**对比文件名称**：2003-05-09_发明专利_JP2003134795A Fault sensing system
**目标专利名称**：时间温度传感器位置偏移误差校正CN109642829B
**模型名称**：GPT-4
**特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A. 从传感器接收区的温度测量值**<br>《直接公开》 | 【0018】ゲート駆動回路（ＧＤ）１２は、...温度計測回路１２２と、...を有して構成される。【0019】温度計測回路１２２は、温度センス素子１５の信号から温度を計測する回路である。【0028】ここで検出したデジタル化した電圧信号は、制御回路１３に伝送されて劣化判定に用いられる。 | 对比文件明确公开了温度计测电路122从温度感应元件（温度传感器）15的信号中测量温度，并将数字化后的电压信号传送到控制电路13用于劣化判定。这直接对应于目标专利中“从传感器接收区的温度测量值”这一技术特征。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **B. 测量所述区的活动，所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能**<br>《隐含公开》 | 【0037】半導体モジュール１１への指令から、コレクタ電流、通電時間やスイッチング周波数を求めれば、発生する損失を算出することが可能である。もちろんコレクタ電流値は実測値を用いてもよいし、損失を実測しても良い。 | 对比文件公开了基于给半导体模块11的指令（如集电极电流、通电时间、开关频率）来计算其产生的“损失”（即功率损耗），或者直接测量电流或损失。计算损失所依赖的这些参数（电流、开关操作）反映了半导体模块（可视为一种“装置”）的电气“活动”。虽然对比文件未明确使用“测量活动”这一表述，且其“活动”更侧重于电气参数而非目标专利说明书所述的CPU性能活动，但根据宽松的隐含公开判断标准，本领域技术人员可以合理推断，为了计算功率损失，必然需要获取或测量相关的操作参数（如电流），这些参数构成了装置“活动”的一种表现形式。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **C. 所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量**<br>《未公开》 | （无对应内容） | 对比文件涉及功率半导体模块（如IGBT）的故障检测，其计算损失（功率）所依据的是电气参数（如电流、电压、指令）和开关特性。全文完全没有提及任何与CPU架构相关的性能计数器概念，例如高速缓存未命中数量或管线暂停数量。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该特定技术特征。 |
| **D. 将所测量的活动转化为所述区的功率**<br>《直接公开》 | 【0010】...半導体モジュールで発生する損失を演算する損失演算手段と...【0037】半導体モジュール１１への指令から、コレクタ電流、通電時間やスイッチング周波数を求めれば、発生する損失を算出することが可能である。 | 对比文件明确公开了“损失演算手段”或通过指令、电流等参数“算出”半导体模块发生的“损失”。“损失”在电气领域即指功率损耗。这直接对应于将反映装置操作状态（可视为“活动”）的参数“转化”为该区的“功率”消耗。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **E. 通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移**<br>《直接公开》 | 【0012】...損失から半導体モジュールの温度を推定する温度推定手段と、推定温度と測定温度から前記半導体モジュールの劣化あるいは故障を検知する故障検知手段とを備えて構成した。【0045】【0046】図１３の過渡熱抵抗Ｒ（ｔ）を用いて次の式（１式〜４式）ように求めることができる。 | 对比文件在第二实施例中公开了：基于损失（功率）并利用存储的“瞬态热阻R(t)”这一热量模型参数（见图13及公式），来“推定”半导体模块的温度Tc。然后，将“推定温度Tc”与从传感器获得的“測定温度Tm”进行比较（见【0043】），其差值（Tc - Tm）即隐含了一种“温度偏移”，用于检测劣化或故障。这完全对应于“通过参考所存储的热量模型参数来解释功率来导出温度偏移”的技术方案。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **F. 以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值**<br>《未公开》 | 【0043】...推定温度Ｔｃと実際の温度Ｔｍを比較して異常を判定する（Ｓ１３）。 | 对比文件公开了将估计温度Tc与实际测量温度Tm进行比较以判定异常。然而，其目的仅限于“故障检测”或“劣化判定”。对比文件并未公开基于该温度差（即温度偏移）去“调节”或“校正”从传感器获得的原始温度测量值（Tm）本身，以输出一个更准确的、用于热管理（如节流）的温度值。目标专利的“调节”旨在主动校正传感器读数，而对比文件仅是比较后触发故障标志。因此，该技术特征未被公开。 |
| **G. 其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率**<br>《直接公开》 | 【0045】【0046】図１３の過渡熱抵抗Ｒ（ｔ）を用いて次の式（１式〜４式）ように求めることができる。 | 对比文件第二实施例中存储的热量模型参数“瞬态热阻R(t)”是一个将功率（损失）输入与温度输出（估计温度Tc）关联起来的函数。通过该模型，由功率历史可以估计出温度。当将估计温度Tc与实测温度Tm比较时，其差值（一种温度差）与用于估计的功率输入相关联。因此，存储的模型参数R(t)本质上定义了“所估计的功率”与“（产生的）温度差”之间的匹配关系。该技术特征被直接公开。 |
| **H. 其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率**<br>《直接公开》 | 【0045】【0046】図１３の過渡熱抵抗Ｒ（ｔ）を用いて次の式（１式〜４式）ように求めることができる。 | 同上，对比文件中利用瞬态热阻R(t)和功率历史估算出的温度Tc，可以是一个绝对温度值（例如摄氏度）。该模型参数R(t)建立了从“所估计的功率”到“绝对温度”的映射关系。因此，该技术特征也被直接公开。 |
| **I. 其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关**<br>《直接公开》 | 【0037】半導体モジュール１１への指令から、コレクタ電流、通電時間やスイッチング周波数を求めれば、発生する損失を算出することが可能である。もちろんコレクタ電流値は実測値を用いてもよい。 | 对比文件明确提到“集电极电流”（コレクタ電流）是计算半导体模块（包含IGBT，一种电源开关）损失的关键参数，并且该电流可以被实测。IGBT作为电源开关，电流流过它即构成“电流流动穿过电源开关”的活动。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **J. 其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能**<br>《直接公开》 | 【0037】半導体モジュール１１への指令から、コレクタ電流、通電時間やスイッチング周波数を求めれば、発生する損失を算出することが可能である。 | 对比文件公开了基于半导体模块（可视为“装置”）的“指令”、“集电极电流”、“通电时间”、“开关频率”等参数来计算损失。这些参数直接反映了该装置的电气操作状态和“性能”（如导通特性、开关速度）。因此，“测量活动”至少部分基于装置的这些性能参数。该技术特征被直接公开。 |
| **K. 其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的**<br>《未公开》 | （无对应内容） | 对比文件在计算损失或判断状态时，使用的是直接的电气参数（电流、电压、指令时间）或热模型，完全没有提及或暗示使用“性能计数器”（Performance Counter）这种通常用于CPU或处理器内核，以统计事件（如指令周期、缓存命中率）的硬件机制。这与目标专利中基于高速缓存未命中等性能计数器的方案有本质区别。因此，该技术特征未被公开。 |
| **L. 其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的**<br>《隐含公开》 | 【0010】...半導体モジュールで発生する損失を演算する損失演算手段と...【0037】...損失を算出することが可能である。もちろんコレクタ電流値は実測値を用いてもよいし、損失を実測しても良い。 | 对比文件公开了“损失演算手段”或“算出”损失的功能，以及通过实测电流等方式获取数据。虽然未明确使用“数字功率监测器/计量器”这一术语，但为了实现损失（功率）的计算，本领域技术人员可以合理推断需要具备相应的测量和计算单元。在现代电子系统中，这种对电流、电压等参数进行采样、数字化并计算功率的功能，通常由数字化的监测或计量电路（可泛称为数字功率监测器）来实现。因此，根据宽松的隐含公开判断标准，该技术特征被隐含公开。 |
<<<A>>><<<D>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<b>>><<<l>>>