一侧并且所述第三金属片位于所述线圈的第二侧 | 对比文件中，位于线圈两侧的金属片是平面辐射导体7（第二金属片）和后金属体5（第一金属片）。平面辐射导体7具有特定的切口和狭缝（7C, SL），但其并非如权利要求所定义的具有“从周边延伸的多个槽”的结构（其槽/开口数量少且为特定天线设计）。对比文件未公开在线圈第二侧存在另一个带有多个槽的金属片（第三金属片）。 | 该特征要求在线圈两侧各有一个带槽的金属片。对比文件仅公开了一侧（后金属体5侧）的金属片带有用于减少涡流的多个槽（冲孔部分）。线圈另一侧的平面辐射导体7虽然也是金属片，但其结构并非目标专利所定义的“具有多个槽”的金属片（其开口设计目的和结构不同）。因此，对比文件未公开“第三金属片”及其特征。 |
| **技术特征O**：未被公开<br>其中所述第一金属片被配置为将所述线圈从位于所述线圈的充电区域内的金属或外来物体或表面屏蔽 | [0008] “...在不增加提供磁屏蔽的磁性体片尺寸的情况下，确保天线特性。” <br> [0040] “...显著减少或防止电流感应到后金属体5中...” <br> 对比文件的核心问题是后金属体5本身作为线圈附近的金属物体，会损害天线性能。设置槽是为了减少后金属体5本身对线圈（天线）的负面影响，而不是用后金属体5去屏蔽外部的金属物体。 | 目标专利中第一金属片（屏蔽件）的作用是主动保护线圈，使其免受外部金属/物体的干扰。对比文件中的第一金属片（后金属体5）本身就是需要被“处理”的、可能干扰线圈的金属物体。冲孔部分（槽）的设置是为了减弱后金属体5本身对线圈产生的有害影响（感应涡流），而非赋予后金属体5主动屏蔽外部物体的功能。两者解决的问题和所起的作用本质不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：《直接公开》<br>进一步包括谐振电路，所述谐振电路包括所述线圈 | [0035] “电容器C被配置为执行谐振频率设置和阻抗匹配...连接到馈电线圈81。” <br> 图3显示了馈电线圈81与电容器C连接，构成谐振电路。 | 目标专利的装置包括含有线圈的谐振电路。对比文件图3明确示出馈电线圈81连接有电容器C，用于“谐振频率设置和阻抗匹配”，这共同构成了一个谐振电路。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征Q**：《直接公开》<br>其中所述多个槽从所述第一金属片的相对侧水平地向内延伸，并且其中来自所述第一金属片的相对侧的槽对在所述第一金属片的中央区域内竖直地重叠 | 参见图4C, 13C。例如图4C，两个矩形的冲孔部分（槽）分别从金属片（后金属体5）的左右两侧水平向内延伸，并且它们在中央区域沿竖直方向排列，形成重叠区域。 | 该特征描述了槽的一种具体排布方式：从相对侧水平延伸，并在中央区域竖直重叠。对比文件附图4C和13C清晰地示出了这种结构：两个矩形冲孔部分（槽）从后金属体5的左右两侧水平伸入，并在中部区域沿竖直方向对齐（重叠）。本领域技术人员能够毫无疑义地从这些附图中识别出该技术方案。 |
| **技术特征R**：未被公开<br>其中所述多个槽跨所述第一金属片对角地延伸 | 对比文件的所有附图中，冲孔部分（槽）均为水平、竖直或特定形状的开口，未见有对角线延伸的槽。 | 该特征限定了槽沿对角线方向延伸。对比文件文字和附图均未公开任何对角线延伸的槽。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出这一具体技术方案。 |
| **技术特征S**：未被公开<br>其中所述多个槽包括定向在所述第一方向上的第一组槽和定向在第二方向上的第二组槽，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一组槽包括所述第一槽和所述第二槽 | 对比文件中的冲孔部分（槽）通常在单个方向上延伸（如图5A的竖直矩形，图5C的水平矩形），或为特定形状（如图5B的仿天线形状）。未公开同时存在相互垂直的两组槽的布局。 | 该特征限定了槽包括相互垂直的两组。对比文件未公开具有这种交叉排列的多组槽的结构。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出这一具体技术方案。 |
<<<B>>><<<D>>><<<G>>><<<I>>><<<J>>><<<M>>><<<P>>><<<Q>>>
<<<c>>>