2014-09-04_发明申请_WO2014133808A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++O_b_k_l_m+++.docx

**对比文件名称**:2014-09-04_发明申请_WO2014133808A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE

**目标专利名称**:高性能电感器 CN108140467B

**本次调用模型名称**:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一弯曲金属板<br>《隐含公开》[0035] “The POG VHT 120 includes a lower inductor 101, an upper inductor 102...”<br>[0043] “...conductive layer 401 may be deposited... to form inductors 402.”<br>[0047] “...conductive layer 801 may be deposited... to form inductors 802.”对比文件公开了电感器结构,例如下电感器101(对应`402`)和上电感器102(对应`802`)。这些电感器是用于射频(RF)应用的无源元件,必然由导电材料(如金属,见[0043]和[0047])构成。虽然对比文件未明确使用“弯曲”一词,但从图1、图4、图8以及[0055]段提到的“螺旋电感器(spiral inductors)”、“平面电感器(planar inductors)”可以理解,这些电感器通常具有螺旋、圆形或曲折的轨迹,即本领域技术人员公知的“弯曲”形状。因此,本领域技术人员能够从对比文件公开的“电感器”毫无疑义地得出其由“弯曲金属板”构成的技术方案。该特征在对比文件中起到构成电感器以产生磁场/电流的作用,与目标专利中作为电感器导电通路的作用相同。
**技术特征B**:第二弯曲金属板,在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准<br>《隐含公开》[0035] “The POG VHT 120 includes a lower inductor 101, an upper inductor 102... between the lower inductor 101 and the upper inductor 102.”<br>[0036] 截面图130显示了“The POG VHT 130 includes... the upper inductor 102 with the air-gap 103 between the lower inductor 101 and the upper inductor 102.”<br>[0006] “...first inductor structure is between the low-loss substrate and a second inductor structure. The first inductor structure is aligned with the second inductor structure to form a transformer.”对比文件明确公开了两个电感器结构(如`101`/`402`和`102`/`802`),并且一个位于另一个之上(between)。[0006]段明确指出第一电感器结构与第二电感器结构“对齐(aligned)”以形成变压器,结合附图(如截面图130)可以理解其为垂直方向上的对准。因此,“上电感器”位于“下电感器”上方并与之垂直对准的结构已被公开。基于特征A的论述,这些电感器即“弯曲金属板”。该特征在对比文件中是实现垂直磁耦合以构成变压器的必要结构,与目标专利中形成堆叠电感器导电通路的作用实质相同。
**技术特征C**:第三弯曲金属板,在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准<br>《未公开》无对应内容。对比文件的核心实施例(如图1、图4、图8)及[0006]-[0008]段描述均围绕两个垂直堆叠的电感器结构(下电感器和上电感器)及其间的气隙展开。虽然[0056]段提到了“多个垂直耦合电感器(multiple vertical-coupling inductors)”的并行配置(图14),但其描述是多个电感器并排设置(“disposed in parallel”),形成两个堆叠(stack),而非目标专利权利要求中限定的三个金属板在垂直方向上的依次堆叠(第一、第二、第三)。对比文件未公开在第二电感器(或第二弯曲金属板)下方还存在一个与之垂直对准的第三弯曲金属板。
**技术特征D**:第一伸长过孔,在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准,<br>《未公开》[0036] “...metal connector 134... may be utilized to connect with the lower inductor 101 via a conductive layer 136 (e.g., a via layer V2).”<br>[0036] “There is another conductive layer 138 (e.g., a via layer V4) between the upper inductor 102 ... and another metal connector 140...”对比文件公开了通孔层(V2, V4),用于连接电感器(如`101`, `102`)与金属连接器(如`134`, `140`)。然而,这些通孔连接的是电感器与位于不同层的“连接器(connector)”,而非如目标专利所限定的,直接连接“第一弯曲金属板”与“第二弯曲金属板”。更重要的是,目标专利的“第一伸长过孔”具有特定的“伸长”形态和至少2:1的长高比,旨在提供低电阻的平坦电流过渡。对比文件未描述其通孔(V2, V4)具有“伸长”的形状或特定的长高比。因此,对比文件未公开本技术特征。
**技术特征E**:所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比,<br>《未公开》同上(技术特征D引用)。如上所述,对比文件中的通孔(V2, V4)并非直接连接两个电感器(弯曲金属板),也未公开其具有“伸长”形态及“至少2比1的长度与高度的横纵比”。目标专利中该特征的核心在于通过特定的伸长过孔降低电阻、提高Q值,对比文件的通孔仅作为常规的垂直互连,作用不同。
**技术特征F**:所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线<br>《未公开》无对应内容。对比文件完全没有描述其通孔(V2, V4)的形状会遵循电感器(弯曲金属板)的曲线。目标专利中该特征是优化电流路径、进一步降低电阻的设计,对比文件未涉及。
**技术特征G**:以及第二伸长过孔,在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准<br>《未公开》无对应内容。由于对比文件未公开“第三弯曲金属板”(技术特征C),因此连接第二与第三金属板的“第二伸长过孔”自然也未被公开。
**技术特征H**:,所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比<br>《未公开》无对应内容。基于技术特征C和G未公开,本特征同样未被公开。
**技术特征I**:,其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成。<br>《未公开》[0043] “...conductive layer 401 may be deposited...”<br>[0047] “...conductive layer 801 may be deposited...”对比文件描述了通过沉积“导电层(conductive layer)”来形成电感器(`402`, `802`)。该描述通常意味着形成单层金属结构。对比文件没有在任何地方揭示或暗示其电感器(无论是下电感器还是上电感器)是由“多层金属”构成的复合结构。目标专利中该特征可能旨在增强导电性或机械性能,对比文件未公开。
**技术特征J**:其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内。<br>《未公开》无对应内容。对比文件未描述其通孔(V2, V4)相对于电感器(弯曲金属板)边缘的平面位置关系。目标专利中该限定的技术效果未在对比文件中体现。
**技术特征K**:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的。<br>《隐含公开》[0055] “In a particular embodiment, an array of planar inductors in the shape of square, hollow, circular, or octagonal is formed. In another embodiment, an array of spiral inductors in the shape of square, hollow, circular, or octagonal is formed.”对比文件在[0055]段明确公开了电感器可以制成多种形状,包括八角形(octagonal)。虽然该描述出现在可能实施例的说明部分,而非针对核心实施例`101`/`102`的具体描述,但在宽松的隐含公开判断标准下,本领域技术人员完全有可能基于该教导,将所制造的电感器(即弯曲金属板)选择为八角形。因此,该形状特征被对比文件隐含公开。
**技术特征L**:其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项。<br>《隐含公开》[0005] “Use of the vertical coupling transformer with the air-gap in a wireless communications device (e.g., a RF duplexer)...”<br>[0037] “...wireless communications device (e.g., a RF duplexer) that uses the vertical transformer.”<br>[0070] “...the VHT 1846 may be used as or within a RF duplexer.”对比文件多次明确指出其垂直耦合变压器(VHT)可用于无线通信设备,例如RF双工器(RF duplexer)。RF双工器是射频前端模块(RF Front-End Module)中的关键组件。虽然对比文件未明确列举“功率放大器(PA)”,但RF双工器作为滤波器的一种,其应用场景(如[0070]段)已隐含了该器件可被包含在RF前端模块或滤波器应用中。本领域技术人员可以合理推断,具备该结构的电感器器件可用于构成此类模块或电路。
**技术特征M**:进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底。<br>《隐含公开》[0036] “...a low-loss material as a substrate 132, which may be made of glass material...”<br>[0038] “The wafer 200 includes a low-loss (e.g., dielectric, wide-bandgap semiconductor, etc.) material as a substrate 201, which may be made of glass material.”对比文件公开了使用低损耗材料(如玻璃)作为衬底(`132`, `201`)。在半导体封装领域,基于玻璃的衬底(如POG - Passive on Glass)通常是无核心(Coreless)的,以降低厚度和损耗。本领域技术人员能够理解,为实现对比文件所追求的低损耗、高性能(如[0005]段所述改善隔离、降低插入损耗),使用无芯衬底是常见且合理的选择。因此,位于两个电感器(弯曲金属板)之间的衬底可以被认为是无芯衬底。
**技术特征N**:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度。<br>《未公开》无对应内容。对比文件描述了上下电感器对齐(aligned),但并未提及或暗示这两个电感器具有相同的长度。长度是否相同并非本领域技术人员从对比文件中能够必然或合理推断出的特征。
**技术特征O**:其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中,所述组包括:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、机动车辆中的汽车设备、RF前端模块、滤波器或PA。<br>《直接公开》[0085] “...the first representative electronic device 1962, the second representative electronic device 1964, or both, may be a cellular phone, a wireless local area network (LAN) device, a set top box, a music player, a video player, an entertainment unit, a navigation device, a communications device, a personal digital assistant (PDA), a fixed location data unit, and a computer...”对比文件在[0085]段明确列举了包含其半导体器件(如垂直耦合变压器VHT)的电子设备,该列表与目标专利权利要求中的设备组存在大量重叠,包括:音乐播放器(music player)、视频播放器(video player)、娱乐单元(entertainment unit)、导航设备(navigation device)、移动电话/智能手机(cellular phone)、个人数字助理(PDA)、固定位置终端(fixed location data unit)、计算机(computer,可涵盖平板计算机、膝上型计算机、服务器)。此外,结合技术特征L的论述,其器件也可用于RF双工器(属于RF前端模块/滤波器)。因此,目标专利所限定的应用设备范围已被对比文件直接公开。

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