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对比文件列表
3gpp文件_+++O_l+++.docx
2026-02-23 17:31
2008-07-24_发明申请_US20080174396A1 TRANSFORMERS AND BALUNS_+++A_B_C_I_K_d_g_j_l_n_o+++.docx
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2009-06-18_发明申请_US20090153282A1 ELECTRONIC COMPONENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF_+++A_B_D_c_g_i_l_o+++.docx
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2012-06-14_发明申请_US20120146741A1 TRANSFORMER WITH BYPASS CAPACITOR_+++A_K_L_O_b_c+++.docx
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2012-07-24_发明授权_US08227851B2 Semiconductor device_+++A_o+++.docx
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2013-06-20_发明专利_JP2013122940A Common mode filter with multi spiral layer structure and method of manufacturing the same_+++A_B_C_L_n_o+++.docx
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2013-10-24_发明申请_US20130278374A1 COIL ASSEMBLY COMPRISING PLANAR COIL_+++A_b_o+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293482A1 TRANSPARENT THROUGH-GLASS VIA_+++A_B_D_E_O_c_g_h_l+++.docx
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2014-02-06_发明申请_US20140035702A1 HYBRID FILTER INCLUDING LC- AND MEMS-BASED RESONATORS_+++A_L_O+++.docx
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2014-05-13_发明授权_US08723632B2 Coil component and method of manufacturing the same_+++L_o+++.docx
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2014-08-14_发明申请_US20140225702A1 MULTILAYER INDUCTOR AND POWER SUPPLY CIRCUIT MODULE_+++A_B_j_l_o+++.docx
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2014-08-28_发明申请_US20140240072A1 VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_l_o+++.docx
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2014-09-04_发明申请_WO2014133808A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++O_b_k_l_m+++.docx
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2014-09-18_发明申请_US20140266494A1 INTEGRATION OF A REPLICA CIRCUIT AND A TRANSFORMER ABOVE A DIELECTRIC SUBSTRATE_+++K_a_b_d_l_o+++.docx
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2014-11-06_发明申请_US20140327510A1 ELECTRONIC DEVICE HAVING ASYMMETRICAL THROUGH GLASS VIAS_+++A_B_O_d_l_m+++.docx
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2015-03-05_发明申请_US20150061813A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++A_B_O_l+++.docx
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2015-03-05_发明申请_WO2015030976A1 VARYING THICKNESS INDUCTOR_+++O_a_b_c_d_g_l+++.docx
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2015-03-11_发明公开_EP2844612A1 TRANSPARENT THROUGH - GLASS CONDUCTIVE VIA IN A TRANSPARENT SUBSTRATE_+++B_E_O_a_d_l+++.docx
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2015-05-14_发明申请_US20150130579A1 MULTI SPIRAL INDUCTOR_+++A_B_K_L_o+++.docx
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2015-05-26_发明授权_US09041152B2 Inductor with magnetic material_+++A_K_b_l_o+++.docx
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2015-09-01_发明授权_US09123982B2 Directional coupler integrated by CMOS process_+++A_B_D_I_k_l_o+++.docx
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2015-11-04_发明公开_CN105027236A 具有气隙结构的垂直耦合变压器_+++A_B_L_M_O_i_k+++.docx
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2015-11-10_发明公开_KR1020150125974A 에어-갭 구조체를 갖는 수직-커플링 변압기_+++A_B_i_k_l_o+++.docx
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2016-01-06_发明公开_EP2962312A1 A VERTICAL-COUPLING TRANSFORMER WITH AN AIR-GAP STRUCTURE_+++A_B_k_l_m_o+++.docx
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2016-07-28_发明专利_JP2016522566A エアギャップ構造を有する垂直結合トランス_+++A_B_I_K_L_M_O+++.docx
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2016-08-30_发明授权_US09431473B2 Hybrid transformer structure on semiconductor devices_+++A_b_c_l_o+++.docx
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weixianzai_+++I_J_L_O_a_b_c_f+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293482A1 TRANSPARENT THROUGH-GLASS VIA_+++A_B_D_E_O_c_g_h_l+++.docx

好的,作为一名资深专利代理师,我将基于您提供的目标专利和对比文件,进行深入的创造性评估。

**对比文件名称**:2013-11-07_发明申请_US20130293482A1 TRANSPARENT THROUGH-GLASS VIA

**目标专利名称**:139高性能电感器CN108140467B

**本次调用模型名称**:DeepSeek最新版本模型

以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件(US20130293482A1)的比对分析:

### **特征比对表格**

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A:包括:第一弯曲金属板**[0005] ... an apparatus including ... a topside conductor on the top surface of transparent substrate... <br> [0095] Electrical resistance (R) of the transparent conductive via 900 can be expressed in the equation R=ρL/A...**直接公开**。对比文件[0005]段公开了在透明基板顶面的“topside conductor”(顶部导体)。结合附图(例如图9中的顶部导体922a),该导体可以是沉积或图案化的金属层。在本领域,“conductor”、“trace”、“metal layer”通常可互换使用,指代导电金属结构。因此,对比文件公开了位于基板上的第一导电金属结构,对应于目标专利的“第一弯曲金属板”(其“弯曲”特征在对比文件中未体现,但属于该技术特征的具体形状限定,不影响“金属板/导体”这一上位概念的公开)。
**技术特征B:第二弯曲金属板,在所述第一弯曲金属板下方、并且与所述第一弯曲金属板实质上垂直对准**[0005] ... an apparatus including ... a bottom side conductor on the bottom surface of the transparent substrate... <br> [0095] ... the transparent conductive via 900 extends through the transparent substrate 910...**直接公开**。对比文件[0005]段公开了在透明基板底面的“bottom side conductor”(底部导体)。结合附图9,顶部导体922a和底部导体922b通过通孔900连接,二者在基板厚度方向(垂直方向)上被通孔贯穿,可以认为它们在通孔位置处是垂直对准的。因此,对比文件公开了位于第一导体(顶部)下方并与之间隔有基板、通过通孔对准连接的第二导体(底部)。
**技术特征C:第三弯曲金属板,在所述第二弯曲金属板下方、并且与所述第二弯曲金属板实质上垂直对准**[0128] ... multiple substrates can be processed ... with topside conductors and bottom side conductors formed on the surfaces of each of the multiple substrates ... Then, the multiple substrates may be laminated together to form a multi-layered substrate... <br> [0136] ... each layer of the transparent substrate 1910 can be formed by depositing or otherwise disposing the layers on one or both sides of the substrate...**隐含公开**。对比文件[0128]和[0136]描述了可以形成多层基板(multi-layered substrate),例如通过层叠多个基板或在基板上沉积多层材料。在多层结构中,可以预见存在位于第二层(例如第一基板的底部)下方并与之间隔有另一绝缘层的第三层导体(例如第二基板的顶部或内部埋置导体)。图19展示了多层透明基板1910内的埋置导体1985a、1985b和部分贯穿通孔1900a-1900c,这暗示了在多层结构中可能存在超过两层的导体。本领域技术人员可以合理推断,为了实现更复杂的互连,可以在现有两层结构(顶部和底部)的基础上增加更多的导电层,从而形成“第三弯曲金属板”的结构。
**技术特征D:第一伸长过孔,在所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间垂直对准,**[0005] ... a transparent conductive via extending through the transparent substrate. The transparent conductive via may electrically connect the topside conductor to the bottom side conductor... <br> [0099] ... The transparent conductive via 900 extends through the substrate 910 and has a height about equal to the thickness of the substrate 910.**直接公开**。对比文件[0005]段明确公开了延伸穿过透明基板的“transparent conductive via”(透明导电通孔),其用于电连接顶部导体和底部导体。通孔必然位于上下导体之间,并在连接处与它们垂直对准。因此,该特征被对比文件直接公开。
**技术特征E:所述第一伸长过孔被配置为将所述第一弯曲金属板导电耦合到所述第二弯曲金属板、并且具有至少2比1的所述第一伸长过孔的长度与高度的横纵比,**[0099] ... Aspect ratios for transparent conductive vias may vary from about 1:1 to over 30:1. In some implementations, the aspect ratio of a transparent conductive via is between 1:1 and 3:1. In some implementations, the aspect ratio of a transparent conductive via is between 3:1 and 10:1.**直接公开**。对比文件[0099]段明确记载了透明导电通孔的长径比(aspect ratio,即长度或宽度与高度之比)可以从约1:1到超过30:1,并具体给出了1:1到3:1、以及3:1到10:1的实施方式。“至少2比1”(≥2:1)的横纵比完全落在对比文件公开的“1:1到30:1”的范围内,特别是与“1:1到3:1”和“3:1到10:1”的范围有重叠(例如,2:1在1:1到3:1内)。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出通孔可以具有至少2:1横纵比的技术方案。
**技术特征F:所述第一伸长过孔实质上遵循所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板的曲线**无对应内容。**未公开**。对比文件全文未提及通孔需要“遵循”其连接导体的“曲线”。对比文件中的通孔(如附图9-14所示)均为垂直贯穿基板的直孔或具有特定截面形状的孔(如图10A-10E),其形状由加工工艺决定,与顶部/底部导体的布局形状(可能是直线或曲线)无关。目标专利中“遵循曲线”这一特征旨在使过孔路径更平缓以降低电阻,这是对比文件未教导的特定结构设计。
**技术特征G:以及第二伸长过孔,在所述第二弯曲金属板与所述第三弯曲金属板之间垂直对准**[0128] ... multiple substrates can be processed ... with ... one or more transparent conductive vias extending through each of the multiple substrates ... Then, the multiple substrates may be laminated together to form a multi-layered substrate... <br> 图19:展示了多个部分贯穿通孔(1900a-1900c)连接不同层。**隐含公开**。基于对特征C的分析,对比文件公开了可以构建包含第三导体层的多层结构(图19)。在这样的多层结构中,为了电连接不同层,必然需要通孔。图19明确示出了连接不同层导体的部分贯穿通孔1900a-1900c。因此,本领域技术人员可以合理推断,在第二金属板(例如第一基板的底部导体)和第三金属板(例如第二基板的顶部导体或内部埋置导体)之间,会存在一个垂直对准的导电通孔以实现电连接,即“第二伸长过孔”。
**技术特征H:,所述第二伸长过孔被配置为将所述第二弯曲金属板导电耦合到所述第三弯曲金属板、并且具有至少2比1的长度与高度的横纵比**[0099] ... Aspect ratios for transparent conductive vias may vary from about 1:1 to over 30:1...**隐含公开**。基于对特征E和G的分析,对比文件公开了通孔具有宽范围的长径比(1:1至30:1以上),并且可以在多层结构中使用通孔连接各层。当本领域技术人员基于对比文件的教导构建包含第三层的结构并设置连接第二层和第三层的通孔时,为了获得期望的电学性能(如电阻),会自然地选择通孔的尺寸比例。对比文件给出了通孔长径比可达到至少2:1的明确教导(见特征E论述),因此可以合理推断,该“第二伸长过孔”同样可以具有至少2:1的横纵比。
**技术特征I:,其中所述第一弯曲金属板、所述第二弯曲金属板和所述第三弯曲金属板中的每一个由多层金属构成。**[0065] ... the movable reflective layer 14 may include a plurality of sub-layers 14a, 14b, 14c as shown in FIG. 8D... <br> [0095] ... The topside and bottom side conductors 922a and 922b can be transparent or non-transparent.**未公开**。对比文件确实公开了某些部件(如可移动反射层14)可以由多个子层构成([0065]),但这属于MEMS显示元件的特定结构。对于顶部和底部导体(922a, 922b),对比文件没有描述它们必须由“多层金属”构成。说明书[0095]仅提及它们可以是透明或不透明的,但未限定其层状结构。目标专利的特征I明确限定了每一个弯曲金属板均由“多层金属”构成,这是一种特定的、可能为了优化导电性、机械强度或热性能的复合结构,对比文件没有公开或暗示这一具体特征。
**技术特征J:其中所述第一伸长过孔完全位于由所述第一弯曲金属板的内侧边缘和外侧边缘限定的垂直周界内。**无对应内容。**未公开**。该特征限定了过孔在平面投影上完全被第一弯曲金属板(迹线)的宽度所覆盖。对比文件中的通孔用于连接基板两侧的导体,附图显示通孔通常与导体在接触点处重叠,但并未描述或暗示通孔需要完全位于某个导体的“内侧边缘和外侧边缘”限定的宽度范围内。这是目标专利中关于电感器布局的特定设计,旨在优化磁场分布或结构紧凑性,对比文件未涉及。
**技术特征K:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板是八角形的。**[0100] ... the transparent conductive via 900 can also have any appropriate shape. For example ... rectangular, polygonal... <br> 图10C: shows an example of a transparent conductive via 900 with a polygonal opening...**未公开**。对比文件[0100]提到通孔开口可以是“多边形”(polygonal),图10C展示了一个多边形开口的通孔。然而,该描述是针对**通孔本身的横截面形状**,而非其连接的**顶部或底部导体的平面形状**。目标专利的特征K明确限定的是**金属板**(即导体迹线)的形状为“八角形”。对比文件未提及顶部或底部导体具有特定的多边形(尤其是八角形)形状。
**技术特征L:其中所述电感器器件包括射频(RF)前端模块、滤波器或功率放大器(PA)中的一项。**[0046] ... The teachings herein can be applied in a multitude of different ways. ... radio frequency filters... <br> [0172] ... the processor 21 can include a microcontroller, CPU, or logic unit to control operation of the display device 40.**隐含公开**。对比文件[0046]在详细描述部分开头明确指出,其教导可以应用于多种方式,并列举了包括“射频滤波器”(radio frequency filters)在内的多种应用。虽然对比文件的主要实施例集中在显示设备,但其明确将“射频滤波器”列为潜在应用领域之一。本领域技术人员阅读该部分后,可以合理推断对比文件公开的透明导电通孔技术可以应用于制造射频滤波器。而射频滤波器是目标专利所述“RF前端模块、滤波器或PA”中的一种具体类型。因此,该应用场景被对比文件隐含公开。
**技术特征M:进一步包括位于所述第一弯曲金属板与所述第二弯曲金属板之间的无芯衬底。**[0003] ... IMODs can be formed on a variety of substrates, including transparent substrates... <br> [0090] ... The transparent substrate 910 can be made of glass, plastic, or other substantially transparent material...**未公开**。对比文件公开了使用透明基板(如玻璃)作为载体。然而,目标专利中的“无芯衬底”(coreless substrate)是半导体封装领域的一个特定术语,特指一种没有刚性核心层(core)的薄型层压衬底,常用于先进封装以减小厚度和寄生效应。对比文件中的“透明基板”(如用于显示屏的玻璃)在材料、结构和用途上与“无芯衬底”有本质区别。对比文件没有提及或暗示其基板是“无芯”的。
**技术特征N:其中所述第一弯曲金属板和所述第二弯曲金属板具有相同的长度。**无对应内容。**未公开**。对比文件没有描述或暗示顶部导体和底部导体需要具有相同的长度。在对比文件的应用场景(如连接显示像素或触摸传感器电极)中,顶部和底部导体的长度完全取决于其需要连接的器件布局,没有动机或教导使它们长度相同。
**技术特征O:其中所述电感器器件被包含到选自以下组的设备中,所述组包括:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、机动车辆中的汽车设备、RF前端模块、滤波器或PA。**[0046] ... it is contemplated that the implementations may be implemented in or associated with a variety of electronic devices such as, but not limited to, mobile telephones, multimedia Internet enabled cellular telephones ... smartphones, personal data assistants (PDAs) ... tablets ... wearable devices, laptops ... automotive displays ...**直接公开**。对比文件[0046]段详细列举了其技术可能应用的一系列电子设备,该列表涵盖了目标专利特征O中列出的大部分设备类型,包括:移动电话(mobile telephones)、智能手机(smartphones)、个人数字助理(PDAs)、平板设备(tablets)、可穿戴设备(wearable devices)、膝上型电脑(laptops)、汽车显示设备(automotive displays)。虽然措辞不完全相同,但本领域技术人员可以毫无疑义地识别出其对应关系(例如“tablets”对应“平板计算机”,“automotive displays”对应“机动车辆中的汽车设备”)。因此,对比文件直接公开了将包含所述通孔/导体结构的装置应用于这些设备中。

### **结论与代码输出**

根据上述比对分析:

- **直接公开**的技术特征有:A、B、D、E、O。

- **隐含公开**的技术特征有:C、G、H、L。

- **未公开**的技术特征有:F、I、J、K、M、N。

因此,在回答结尾应插入的代码为:<<<A>>><<<B>>><<<D>>><<<E>>><<<O>>><<<c>>><<<g>>><<<h>>><<<l>>>

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