**对比文件名称：** 2012-03-15_发明公开_KR1020120025523A 자기 터널 접합 디바이스 및 제조
**目标专利名称：** 174用于存储器器件的金属化工艺CN107924994B
**本次调用模型名称：** DeepSeek-R1
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A：** 形成第一金属化层，所述第一金属化层耦合至器件的逻辑器件。<br>**判断结果：** **《直接公开》** | 对比文件[0011]段：“제 1 절연층(104) 내에 저부 트렌치들(202) 및 저부 비아들(204)을 오프닝하고, 저부 트렌치들(202) 및 저부 비아들(204) 내에 구리를 도금하거나 또는 그렇지 않으면 증착하며, 그리고 구리 화학적 기계적 평탄화를 수행하기 위해, 제 1 구리 다마신 프로세스가 수행될 수 있다. 예컨대, 로직 프로세스는, 로직 영역(110)에서의 저부 트렌치(202) 및 저부 비아(204) 내의 구리의 배치를 정의할 수 있다.”<br>**（中文翻译：** “为了在第一绝缘层104内打开下部沟槽202和下部通孔204，在下部沟槽202和下部通孔204内镀铜或以其他方式沉积铜，并进行铜化学机械平坦化，可以执行第一铜镶嵌工艺。例如，逻辑工艺可以定义逻辑区域110中下部沟槽202和下部通孔204内的铜的布置。”） | 对比文件明确描述了在逻辑区域（로직 영역）110中，通过第一铜镶嵌工艺形成填充铜的下部沟槽202和下部通孔204。这些结构属于金属互连结构，即金属化层的一部分，其作用是连接逻辑器件（如逻辑和控制元件，见[0003]段）。这与目标专利中“第一金属化层耦合至器件的逻辑器件”的作用完全相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出该技术特征。 |
| **特征B：** 形成专用金属化层，所述专用金属化层耦合至所述器件的磁阻随机存取存储器MRAM模块。<br>**判断结果：** **《直接公开》** | 对比文件[0020]段：“제 3 절연층(604) 내에 상부 트렌치들(702)을 오프닝하고, 패터닝된 상부 전극(502)까지의 상부 비아(704) 및 저부 트렌치(202) 내의 구리까지의 로직 비아(706) 중 적어도 하나를 오프닝하고, 상부 트렌치들(702) 내에 구리를 도금하거나 또는 그렇지 않으면 증착하고, 상부 비아(704) 및 로직 비아(706) 중 적어도 하나 내에 구리를 도금하거나 또는 그렇지 않으면 증착하며, 그리고 구리 화학적 기계적 평탄화를 수행하기 위해, 제 2 구리 다마신 프로세스가 수행될 수 있다.”<br>**（中文翻译：** “为了在第三绝缘层604内打开上部沟槽702，并打开至图案化的上部电极502的上部通孔704和至下部沟槽202内的铜的逻辑通孔706中的至少一个，在上部沟槽702内镀铜或以其他方式沉积铜，在上部通孔704和逻辑通孔706中的至少一个内镀铜或以其他方式沉积铜，并进行铜化学机械平坦化，可以执行第二铜镶嵌工艺。”） | 对比文件描述了通过第二铜镶嵌工艺形成上部通孔704，该通孔直接连接到MTJ（磁性隧道结）器件的上部电极502。MTJ器件是MRAM的核心存储元件（见[0002]段）。因此，上部通孔704构成了连接至MRAM模块（即MTJ器件）的金属化互连结构。该结构在对比文件中的作用是为MTJ器件提供上电极连接，与目标专利中“专用金属化层耦合至MRAM模块”的作用相同。本领域技术人员可以直接、毫无疑义地得出此技术特征。 |
| **特征C：** 其中所述专用金属化层不同于所述第一金属化层，并且其中所述专用金属化层不与所述逻辑器件共享。<br>**判断结果：** **《隐含公开》** | 1. 对比文件[0011]段（见特征A引用）描述了在逻辑区域110形成第一金属化层（下部沟槽/通孔）。<br>2. 对比文件[0020]段（见特征B引用）描述了形成连接至MTJ的上部通孔704。<br>3. 对比文件[0020]段还明确指出：“상부 비아(704) 및 로직 비아(706) 중 적어도 하나를 오프닝”（打开上部通孔704和逻辑通孔706中的至少一个），表明上部通孔704和用于逻辑的逻辑通孔706是两个不同的结构。 | 对比文件明确区分了用于逻辑互连的“로직 비아（逻辑通孔）”706和用于连接MTJ的“상부 비아（上部通孔）”704，两者通过同一镶嵌工艺但分别形成。第一金属化层（如下部沟槽202）主要服务于逻辑区域，而连接MTJ的上部通孔704服务于MRAM区域。虽然对比文件未使用“不共享”的表述，但本领域技术人员通过阅读对比文件可以合理推断：服务于逻辑器件的下部金属化结构（第一金属化层）与服务于MTJ的上部通孔（专用金属化层的一部分）是物理上不同的结构，且上部通孔704专门用于连接MTJ，不与逻辑器件共享。这符合“专用金属化层不同于第一金属化层且不共享”的技术方案。 |
| **特征D：** 其特征在于，所述第一金属化层是使用后端制程BEOL金属化工艺来形成的，其中所述专用金属化层是使用专用于形成与所述MRAM模块相关联的一个或多个组件的金属化工艺来形成的。<br>**判断结果：** **《未公开》** | 1. 对比文件[0011]段提及“제 1 구리 다마신 프로세스（第一铜镶嵌工艺）”。<br>2. 对比文件[0020]段提及“제 2 구리 다마신 프로세스（第二铜镶嵌工艺）”。<br>3. 对比文件未提及“BEOL（后端制程）金属化工艺”这一特定术语，也未明确说明第一金属化层遵循标准BEOL工艺，而第二金属化层是“专用于”MRAM组件的定制工艺。 | 对比文件虽然描述了两次铜镶嵌工艺，但并未将第一次工艺定义为标准的BEOL金属化工艺，也未将第二次工艺明确定义为专用于MRAM组件的“定制”或“专用”金属化工艺。目标专利强调“专用金属化层是使用专用于形成与MRAM模块相关联的一个或多个组件的金属化工艺来形成的”，这意味着工艺目的具有专用性。对比文件中的第二铜镶嵌工艺同时形成了连接MTJ的上部通孔和连接逻辑的逻辑通孔，其工艺目的并非“专用于”MRAM，而是用于形成该工艺层级的通用互连。因此，对比文件既未直接公开，也未隐含公开此特征。 |
| **特征E：** 其特征在于，所述BEOL金属化工艺指定正整数n个金属化层，并且其中所述器件包括至少n+1个金属化层。<br>**判断结果：** **《未公开》** | 对比文件全文未提及“BEOL金属化工艺指定正整数n个金属化层”的概念，也未描述器件包含“至少n+1个金属化层”的层数关系。 | 对比文件仅展示了制造过程中的具体金属互连层（如下部金属层、上部金属层），但完全没有涉及由标准BEOL工艺定义的金属化层总数（n）以及通过插入专用层使总层数变为n+1的构思。本领域技术人员无法从对比文件的内容中进行此类推理。 |
| **特征F：** 其特征在于，形成所述专用金属化层包括执行镶嵌工艺以形成所述一个或多个组件，并且其中所述一个或多个组件包括以下一者或多者：所述MRAM模块的位线或所述MRAM模块的阵列触点。<br>**判断结果：** **《隐含公开》** | 1. 形成工艺：对比文件[0020]段（见特征B引用）明确描述了通过“제 2 구리 다마신 프로세스（第二铜镶嵌工艺）”来形成“상부 비아（上部通井）”704。<br>2. 组件功能：对比文件中的MTJ器件（如结构402）是MRAM的存储单元。上部通孔704连接至MTJ的上部电极502，其功能是实现对MTJ单元的电气访问。在MRAM架构中，这种用于访问存储单元的通孔/触点结构，可以对应于“阵列触点”的功能。 | 对比文件直接公开了通过镶嵌工艺（第二铜镶嵌工艺）形成连接至MRAM（MTJ）模块的金属化组件（上部通孔704）。虽然对比文件未明确使用“位线”或“阵列触点”的术语，但本领域技术人员知晓，在MRAM阵列中，需要金属互连来对存储单元进行读写操作，这些互连包括位线和触点。上部通孔704连接到MTJ单元的上电极，其作用等同于将存储单元连接到上层金属线（如位线）的“触点”或阵列互连结构的一部分。因此，可以合理推断该组件属于“MRAM模块的阵列触点”。关于“位线”，对比文件未明确描述与之对应的水平走向的金属线，但“阵列触点”这一特征已被隐含公开。 |
| **特征G：** 其特征在于，进一步包括在形成所述专用金属化层之后形成第三金属化层，其中所述第一金属化层与第一节距相关联，所述第一节距小于与所述第三金属化层相关联的第二节距，其中所述专用金属化层被配置成利用所述第一金属化层的所述第一节距来形成与所述MRAM模块相关联的一个或多个组件，并且其中所述一个或多个组件包括基于电阻的存储元件。<br>**判断结果：** **《未公开》** | 对比文件描述了形成下部金属层（第一金属化层）和上部金属层（可视为第三金属化层），但全文**未提及**任何金属化层的“节距（pitch）”概念，也未比较不同金属化层之间的节距大小关系（第一节距小于第二节距）。 | 目标专利的核心构思之一是利用密集金属层（小节距）的尺寸优势来制造高密度的MRAM组件（如基于电阻的存储元件），并通过在其上插入专用金属化层，最后用厚金属层（大节距）进行全局互连。对比文件完全没有涉及不同金属化层的节距差异以及利用小节距层来制造MRAM元件的设计。虽然对比文件公开了MTJ存储元件（基于电阻的存储元件），但关于节距配置和利用小节距层形成MRAM组件的技术特征未被公开。 |
| **特征H：** 其特征在于，所述第一节距是遵循所述器件的后端制程BEOL金属化工艺的特定节距。<br>**判断结果：** **《未公开》** | 同特征G，对比文件未提及“节距”，更未提及该节距是“遵循BEOL金属化工艺的特定节距”。 | 该特征依赖于特征G中“节距”概念的公开，由于对比文件未公开任何关于金属化层节距的信息，因此该特征也未被公开。 |
| **特征I：** 其特征在于，所述第一金属化层具有第一密度，所述第一密度大于与所述第三金属化层相关联的第二密度。<br>**判断结果：** **《未公开》** | 对比文件全文未提及不同金属化层的“密度”比较。 | 目标专利中“密度”与布线节距相关，节距越小，密度越高。由于对比文件未公开节距信息，因此也无法得出不同金属化层密度大小的比较关系。该特征未被公开。 |
| **特征J：** 其特征在于，形成所述第一金属化层和形成所述专用金属化层是通过处理器执行指令来发起的。<br>**判断结果：** **《未公开》** | 对比文件的说明书部分（[0001]至[0050]）描述了制造方法和装置，但**未提及**通过处理器执行指令来发起任何制造步骤。图13及相关描述涉及的是设计文件生成和制造流程控制，但并未具体描述“通过处理器执行指令来发起形成第一金属化层和专用金属化层”这一具体的、在制造现场由处理器控制发起的操作。 | 该特征限定了制造过程的控制方式，即由处理器执行指令来发起具体的工艺步骤。对比文件虽然在其图13中展示了设计信息流和制造过程，但并未揭示在器件制造阶段，是由处理器执行指令来“发起”形成具体金属化层的操作。该特征属于具体的制造执行控制层面，对比文件未提供相关信息。 |
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