**对比文件名称**：发明授权_CN1826670B 用于具有最小图案密度要求的半导体技术的电感和电容元件
**目标专利名称**：用于屏蔽无线功率发射器的装置和方法
**模型名称**：本次分析调用基于给定的专利审查对比模型。
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征B**：具有限定多个槽的形状，所述多个槽从所述第一金属片的周边向内延伸<br>**判断结果**：未直接公开且未隐含公开 | [0063] “瓦面结构图案可以是例如格栅，该格栅由被狭缝局部分隔的局部分开的导线的集合组成。” <br> [0064] “在所示的实施例中，瓦面结构由细长的金属条12构成，该金属条12通过互连条13而彼此连接，由此形成指状或者梳状瓦面结构图案14。” (结合图1) | **论述**：对比文件公开了由细长金属条（相当于“槽”之间的金属部分）和狭缝（相当于“槽”）组成的“瓦面结构图案”。然而，根据图1及描述，这些“细长的金属条12”通过位于图案中心区域的“互连条13”连接，金属条是从中心区域（互连条）向**外**（朝向周边）延伸的“指状”结构。这与目标专利中“从所述第一金属片的周边向内延伸”的槽的延伸方向**相反**。目标专利的槽旨在从外部边界切入以打断涡流路径，而对比文件的瓦面结构是从内部连接点向外辐射以满足图案密度规则并抑制像电流。两者结构设计的起点和延伸方向根本不同，所起作用（满足工艺规则 vs. 主动切断涡流路径）和解决的技术问题也不同。因此，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出“从周边向内延伸”的槽结构。 |
| **技术特征C**：线圈，被配置为生成足以对负载充电或供电的磁场<br>**判断结果**：隐含公开 <<<c>>> | [0005] “带来了例如其中使用象线圈和变压器的平面电感元件的集成射频(RF)电路。” <br> [0061] “电感元件可以是平坦或非平坦的单匝电感器，或者包含多匝的平坦或非平坦的螺旋电感器。” <br> [0063] “瓦面结构图案具有这种形状，从而基本上抑制在瓦面结构图案中由于流过电感元件的导体的电流而引起像电流。” | **论述**：对比文件明确公开了“电感元件”（例如图1的11），其由导电线圈构成（如单匝或多匝螺旋线），用于在射频（RF）电路中工作。RF电路中的电感元件通入交变电流后，必然会在其周围生成交变磁场。虽然对比文件未明确记载该磁场“足以对负载充电或供电”，但其作为集成射频电路的一部分，生成的磁场是电路工作的基础。本领域技术人员知晓，无线功率传输是射频技术的一个应用领域，生成用于充电/供电的磁场是电感线圈的固有属性和常见应用。因此，从对比文件公开的“电感元件”可合理推断出其能够“生成磁场”，且该磁场可用于能量传输（充电/供电）这一隐含的技术方案。 |
| **技术特征D**：并且其中所述多个槽被配置为至少部分地消除经由所述磁场在所述第一金属片中生成的涡流<br>**判断结果**：直接公开 <<<D>>> | [0010] “这些结构的缺点是由电感器磁场在伪结构中引起的涡流会增加电感器的电阻损耗，并且由此使线圈的品质因数Q退化。” <br> [0063] “瓦面结构图案具有这种形状，从而基本上抑制在瓦面结构图案中由于流过电感元件的导体的电流而引起像电流。” <br> [0072] “构图的接地屏蔽不允许流过电感元件11的电流产生的磁通变化引起的反向电流或涡流的流动。” | **论述**：对比文件直接且明确地公开了其技术方案所要解决的核心问题之一，即由电感器磁场在附近金属结构（伪结构/瓦面结构）中引起“涡流”（对比文件原文[0010]）或“像电流”、“反向电流”（[0063], [0072]），从而导致损耗和性能下降。其发明手段“瓦面结构图案”的目的正是为了“基本上抑制”这些有害的涡流/像电流（[0063]）。这与目标专利中“多个槽被配置为至少部分地消除...涡流”的技术特征在**作用上完全相同**，都是为了减少或消除因线圈磁场而在邻近金属片中感生的涡流，从而提高系统效率（目标专利）或电感器Q值（对比文件）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E**：所述多个槽中的第一槽和第二槽被配置为使得在所述第一槽的第一侧在第一方向上流动的涡流至少部分地被在所述第二槽的第二侧与所述第一方向相反地流动的涡流消除，其中所述第二槽的所述第二侧邻近所述第一槽的所述第一侧<br>**判断结果**：隐含公开 <<<e>>> | [0063] “瓦面结构图案具有这种形状，从而基本上抑制在瓦面结构图案中由于流过电感元件的导体的电流而引起像电流。” <br> (结合图1、图4等所示的瓦面结构图案，其包含多条平行或具有特定几何排列的导电条/狭缝) | **论述**：目标专利该特征描述了通过特定排布的槽，使相邻槽侧边的涡流方向相反从而实现抵消的具体物理机制。对比文件虽然未用同样的文字描述这一具体的涡流方向抵消机制，但其核心发明思想是设计瓦面结构图案的“形状”来“基本上抑制”像电流/涡流（[0063]）。本领域技术人员理解，要有效抑制金属片中的涡流，一种根本方法就是利用涡流的环路特性，通过引入切口（槽）来打断大电流环路，并使被分割后的小环路中的电流方向相反而部分抵消。对比文件图1、4等所示的指状、放射状等图案化结构，实质上正是通过金属条和狭缝的交替排列，创造了使相邻区域感生电流可能相互抵消的物理结构。因此，尽管对比文件未点明该具体机制，但本领域技术人员基于其公开的“图案化结构抑制涡流”的原理，能够合理推断出可通过设计图案（包括槽的排布）来实现相邻区域涡流的反向抵消效果。 |
| **技术特征F**：所述第一槽和所述多个槽中的第三槽被配置为使得在所述第一槽的端部在第三方向上流动的涡流至少部分地被在所述第三槽的端部与所述第三方向相反地流动的涡流消除<br>**判断结果**：隐含公开 <<<f>>> | [0063] “瓦面结构图案具有这种形状，从而基本上抑制在瓦面结构图案中由于流过电感元件的导体电流而引起像电流。” <br> (结合图3、9等所示的放射状、三角形等瓦面结构图案，其狭缝汇聚于一点或特定区域) | **论述**：该特征描述了槽的端部区域涡流相互抵消的机制。对比文件同样未明确描述此具体端部抵消机制。但其公开的放射状图案（图3）或三角形图案（图7、9）等瓦面结构，其狭缝（槽）汇聚于中心或特定点。这种汇聚式设计，在电磁学原理上，可以影响端部区域的电流分布，可能导致来自不同方向的槽端部涡流相互作用。本领域技术人员在理解对比文件“通过图案形状抑制涡流”的总目标下，为了优化抑制效果，能够合理推断出可以对槽的端部区域进行特定设计（例如使端部以特定方式排列或汇聚），以促使端部涡流相互抵消，这属于实现“抑制涡流”这一目标的常规技术手段的合理延伸。 |
| **技术特征G**：进一步包括一个或多个铁氧体片<br>**判断结果**：未直接公开且未隐含公开 | 无相关记载。 | **论述**：对比文件全文未提及“铁氧体片”或任何类似功能的磁性材料片。其屏蔽或改善性能的手段主要是“构图的接地屏蔽”和“瓦面结构图案”。铁氧体片在目标专利中用于引导磁通、增强屏蔽效果，是对比文件技术方案中未涉及的技术手段。因此，该特征既未被直接公开，也无法从对比文件公开的内容中合理推断出来。 |
| **技术特征H**：其中所述一个或多个铁氧体是放置在所述多个槽之上或之内的片<br>**判断结果**：未直接公开且未隐含公开 | 无相关记载。 | **论述**：如上所述，对比文件未公开铁氧体片，更未公开将其放置在槽之上或之内。该特征完全未被公开。 |
| **技术特征I**：进一步包括第二金属片，其中所述第一金属片位于所述线圈的第一侧并且所述第二金属片位于所述线圈的第二侧<br>**判断结果**：未直接公开且未隐含公开 | [0066] 表1及对应描述：展示了包含电感器层（M5）、多个瓦面结构图案层（M4, M3, M2, M1）和接地屏蔽层的多层结构。 <br> [0070] “瓦面结果图案14不横跨设置电感元件11的衬底20上面的位置。” (暗示所有瓦面结构层位于电感元件下方) | **论述**：对比文件公开了多层结构，包括至少一个电感器层和其下的多个瓦面结构图案层（可视为金属片）。然而，根据其描述（[0070]）和附图（图2），所有这些瓦面结构图案层（M1-M4）均位于**电感元件（线圈）的同一侧（下方）**。目标专利特征I要求“第二金属片”位于“线圈的第二侧”，即与“第一金属片”分居线圈两侧。对比文件并未公开有任何金属片（无论是瓦面结构还是接地屏蔽）位于线圈的相反侧（例如上方）。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中所述第二金属片包括全金属片<br>**判断结果**：未直接公开且未隐含公开 | 无相关记载。 | **论述**：对比文件中未提及“全金属片”的概念。其接地屏蔽是“构图的”（即带有狭缝的格栅），瓦面结构图案更是带有大量狭缝的图案化金属。因此，“全金属片”的特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述线圈包括沿着第一平面的线圈环，其中所述多个槽与所述线圈环的至少一部分重叠并且被配置为沿着所述第一平面垂直于所述线圈环<br>**判断结果**：隐含公开 <<<k>>> | [0063] “瓦面结构图案的所有导线彼此电连接并连接到DC电压...瓦面结构图案的导线优选不跨过电感器路径。” <br> [0077] “放射状图案30的每个细长条31设置成局部地垂直于电感元件11最近的导电段。” (图3、4) | **论述**：对比文件公开了电感元件（线圈环）和瓦面结构图案（包含槽/狭缝）。特征K包含两个要点：1) 槽与线圈环至少一部分重叠；2) 槽被配置为垂直于线圈环。对于要点1，对比文件[0063]指出瓦面结构图案的导线“不跨过电感器路径”，这暗示图案主要覆盖电感器内部的区域或周边非路径区域，从附图看（图1、3、4），图案化区域与线圈环所包围或邻近的区域存在空间上的对应关系，可理解为“重叠”。对于要点2，对比文件明确教导了瓦面结构的导线可以且优选被设置为“局部地垂直于电感元件的导线”（[0077]，图3、4），这与“槽垂直于线圈环”实质相同（槽的方向由金属条间的狭缝定义，垂直于金属条）。因此，本领域技术人员可以从对比文件公开的“图案化结构位于电感器区域”和“导线/结构垂直于电感器导线”的教导中，合理推断出“槽与线圈环重叠且垂直”的技术方案。 |
| **技术特征L**：进一步包括位于所述第一金属片的第一侧的电介质片<br>**判断结果**：未直接公开且未隐含公开 | [0066] “在每两层金属层之间，设置绝缘层。” | **论述**：对比文件提到了层与层之间的“绝缘层”，这是半导体制造中的常规层间电介质（ILD），用于电气隔离不同金属层。而目标专利中的“电介质片”是一个特定的组件，可能用于提供机械间隔、调节电容或作为基底，其位置和功能特定（位于第一金属片的第一侧）。对比文件中的绝缘层是所有金属层之间的通用结构，并非专门针对“第一金属片”的“第一侧”设置的独立“电介质片”组件。两者在技术方案中的地位和作用不同，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中所述第一金属片位于所述线圈的第一侧<br>**判断结果**：直接公开 <<<M>>> | [0066] 表1及图2：电感器层（M5）位于最顶部，其下是多个瓦面结构图案层（M4, M3, M2, M1）。 <br> [0070] “瓦面结果图案14不横跨设置电感元件11的衬底20上面的位置。” | **论述**：对比文件清晰地公开了其层状结构：电感元件（线圈）形成在最顶层的金属层（如M5），而瓦面结构图案（相当于目标专利的具有槽的第一金属片）形成在电感元件下方的多个金属层中（如M1-M4）。这明确揭示了“第一金属片（瓦面结构图案层）位于线圈的第一侧（下方）”。因此，该位置关系被对比文件直接公开。 |
| **技术特征N**：进一步包括第三金属片，所述第三金属片包括多个槽，所述多个槽从所述第三金属片的周边延伸，其中所述第一金属片位于所述线圈的第一侧并且所述第三金属片位于所述线圈的第二侧<br>**判断结果**：未直接公开且未隐含公开 | 无相关记载。 | **论述**：对比文件仅公开了位于线圈**下方**的多层瓦面结构图案（第一金属片侧），并未公开在线圈**上方**或**另一侧**也存在具有类似槽结构的“第三金属片”。其所有图案化金属层均布置在线圈的同侧（衬底侧）。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述第一金属片被配置为将所述线圈从位于所述线圈的充电区域内的金属或外来物体或表面屏蔽<br>**判断结果**：未直接公开且未隐含公开 | [0072] “接地屏蔽22...造成接地屏蔽22和电感元件11之间的寄生电容器，并因而导致谐振频率减小。因此，接地屏蔽层优选被布置得尽可能远离电感器层，以减小寄生电容。” <br> [0074] “瓦面结构图案14使得可以连接接地屏蔽22附近的电感器内部的所有金属，而不产生导电回路。因此，瓦面结构图案避免寄生电容效应。” | **论述**：对比文件中“瓦面结构图案”的主要作用是为了满足半导体工艺的图案密度要求，并在此前提下“抑制”图案自身因电感器磁场产生的涡流，从而提高电感器Q值（[0063]）。其“接地屏蔽”的作用才是主动的“屏蔽”，用于阻止电场穿透衬底并减少衬底耦合（[0072]）。但接地屏蔽被特意放置得远离电感器以减少寄生电容，且瓦面结构图案是用于连接接地屏蔽附近的金属而不产生回路（[0074]），其本身并非直接用于屏蔽外部的“金属或外来物体或表面”。目标专利的屏蔽对象是充电区域内的外部物体，作用场景和目的与对比文件不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：进一步包括谐振电路，所述谐振电路包括所述线圈<br>**判断结果**：隐含公开 <<<p>>> | [0005] “带来了例如其中使用象线圈和变压器的平面电感元件的集成射频(RF)电路。” <br> [0010] 引用外部文献标题“A CMOS 10GHz Voltage Controlled LC-Oscillator with integrated high-Q inductor” (LC振荡器包含电感和电容构成的谐振电路)。 | **论述**：对比文件明确其应用的背景是“集成射频(RF)电路”（[0005]），并且在背景技术中引用了关于“LC振荡器”的文献（[0010]）。本领域技术人员公知，射频电路中的电感元件常常与电容元件一起构成LC谐振电路，用于振荡、滤波、阻抗匹配等。因此，虽然对比文件未明确其器件一定包含谐振电路，但基于其应用领域（RF电路）和引用的技术背景（LC振荡器），本领域技术人员能够合理推断，其所描述的电感元件（线圈）可以并且很可能被用于构成谐振电路的一部分。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述多个槽从所述第一金属片的相对侧水平地向内延伸，并且其中来自所述第一金属片的相对侧的槽对在所述第一金属片的中央区域内竖直地重叠<br>**判断结果**：未直接公开且未隐含公开 | 无相关记载。对比文件中的图案（如图1指状、图3放射状）其“槽”（狭缝）或金属条的延伸方向并非特指从“相对侧水平地向内延伸”，且其汇聚或重叠方式也与“竖直重叠”的描述不符。 | **论述**：该特征描述了槽的一种非常具体和几何排布：从两侧水平向内延伸并在中央竖直重叠。对比文件公开的多种瓦面结构图案（指状、放射状、三角形等）均不符合这种特定的几何描述。例如，指状图案（图1）的金属条是从中心向外辐射；放射状图案（图3）的狭缝是径向排列。没有一种图案示出或暗示了“从相对侧水平向内延伸并在中央竖直重叠”的槽对结构。因此，该特定结构既未被直接公开，也无法从对比文件已公开的图案中合理推断出来。 |
| **技术特征R**：其中所述多个槽跨所述第一金属片对角地延伸<br>**判断结果**：未直接公开且未隐含公开 | 无相关记载。 | **论述**：对比文件全文及所有附图均未显示或描述“槽对角地延伸”的图案。其公开的图案均为指状（水平/垂直）、放射状（径向）、三角形等，没有对角延伸的示例或提示。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其中所述多个槽包括定向在所述第一方向上的第一组槽和定向在第二方向上的第二组槽，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一组槽包括所述第一槽和所述第二槽<br>**判断结果**：未直接公开且未隐含公开 | 无相关记载。对比文件图9B的瓦面结构图案950包含水平槽952和竖直槽951，但其描述并未明确将其划分为两组垂直定向的槽，且该图案在文件中仅为众多实施例之一，未强调其包含两组垂直槽的特征。更重要的是，该特征在目标专利中与特征E、F等具体涡流消除机制相关联，构成一个特定的组合方案。对比文件未揭示这种具有特定功能关联的两组垂直槽的组合。 | **论述**：虽然对比文件图9B示出了一个同时包含水平延伸和竖直延伸狭缝（槽）的图案，但文件中并未将此作为一项独立的技术特征进行描述和强调，也未阐述其与涡流消除机制（如特征E、F）的关联。该图案仅仅是众多可选瓦面结构图案中的一个例子。本领域技术人员无法从对比文件整体教导中，确定这种“包含两组互相垂直的槽”是一个必要或突出的技术手段，更无法将其与目标专利中详细描述的特定涡流抵消机制联系起来。因此，该特征（特别是作为一项独立要求保护且与前后特征关联的特征）未被对比文件公开。 |
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