**对比文件名称：** 2016-08-24_发明授权_CN104011812B 线圈部件
**目标专利名称：** 高性能电感器CN108140467B
**本次调用模型名称：** 深度思考的专利代理师
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A：包括：第一弯曲金属板《直接公开》** | [0041] “形成环状且分别由规定的长度构成的线圈图案8a、8b、8c、8d。” | 对比文件中的线圈图案8a、8b、8c、8d是形成在绝缘层上的导电带，其形状为“环状”，从附图（例如图3(D)）可见其呈平面螺旋状弯曲延伸，构成线圈的一部分。这公开了“弯曲金属板”这一结构特征。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了第一弯曲金属板。 |
| **特征B：第二弯曲金属板，在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准《直接公开》** | [0045] “线圈图案10a的一端经由通孔9a与线圈图案8a的另一端连接。” 结合附图3(D)和4(F)可知，线圈图案10a与线圈图案8a通过通孔9a连接，且分别位于绝缘层3b的两侧（一个面和另一个面），即位于不同层且上下重叠。 | 对比文件明确记载了在绝缘层3b的一个面形成线圈图案8a，在另一个面形成线圈图案10a，并通过通孔9a连接。两者均呈环状（弯曲），且在不同层上通过通孔垂直连接，构成了实质上的垂直对准关系。该特征被直接公开。 |
| **特征C：第三弯曲金属板，在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准《直接公开》** | [0066]-[0068] 描述了第二线圈的形成，其中线圈图案11b、11c、11d（相当于第三弯曲金属板）形成在绝缘层3c上，并通过通孔12b、12d等与上层（绝缘层3d上的线圈图案13a、13b等）连接。整个层叠体结构是重复的。 | 对比文件的实施例描述了一个多层螺旋线圈结构，其中在第二弯曲金属板（如线圈图案10a）的下方，还形成了第三层线圈图案（如11b-11d、13a-13d），它们通过通孔（如12a-12g）与上层图案连接，构成了垂直对准的堆叠关系。因此，第三弯曲金属板及其垂直对准关系被直接公开。 |
| **特征D：第一伸长过孔，在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准，《直接公开》** | [0045] “线圈图案10a的一端经由通孔9a与线圈图案8a的另一端连接。” [0046] “形成通孔9a、9b、9c、9d、9e、9f、9g。” | 对比文件中的通孔9a-9g是贯通绝缘层3b形成的，用于连接位于绝缘层两侧的线圈图案（如8a与10a）。这些通孔位于两层金属图案之间，实现了垂直方向上的电气连接，即“垂直对准”。该特征被直接公开。 |
| **特征E：所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比《隐含公开》** | [0047] “通孔9a、9b、9c、9d、9e、9f、9g分别由在线圈图案8a～8d的长边方向上由较长的尺寸构成的长条形状构成，两端形成为尖的形状。” | 1. **导电耦合作用**：对比文件明确通孔9a用于连接线圈图案8a和10a（见[0045]），其作用是将上下层导电图案耦合，与目标专利相同。<br>2. **长高比≥2:1**：对比文件指出通孔是“长条形状”，并在“线圈图案的长边方向上由较长的尺寸构成”。本领域技术人员结合说明书附图（如[0047]描述的“之字形”配置）可以理解，为了在有限空间内连接螺旋线圈的不同部分，同时适应线圈图案的走向，通孔在平面上的延伸尺寸（即长度）会明显大于其穿过绝缘层的垂直尺寸（即高度）。虽然未明确具体比例数值，但这种“长条形状”的设计意图和结构必然导致其长度大于高度。考虑到本领域为减小过孔电阻而增大截面积的普遍设计思路，以及对比文件强调通过延长通孔来应对热应力（[0047]），本领域技术人员完全有能力且容易想到将通孔设计得足够长，其长高比达到或超过2:1是一种合理且常规的设计选择。因此，该特征被隐含公开。 |
| **特征F：所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线《直接公开》** | [0047] “通孔9g与线圈图案8d匹配地在中途有1处发生弯曲。” | 对比文件明确记载了通孔9g的形状与它所连接的线圈图案8d的走向“匹配”，并因此发生了弯曲。这表明通孔的形状设计是为了适应和跟随其所连接的弯曲线圈图案的路径，即“实质上遵循”了线圈图案的曲线。该特征被直接公开。 |
| **特征G：以及第二伸长过孔，在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准《直接公开》** | [0063] “形成通孔12a、12b、12c、12d、12e、12f、12g。” 这些通孔用于连接线圈图案11b-11d与13a-13d。 | 对比文件描述了在构成第二线圈时，形成了另一组通孔12a-12g，用于连接位于不同层（如绝缘层3c上的图案11b-11d与绝缘层3d上的图案13a-13d）的线圈图案。这对应于在第二与第三弯曲金属板之间的“第二伸长过孔”。该特征被直接公开。 |
| **特征H：所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比《隐含公开》** | [0063] 同上，描述了通孔12a-12g的形成。其作用与通孔9a-9g类似，用于连接上下层线圈图案。 | 1. **导电耦合作用**：通孔12a-12g用于连接第二层线圈（如11b-11d）和第三层线圈（如13a-13d），作用与第一组过孔相同。<br>2. **长高比≥2:1**：第二组通孔12a-12g与第一组通孔9a-9g在结构和制造方法上完全相同（参见[0063]及前后描述）。基于与特征E相同的理由，本领域技术人员从对比文件整体公开的“长条形状”通孔设计出发，能够合理推断第二组通孔同样具有长度明显大于高度的特征，其长高比达到或超过2:1是隐含的技术内容。 |
| **特征I：其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成《未公开》** | [0040]-[0041], [0050]-[0051], [0060]-[0061] 描述了通过溅射/蒸镀形成“导电膜”，然后通过光刻-蚀刻加工成“线圈图案”。未提及每个线圈图案本身由多层金属构成。 | 对比文件中明确记载每个线圈图案（如8a, 10a, 11b, 13a）是通过在单个绝缘层上沉积单层导电膜并图案化形成的（例如[0040]“形成导电膜8”，[0041]“形成线圈图案8a、8b、8c、8d”）。虽然整个器件有多个金属层，但每个独立的“弯曲金属板”（即每个线圈图案）是由单层金属构成的。目标专利要求每个金属板自身由“多层金属构成”，这与对比文件公开的单层结构不同。因此，该特征未被公开。 |
| **特征J：其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内《未公开》** | 无相关描述。附图显示通孔（如9a）位于线圈图案的端部，用于连接上下层，其位置由连接点决定，并未提及或显示其完全位于某层线圈图案宽度边缘所限定的垂直投影范围内。 | 对比文件未描述过孔与上层线圈图案宽度边缘的相对位置关系。其通孔主要起层间连接作用，位置取决于上下层线圈图案需要连接的端部位置，并不必然完全被上层线圈图案的宽度所覆盖。目标专利的该特征限定了过孔的空间位置范围，对比文件未公开该限定。 |
| **特征K：其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的《未公开》** | 全文及附图未提及线圈图案为“八角形”。附图所示线圈图案为圆环形或带有圆角的螺旋形。 | 对比文件公开的线圈部件其线圈图案形状为环形/螺旋形，并未限定为特定的“八角形”形状。该特征未被公开。 |
| **特征L：其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项《未公开》** | [0078] “本发明的线圈部件并不局限于此，也可以是功率电感器、匹配用高频电感器、绝缘变压器、平衡-不平衡转换器、耦合器等。” | 对比文件仅泛泛列举了线圈部件可应用的器件类型，如“功率电感器”、“高频电感器”等，并未具体指明其电感器器件是“射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项”。目标专利的该应用领域限定未被公开。 |
| **特征M：进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底《未公开》** | [0039] “绝缘层3a例如能够使用聚酰亚胺树脂、环氧树脂、苯并环丁烯树脂等各种材料。” | 对比文件在绝缘层之间使用的是树脂材料（如聚酰亚胺），并未提及“无芯衬底”这一特定概念。目标专利背景技术及具体实施方式中强调的“无芯衬底”是特定技术语境下的结构，对比文件未涉及。 |
| **特征N：其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度《未公开》** | 无相关描述。线圈图案8a-8d与10a-10c是不同层的螺旋线圈的一部分，它们的形状和长度取决于整体线圈设计，说明书和附图未表明它们具有相同的长度。 | 对比文件未提及或暗示不同层的线圈图案具有相同的长度。该特征未被公开。 |
| **特征O：其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中...《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件未提及将其线圈部件包含到任何具体的终端设备（如音乐播放器、手机等）中。该特征未被公开。 |
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