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对比文件列表
2005-02-03_发明申请_US20050026571A1 Asymmetric, optimized common-source bi-directional amplifier_+++A_J_K_L_O_Q_R+++.docx
2026-02-23 21:07
2005-03-03_发明专利_JP2005057724A Optimized asymmetric common-source bi-directional amplifier_+++A_B_D_E_F_H_K_L_O_R_d_j_m_q+++.docx
2026-02-23 21:07
2012-03-22_发明专利_JP2012060405A Amplifier and amplifier control method_+++A_M_Q_h_o_r_s+++.docx
2026-02-23 21:07
2013-11-28_发明申请_US20130316669A1 LOW NOISE AMPLIFIERS WITH CASCODE DIVERT SWITCH FOR CARRIER AGGREGATION_+++A_N_O_b_m_q_r+++.docx
2026-02-23 21:07
2013-11-28_发明申请_US20130316670A1 MULTIPLE-INPUT MULTIPLE-OUTPUT (MIMO) LOW NOISE AMPLIFIERS FOR CARRIER AGGREGATION_+++A_B_N_O_P_f_m_q_r+++.docx
2026-02-23 21:07
2014-03-13_发明申请_US20140072001A1 CARRIER AGGREGATION RECEIVER ARCHITECTURE_+++A_B_N_O_R_m+++.docx
2026-02-23 21:07
2014-04-10_发明申请_US20140098906A1 TRANSMIT DIVERSITY ARCHITECTURE WITH OPTIMIZED POWER CONSUMPTION AND AREA FOR UMTS & LTE SYSTEMS_+++M_b_o_q_r+++.docx
2026-02-23 21:07
2014-04-16_发明公开_CN103733522A 具有组合输出的低噪声放大器_+++A_O_n_q_r+++.docx
2026-02-23 21:07
2014-04-24_发明申请_US20140113578A1 AMPLIFIERS WITH NOISE SPLITTING_+++A_m_o_q+++.docx
2026-02-23 21:07
2014-05-15_发明申请_US20140134959A1 EXPANDABLE TRANSCEIVERS AND RECEIVERS_+++A_O_e_h_m_q_r+++.docx
2026-02-23 21:07
2014-06-19_发明申请_US20140171001A1 RECEIVER CALIBRATION WITH LO SIGNAL FROM INACTIVE RECEIVER_+++A_B_E_H_I_M_O_q_r_s+++.docx
2026-02-23 21:07
2014-06-26_发明申请_WO2014100048A1 RECEIVER CALIBRATION WITH LO SIGNAL FROM INACTIVE RECEIVER_+++A_B_E_I_M_O_h_p_q_r_s+++.docx
2026-02-23 21:07
2014-07-08_发明授权_US08774745B2 Reconfigurable receiver circuits for test signal generation_+++A_C_D_E_I_M_b_f_g_h_j_k_o_p_q_r_s+++.docx
2026-02-23 21:07
2014-08-28_发明申请_WO2014093409A2 RECONFIGURABLE RECEIVER CIRCUITS FOR TEST SIGNAL GENERATION_+++A_E_I_M_b_c_d_f_g_h_j_k_o_p_q_r_s+++.docx
2026-02-23 21:07
2015-02-05_发明申请_US20150035600A1 AMPLIFIERS WITH CONFIGURABLE MUTUALLY-COUPLED SOURCE DEGENERATION INDUCTORS_+++A_B_M_O_j_p_q_r+++.docx
2026-02-23 21:07
2015-02-05_发明申请_WO2015017487A1 AMPLIFIERS WITH CONFIGURABLE MUTUALLY-COUPLED SOURCE DEGENERATION INDUCTORS_+++A_B_O_P_R_q+++.docx
2026-02-23 21:07
2015-08-21_发明公开_KR1020150095826A 비활성 수신기로부터의 LO 신호를 통한 수신기 교정_+++A_B_E_I_M_O_f_h_n_q_r_s+++.docx
2026-02-23 21:07
2015-02-05_发明申请_WO2015017487A1 AMPLIFIERS WITH CONFIGURABLE MUTUALLY-COUPLED SOURCE DEGENERATION INDUCTORS_+++A_B_O_P_R_q+++.docx

对比文件名称:2015-02-05_发明申请_WO2015017487A1 AMPLIFIERS WITH CONFIGURABLE MUTUALLY-COUPLED SOURCE DEGENERATION INDUCTORS

目标专利名称:具有输出耦合器的低噪声放大器模块CN107580753B

模型名称:GPT-4

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:多个放大器,每个放大器具有耦合到装置输入端子的输入端子《直接公开》[p0090] [0054] 图9A示出了具有可配置的互耦合源极退化电感器的单输入多输出(SIMO)低噪声放大器(LNA) 930a的示例性设计的示意图。LNA 930a包括增益晶体管934...输入匹配电路912其一端接收输入射频(RF)信号(RFin)并且另一端耦合到增益晶体管934的栅极。<br>[p0100] [0063] 图9B示出了具有可配置的互耦合源极退化电感器的SIMO LNA 930b的示例性设计的示意图。LNA 930b包括所有图9A中LNA 930a的电路组件。LNA 930b进一步包括第二增益晶体管954...增益晶体管954的栅极耦合到输入匹配电路912的输出...对比文件公开了包含多个放大器(如图9B中的增益晶体管934和954)的电路。每个放大器(增益晶体管)具有输入端子(栅极),该输入端子通过输入匹配电路(912/916)耦合到接收输入RF信号的节点,该节点即为装置的输入端子。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件直接公开了“多个放大器,每个放大器具有耦合到装置输入端子的输入端子”这一技术特征。
**技术特征B**:多个装置输出端子,每个装置输出端子耦合到两个或更多放大器输出端子《直接公开》[p0090] [0054] ...第一共源共栅晶体管936...其漏极耦合到负载电路980。第二共源共栅晶体管938...其漏极耦合到负载电路990。<br>[p0100] [0063] ...第三共源共栅晶体管956...其漏极耦合到负载电路980。第四共源共栅晶体管958...其漏极耦合到负载电路990。<br>[p0108] [0071] ...在MIMO模式中,两个输入RF信号...可以被两个增益晶体管(例如,增益晶体管934和954)放大并被两个共源共栅晶体管(例如,共源共栅晶体管936和956或共源共栅晶体管938和958)缓冲以获得两个输出RF信号(例如,RFout1和RFout2)用于两个负载电路(例如,负载电路980和990)。对比文件公开了多个装置输出端子,即负载电路980和990(对应于输出端子)。如图9B及对应描述所示,每个负载电路(输出端子)耦合到两个放大器的输出:负载电路980耦合到共源共栅晶体管936和956的漏极(输出),而这两个晶体管分别耦合到增益晶体管934和954(放大器)的输出(漏极)。因此,每个装置输出端子耦合到两个或更多放大器输出端子,该技术特征被直接公开。
**技术特征C**:以及耦合器,被配置为:放大在所述多个装置输出端子中的第一装置输出端子处接收的第一信号《未公开》无对应内容。对比文件的核心在于通过可配置的互耦合源极退化电感器来调节放大器的源极退化电感,以优化放大器在不同模式下的性能。对比文件未公开任何设置在装置输出端子之间、用于放大在一个输出端子处接收的信号的“耦合器”。对比文件中的开关(如晶体管446)用于连接/断开电感,并非用于放大信号的耦合器。因此,该技术特征既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征D**:以及耦合器,被配置为:并且将放大的所述第一信号提供给所述多个装置输出端子中的第二装置输出端子《未公开》无对应内容。理由同上。对比文件未公开在输出端子之间路由并放大信号的耦合器结构,因此该技术特征未被公开。
**技术特征E**:其中所述第一信号是从除了所述多个放大器以外的来源接收的《未公开》无对应内容。目标专利中“第一信号”特指来自放大器外部来源(如相邻接收器泄漏的LO信号)的校准信号。对比文件中的信号路径均涉及由放大器本身处理输入RF信号,未提及或暗示从放大器以外的来源接收信号并将其引导至输出端子。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征F**:其中所述耦合器被配置为基于模式控制信号的第一状态来放大所述第一信号,并且所述耦合器被配置为基于所述模式控制信号的第二状态将所述第一装置输出端子与所述第二装置输出端子隔离《未公开》无对应内容。由于对比文件未公开技术特征C、D所述的“耦合器”,因此自然不存在基于模式控制信号控制该耦合器进行放大或隔离的功能。该技术特征未被公开。
**技术特征G**:其中由所述耦合器提供的放大器增益是基于控制信号的《未公开》无对应内容。同上,由于“耦合器”本身未被公开,其增益基于控制信号的特征也未被公开。
**技术特征H**:其中所述第一装置输出端子被配置为接收所述第一信号,并且所述第二装置输出端子被配置为输出所述第一信号《未公开》无对应内容。该特征描述了耦合器操作中输出端子的角色,依赖于未公开的耦合器功能,因此未被公开。
**技术特征I**:其中所述第一信号是校准信号,所述校准信号包括由相邻接收器生成的本地振荡器信号《未公开》无对应内容。对比文件未提及使用相邻接收器的本地振荡器信号作为校准信号,也未涉及接收器校准的相关内容。该技术特征未被公开。
**技术特征J**:其中所述耦合器包括双向放大器,以放大在所述第一装置输出端子处接收的所述第一信号《未公开》无对应内容。对比文件未公开任何双向放大器,更未公开其用于在输出端子之间放大信号。该技术特征未被公开。
**技术特征K**:其中所述双向放大器基于所述电路装置的操作模式而被配置《未公开》无对应内容。基于未公开的“双向放大器”,此配置特征也未被公开。
**技术特征L**:其中所述双向放大器被配置为:基于控制信号的第一状态,从所述第一装置输出端子接收输入信号,并且经由所述第二装置输出端子来提供放大的输出信号,并且其中所述双向放大器被配置为:基于所述控制信号的第二状态,从所述第二装置输出端子接收所述输入信号,并且经由所述第一装置输出端子来提供放大的输出信号《未公开》无对应内容。该特征详细描述了双向放大器的双向操作,但对比文件中不存在这样的组件或功能,因此未被公开。
**技术特征M**:其中所述耦合器包括以下中的至少一项:被配置为将所述第一装置输出端子和所述第二装置输出端子耦合在一起的晶体管或开关或它们的组合《未公开》无对应内容。对比文件虽然公开了晶体管用作开关(例如,图4中的晶体管446),但其功能是配置源极退化电感器(连接或断开电感444),而不是将两个装置输出端子(如负载电路980和990)直接耦合在一起。本领域技术人员无法从对比文件公开的开关功能推理出将其用于耦合输出端子。因此,该技术特征未被直接公开或隐含公开。
**技术特征N**:其中装置输入端子的数目大于装置输出端子的数目《未公开》无对应内容。对比文件展示了具有多个输入和多个输出的放大器电路(例如图9D的MIMO LNA),但并未明确描述或教导装置输入端子的数目大于装置输出端子的数目这一特定关系。本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出或必然推断出该数量关系。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征O**:其中所述多个放大器被配置为基于所述电路装置的操作模式而是不活动的《直接公开》[p0102] [0065] ...在一个示例性设计中,一个增益晶体管934或954可以被启用,并且一个共源共栅晶体管可以被启用。<br>[p0104] [0067] 在多输出模式中,两个增益晶体管934和954都可以被启用。<br>[p0110] [0071] 在单输出模式中,一个输入RF信号...可以被一个增益晶体管...放大并被一个共源共栅晶体管...缓冲以获得一个输出RF信号...对比文件明确描述了放大器(增益晶体管)可以根据电路的操作模式(如单输出模式、多输出模式)而被启用或禁用(即活动或不活动)。例如,在单输出模式下,可能只有一个增益晶体管被启用,另一个则不活动。这直接公开了“多个放大器被配置为基于所述电路装置的操作模式而是不活动的”这一技术特征。
**技术特征P**:其中所述多个放大器基于所述电路装置的操作模式而以最小增益配置被配置《直接公开》[p0094] [0058] 在示例性设计中,增益晶体管934可以(i)在单输出模式中施加标称偏置电流Ib1...或(ii)在多输出模式中施加更高的偏置电流Ib2...,其中Ib2 > Ib1。<br>[p0096] [0060] ...在多输出模式中使用更高的偏置电流以维持期望的动态范围会降低LNA的增益。对比文件公开了通过改变放大器的偏置电流来配置其增益,以适应不同的操作模式(如单输出模式和多输出模式)。更高的偏置电流用于维持动态范围,但会导致增益降低。虽然未明确使用“最小增益配置”一词,但“基于操作模式配置不同增益(包括更低增益)”已被直接公开。本领域技术人员能够理解,为应对特定模式需求(如多输出模式下的线性度),可以将放大器配置为较低的增益状态,这实质上涵盖了“最小增益配置”的概念。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征Q**:进一步包括:控制块,用以基于所述电路装置的操作模式来生成模式控制信号《隐含公开》[p0040] [0031] ...晶体管446...其栅极接收模式控制信号(Mode)。<br>[p0091] [0055] ...晶体管946...其栅极接收模式控制信号(Mode)。<br>[p0101] [0064] ...晶体管966...其栅极接收模式控制信号。对比文件多次提到“模式控制信号”(Mode)用于控制配置开关(如晶体管446、946、966)。虽然未明确示出“控制块”的框图,但本领域技术人员根据电路常识可以毫无疑义地推断,生成并输出此类模式控制信号必然需要相应的控制电路或控制块。该控制块基于电路所需的操作模式(如单输出、多输出)来生成相应的模式控制信号状态。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征R**:其中所述控制块用以:当所述电路装置将经由所述多个放大器中的至少一个放大器来放大第二信号时,将所述模式控制信号驱动到第一状态《直接公开》[p0097] [0061] 在单输出模式中,晶体管946可以通过模式信号上的低电压被关断...<br>[p0097] [0061] 在多输出模式中,晶体管946可以通过模式信号上的高电压被导通...<br>[p0112] [0072] 当增益晶体管934在单输出模式或MIMO模式中被启用时,可编程电感器932可以被设置(例如,通过关断晶体管946)使得电感器942提供标称的源极退化电感。对比文件明确描述了模式控制信号(Mode)的状态(如高电平或低电平)与放大器的操作模式直接相关。例如,在单输出模式(即装置通过至少一个放大器放大信号)下,模式控制信号被驱动到一种状态(如低电平)以关断开关,从而配置相应的源极退化电感。这直接公开了控制块基于放大信号的操作模式将模式控制信号驱动到特定状态的功能。
**技术特征S**:以及当所述第一信号将从所述第一装置输出端子到所述第二装置输出端子被放大时,将所述模式控制信号驱动到第二状态《未公开》无对应内容。该特征涉及目标专利特有的“输出耦合操作模式”,即信号在输出端子之间被耦合和放大的模式。对比文件未公开此种操作模式,因此也未公开在此种模式下驱动模式控制信号至第二状态。该技术特征未被公开。

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