对比文件名称：2010-11-18_发明申请_WO2010132773A1 MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND FABRICATION
目标专利名称：用于存储器器件的金属化工艺CN107924994B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A：**<br>所述方法包括：形成第一金属化层，所述第一金属化层耦合至器件的逻辑器件。<br>**《直接公开》** | [0023] “A first copper damascene process may be performed to open bottom trenches 202 and bottom vias 204 in the first insulating layer 104, to plate or otherwise deposit copper in the bottom trenches 202 and in the bottom vias 204... For example, a logic process may define placement of the copper in the bottom trench 202 and in the bottom via 204 in the logic area 110.”<br>（第一铜镶嵌工艺可被执行以在第一绝缘层104中打开底部沟槽202和底部通孔204，将铜电镀或以其他方式沉积在底部沟槽202和底部通孔204中...例如，逻辑工艺可以定义在逻辑区域110中的底部沟槽202和底部通孔204中铜的放置。） | 对比文件公开了在逻辑区域（logic area 110）执行第一铜镶嵌工艺以形成由铜填充的底部沟槽202和底部通孔204。这些铜填充的沟槽和通孔属于金属化结构，并且明确用于逻辑工艺，耦合至逻辑器件。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件公开了形成耦合至器件逻辑器件的金属化层（即第一金属化层）。该特征被直接公开。 |
| **特征B：**<br>以及<br>形成专用金属化层，所述专用金属化层耦合至所述器件的磁阻随机存取存储器MRAM模块，<br>**《未公开》** | 无明确对应内容。 | 目标专利中“专用金属化层”特指为MRAM模块专门形成、用于承载其组件（如位线、触点）的独立金属层（参见说明书[0041]、[0045]）。对比文件描述了MTJ结构（如402）的形成，但MTJ本身是存储元件，而非金属化层。对比文件也描述了在MTJ结构之上形成顶部沟槽702和通孔704/706，这些是用于全局互连的金属化结构，但其形成工艺（第二铜镶嵌工艺）并非“专用于”形成MRAM模块的组件，而是同时用于形成连接MTJ顶部电极的“顶部通孔”和连接逻辑区域铜的“逻辑通孔”（参见[0032]）。因此，对比文件没有公开一个专门耦合至MRAM模块、专用于形成MRAM组件的“专用金属化层”。该特征未被公开。 |
| **特征C：**<br>其中所述专用金属化层不同于所述第一金属化层，并且其中所述专用金属化层不与所述逻辑器件共享。<br>**《未公开》** | 无明确对应内容。 | 该特征限定了专用金属化层与第一金属化层不同且不共享。由于特征B所述的“专用金属化层”在对比文件中未被公开，因此该限定关系的前提不存在。对比文件中的顶部沟槽/通孔（702/704）等金属化结构，其形成工艺同时服务于MRAM（顶部通孔）和逻辑（逻辑通孔），可能存在共享（例如，使用同一工艺步骤形成），这与目标专利中强调的“独立”、“不共享”相悖。因此，该特征未被公开。 |
| **特征D：**<br>其特征在于，所述第一金属化层是使用后端制程BEOL金属化工艺来形成的，其中所述专用金属化层是使用专用于形成与所述MRAM模块相关联的一个或多个组件的金属化工艺来形成的。<br>**《未公开》** | [0023] “A first copper damascene process may be performed...”<br>[0032] “A second copper damascene process may be performed...”<br>（第一铜镶嵌工艺可被执行...第二铜镶嵌工艺可被执行...） | 对比文件确实公开了使用铜镶嵌工艺（一种典型的BEOL工艺）来形成金属互连。然而，第一铜镶嵌工艺用于形成底部的逻辑互连，第二铜镶嵌工艺用于形成顶部的互连（包括连接MTJ和逻辑）。这里的关键区别在于，目标专利的“专用金属化层”使用的是**专用于**形成MRAM组件（如位线、触点）的工艺，其独立于逻辑器件的金属化工艺。对比文件的第二铜镶嵌工艺并非“专用于”MRAM，而是用于同时形成连接MRAM和逻辑的通孔，是一个集成互连工艺，没有体现出为MRAM“定制”或“专用”的特性。因此，该特征未被公开。 |
| **特征E：**<br>其特征在于，所述BEOL金属化工艺指定正整数n个金属化层，并且其中所述器件包括至少n+1个金属化层。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件全文没有提及任何关于BEOL金属化工艺指定的金属化层数量（n），也没有提到为了容纳MRAM模块而插入额外的金属化层，使得总层数达到n+1。目标专利此特征的核心在于通过增加专用金属化层来超越标准BEOL工艺的层数定义（参见说明书[0012]）。对比文件未公开此概念。 |
| **特征F：**<br>其特征在于，形成所述专用金属化层包括执行镶嵌工艺以形成所述一个或多个组件，并且其中所述一个或多个组件包括以下一者或多者：所述MRAM模块的位线或所述MRAM模块的阵列触点。<br>**《未公开》** | [0032] “A second copper damascene process may be performed to open top trenches 702 in the third insulating layer 604 and to open at least one of a top via 704 to the patterned top electrode 502 and a logic via 706 to the copper in the bottom trench 202...”<br>（第二铜镶嵌工艺可被执行以在第三绝缘层604中打开顶部沟槽702，并打开至图案化顶部电极502的顶部通孔704和/或至底部沟槽202中铜的逻辑通孔706...） | 对比文件公开了使用镶嵌工艺（第二铜镶嵌）形成顶部通孔704和逻辑通孔706。然而，这些通孔是用于连接MTJ顶部电极到上层互连（顶部通孔704）以及连接底层逻辑互连到上层互连（逻辑通孔706）的垂直连接结构。它们并非目标专利中定义的“MRAM模块的位线”或“MRAM模块的阵列触点”。目标专利的位线（如147）和阵列触点（如148,149）是MRAM模块内部的关键组件，用于偏置和访问存储单元（参见说明书[0041]），且是专用金属化层的一部分。对比文件未公开此类专门用于MRAM模块功能的组件。因此，该特征未被公开。 |
| **特征G：**<br>其特征在于，进一步包括在形成所述专用金属化层之后形成第三金属化层，其中所述第一金属化层与第一节距相关联，所述第一节距小于与所述第三金属化层相关联的第二节距，其中所述专用金属化层被配置成利用所述第一金属化层的所述第一节距来形成与所述MRAM模块相关联的一个或多个组件，并且其中所述一个或多个组件包括基于电阻的存储元件。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征是一个复合特征，包含多个限定：1）在专用层后形成第三金属化层；2）第一金属化层节距（密集）小于第三金属化层节距（较厚）；3）专用层利用第一层的密集节距形成MRAM组件；4）组件包括基于电阻的存储元件。对比文件没有描述不同金属化层之间的节距关系（密集vs厚）。对比文件中的MTJ结构（基于电阻的存储元件）形成在底部金属化层（铜沟槽202）和顶部金属化层（沟槽702）之间的介质层中，其形成并非利用某个金属化层的“节距”，而是通过光刻和蚀刻工艺定义。更重要的是，MTJ本身不是“专用金属化层”形成的“组件”，而是存储元件，专用金属化层形成的组件是位线、触点等（见特征F）。因此，该特征的整体技术方案在对比文件中未被公开。 |
| **特征H：**<br>其特征在于，所述第一节距是遵循所述器件的后端制程BEOL金属化工艺的特定节距。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 由于特征G中关于“第一节距”以及其与BEOL工艺关系的技术方案未被公开，此进一步限定的特征同样未被公开。对比文件未讨论金属化层的节距是否遵循BEOL工艺的特定规则。 |
| **特征I：**<br>其特征在于，所述第一金属化层具有第一密度，所述第一密度大于与所述第三金属化层相关联的第二密度。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件没有提及或暗示不同金属化层之间的密度比较。该特征未被公开。 |
| **特征J：**<br>其特征在于，形成所述第一金属化层和形成所述专用金属化层是通过处理器执行指令来发起的。<br>**《隐含公开》** | [0053] “The computer may be coupled to one or more semiconductor fabrication devices and configured to execute instructions to initiate formation of a magnetic tunnel junction (MTJ) device on a structure... The computer may also be configured to execute instructions stored at the computer readable medium to initiate a copper damascene process...”<br>（计算机可以耦合到一个或多个半导体制造设备，并被配置为执行指令以发起在结构上形成磁性隧道结（MTJ）器件...计算机还可以被配置为执行存储在计算机可读介质上的指令以发起铜镶嵌工艺...） | 对比文件公开了使用计算机执行指令来发起制造过程，包括发起铜镶嵌工艺（即形成金属化层的过程）。虽然指令具体发起的对象描述为“形成MTJ器件”和“铜镶嵌工艺”，但本领域技术人员可以合理推断，在完整的自动化或半自动化半导体制造流程中，形成逻辑区域的第一金属化层（第一铜镶嵌）以及形成顶部互连的金属化层（第二铜镶嵌）这些关键工艺步骤，同样可以通过处理器执行相应的指令来发起和控制。这是一种常规的制造自动化实现方式。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
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