对比文件名称：JP2001311803A_Description_20260218_1610
目标专利名称：179亚微米晶片对准CN107850759B
模型名称：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括：第一透明晶片，其包括第一透镜阵列 《隐含公开》 | [0050]段：“光学元件100具有基材101和透镜102...基材101具有旋转对称或实质上旋转对称的凹部101B...凹部101B填充有与基材101折射率不同的光学材料，填充有该光学材料的凹部101B构成透镜102。”<br>[0092]段：“光学元件100和110也可以具有板状或大致板状。”<br>[0098]段：“通过使光学元件100和110的形状为长方体、大致长方体、板状或大致板状，可以防止光学元件堆叠时各透镜（其光轴）的倾斜。” | 对比文件公开了由基材和填充凹部形成的透镜构成的光学元件（如光学元件100），并且这些光学元件可以呈板状（晶片状）并堆叠。为了制造具有多个透镜的光学系统（如光学头），本领域技术人员容易想到将多个这样的透镜单元以阵列形式排列在透明基板（晶片）上，形成透镜阵列。因此，对比文件隐含公开了“第一透明晶片，其包括第一透镜阵列”。 |
| 技术特征B：第二透明晶片，其包括第二透镜阵列，所述第二透镜阵列中的每一透镜与所述第一透镜阵列中的对应透镜形成透镜对 《隐含公开》 | [0096]段：“光学元件100的下表面100B与光学元件110的上表面110U接合，使得透镜102和112的光轴位于同一直线或大致同一直线上。”<br>[0098]段：“通过使光学元件100和110的形状为长方体、大致长方体、板状或大致板状...光学元件可以通过二维方向（垂直和水平方向）的对准来堆叠...” | 对比文件公开了多个光学元件（如100和110）可以堆叠并对准，使得它们的透镜光轴对齐。为了实现批量制造和堆叠，本领域技术人员容易想到在第二透明基板（晶片）上形成第二透镜阵列，并且当与第一透镜阵列堆叠时，每个透镜与第一阵列中的对应透镜形成一对，共同构成光学通道。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征C：第一隔片晶片，其定位于所述第一透明晶片与所述第二透明晶片之间且包括包含开口阵列的隔片材料，每一透镜对中的至少一个透镜延伸到所述开口阵列中的开口中 《隐含公开》 | [0096]段：“光学元件100的下表面100B与光学元件110的上表面110U接合...”<br>说明书及附图（如图12，光学系统119）展示了光学元件100和110直接接合在一起，中间没有明确描绘出独立的“隔片晶片”。然而，在光学堆叠中，为了控制透镜间距和提供机械支撑，使用具有开口的隔片层是公知的常识。本领域技术人员在堆叠两个包含透镜阵列的晶片时，为了提供间隙并防止透镜物理接触，容易想到在它们之间插入一个带有与透镜位置对应的开口阵列的隔片层，并且透镜会至少部分地伸入这些开口中。 | 虽然对比文件没有明确描述一个独立的、带有开口阵列的“隔片晶片”位于两个透镜晶片之间，但使用隔片来控制光学元件间距是本领域的通用技术手段。为了实现如对比文件所述的透镜堆叠（光轴对齐），并考虑到制造公差和透镜曲率，引入一个具有开口阵列的隔片层是显而易见的选择，且该隔片层的开口必然与透镜对的位置对应，允许透镜伸入。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征D：第一对准标记，其设置于所述第一透明晶片上，所述第一对准标记包括定位于所述第一透镜阵列中的第一透镜周围的第一组同心环带 **《未公开》** | [0097]段：“例如，通过在基材101和111上设置用于对准的标记，例如制造半导体集成电路时使用的用于掩模对准的标记，可以利用该标记高精度地堆叠多个光学元件。” | 对比文件仅泛泛提及可以在基材上设置用于对准的“标记”（mark），类似于半导体制造中的掩模对准标记。但并未公开任何关于该标记的具体形态、结构或图案。完全没有提及“同心环带”这种特定图案，更没有提及将其“定位于透镜周围”。该特征涉及一种特定的高精度对准标记设计，对比文件没有提供任何具体教导或启示。 |
| 技术特征E：及第二对准标记，其设置于所述第二透明晶片上，所述第二对准标记包括与所述第一组同心环带互补且定位于所述第二透镜阵列中的第二透镜周围的第二组同心环带 **《未公开》** | 同上[0097]段。 | 基于与技术特征D相同的理由，对比文件未公开任何关于“第二对准标记”的具体形态，更未公开其包含与第一组“互补”的“同心环带”并定位于第二透镜周围。互补的同心环带是实现莫尔条纹对准的关键，对比文件完全没有涉及。 |
| 技术特征F：，所述第一透镜与所述第二透镜形成一个透镜对，其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。 **《未公开》** | 无相关记载。 | 该特征描述了利用互补同心环带在对准时呈现“实心环带”、未对准时产生“波纹效应”（莫尔效应）这一特定的视觉对准原理和方法。这是目标专利的核心创新点之一。对比文件中没有任何内容涉及或暗示这种利用高频互补图案产生视觉干涉效应以进行精密对准的技术手段。 |
| 技术特征G：其中所述第一透镜、所述第二透镜及在所述开口阵列中的开口周围的所述隔片材料的一部分形成具有光轴的透镜堆叠。 《隐含公开》 | [0096]段：“...使得透镜102和112的光轴位于同一直线或大致同一直线上。”<br>[0098]段：“...可以防止光学元件堆叠时各透镜（其光轴）的倾斜。”<br>结合技术特征C的论述，当堆叠第一透镜、第二透镜以及位于其间的隔片（开口周围部分）时，自然形成了一个具有共同光轴的光学堆叠结构。 | 对比文件明确教导了堆叠光学元件时要使透镜光轴对齐。当本领域技术人员如前述隐含公开内容那样引入隔片层并堆叠透镜时，由第一透镜、第二透镜以及隔片开口周边部分构成的组合体，其目的就是形成一个共光轴的光学透镜堆叠。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征H：其进一步包括分束器层，所述分束器层设置于所述第一对准标记的第一平面与所述第二对准标记的第二平面之间的光学路径中心点处。 **《未公开》** | [0118]-[0125]段， 图17-18：“光学元件150位于光学元件100和140之间，具有分束器的功能...半透明膜152位于透镜102和142之间。” | 对比文件确实公开了在光学系统（如用于光学头）中使用“分束器”（beam splitter， 光学元件150）和“半透明膜”（semitransparent film），但其用途是完全不同的：它用于分离入射光和反射光（从光盘返回的光），以实现读写功能。该分束器位于两个**透镜**（102和142）之间，而不是位于两个**对准标记**之间，更不是设置在对准标记平面之间的“光学路径中心点处”以解决同时观察上下标记的景深问题。其作用、位置和目的与目标专利中的分束器层均不相同。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其中所述第一组同心环带及所述第二组同心环带具有5μm的线厚度。 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开任何关于同心环带的内容，因此也不可能公开其具体的尺寸参数如“5μm的线厚度”。 |
| 技术特征J：其进一步包括：第三透明晶片，其包含第三透镜阵列 《隐含公开》 | [0108]-[0113]段， 图15：“光学系统149具有光学元件100、120、140...光学元件140具有基材141和透镜142。”<br>[0098]段提及可堆叠多个光学元件。 | 对比文件公开了可以堆叠两个以上的光学元件（如图15中的100、120、140），每个光学元件包含基材和透镜。基于与技术特征A相同的推理，本领域技术人员容易想到将第三个光学元件制作为包含第三透镜阵列的透明晶片。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征K：第二隔片晶片，其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料 《隐含公开》 | 参见图15，光学元件100、120、140是直接接合堆叠的，未明确显示隔片。但基于与技术特征C相同的推理，在本领域技术人员堆叠多个透镜晶片时，在它们之间引入隔片层（如第二隔片晶片）以控制间距是显而易见的，且该隔片层必然包含与透镜位置对应的开口阵列。 | 理由同技术特征C。为了实现多层透镜晶片的堆叠和对准，在第二与第三透明晶片之间设置第二隔片晶片是常规设计选择。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征L：及第三对准标记，其设置于所述第三透明晶片上，所述第三对准标记包括与所述第一组同心环带及所述第二组同心环带互补且定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记，所述第三透镜与所述第一透镜及所述第二透镜形成光学堆叠。 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开任何关于“同心环带”或“互补重复标记”的对准标记，因此也不可能公开用于第三晶片的、与之前标记互补的第三组重复标记。该特征依赖于目标专利特有的对准标记体系。 |
| 技术特征M：其进一步包括：第三透明晶片，其包含第三透镜阵列 《隐含公开》 | 同技术特征J的论述。 | 同技术特征J。该特征被隐含公开。 |
| 技术特征N：第二隔片晶片，其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料 《隐含公开》 | 同技术特征K的论述。 | 同技术特征K。该特征被隐含公开。 |
| 技术特征O：第三对准标记，其设置于所述第三透明晶片上，所述第三对准标记包括定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记，所述第三透镜与所述第二透镜阵列中的第四透镜形成一对 **《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开任何关于“重复标记”的对准标记，更未公开其定位于特定透镜周围并与另一透镜形成一对的配置。该特征未被公开。 |
| 技术特征P：第四对准标记，其设置于所述第二透明晶片上，所述第四对准标记包括与所述第三组重复标记互补且定位于所述第四透镜周围的第四组重复标记。 **《未公开》** | 无相关记载。 | 基于与技术特征O相同的理由，对比文件未公开任何关于“互补重复标记”的对准标记体系。该特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其包括：将第一组同心环带安置于第一透明晶片的第一透镜阵列中的第一透镜周围 **《未公开》** | 无相关记载。 | 该特征是一种方法步骤，涉及安置特定的对准标记（第一组同心环带）。对比文件未公开任何关于“同心环带”对准标记的内容，因此也不可能公开安置该标记的方法步骤。 |
| 技术特征R：将第二组同心环带安置于第二透明晶片的第二透镜阵列中的第二透镜周围，所述第二组同心环带与所述第一组同心环带互补 **《未公开》** | 无相关记载。 | 同技术特征Q。对比文件未公开任何关于“互补同心环带”对准标记的内容，因此也不可能公开安置该标记的方法步骤。 |
| 技术特征S：通过所述第一透明晶片及所述第一组同心环带来检视所述第二组同心环带 **《未公开》** | 无相关记载。 | 该特征描述了通过上层透明晶片来观察下层标记的对准方法，其前提是存在所述的两组互补同心环带。由于对比文件未公开这些特定的对准标记，因此也不可能公开这种特定的检视方法。 |
| 技术特征T：及使用所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片，其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。 **《未公开》** | 无相关记载。 | 该特征概括了利用互补同心环带的重叠图案（实心环带或波纹效应）进行对准的完整方法。这是目标专利的核心对准方法。对比文件仅提及使用“标记”进行对准，但未公开任何具体方法，尤其未公开这种利用高频互补图案的视觉对准法。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征U：其中所述检视包括捕捉所述第一组同心环带及所述第二组同心环带的图像数据，且其中所述对准包括经由硬件处理器而比较所述图像数据与至少一个模板图像以确定所述第一组同心环带与所述第二组同心环带是否对准。 **《未公开》** | 无相关记载。 | 该特征涉及自动化的图像捕捉和模板匹配对准方法，其基础是特定的同心环带标记。对比文件未公开这些标记，也未公开任何自动化的图像处理对准方法。 |
| 技术特征V：其进一步包括：将分束器层安置于所述第一组同心环带与所述第二组同心环带之间的光学路径中心点处 **《未公开》** | 无相关记载。 | 该特征涉及将分束器层用于特定的对准标记之间。对比文件公开的分束器用于不同的光学目的（光路分离），而非用于对准标记的观察，也未提及将其安置在对准标记之间的光学路径中心点。 |
| 技术特征W：使显微镜物镜聚焦于所述第二组同心环带上 **《未公开》** | 无相关记载。 | 该特征涉及使用显微镜物镜观察特定对准标记的具体步骤。对比文件未公开使用显微镜进行对准，也未公开所述的对准标记。 |
| 技术特征X：检视所述第二组同心环带以及所述第一组同心环带经由所述分束器层的反射 **《未公开》** | 无相关记载。 | 该特征描述了通过分束器同时观察上下对准标记的特定方法，是目标专利解决景深问题的关键。对比文件未公开任何与此相关的内容。 |
| 技术特征Y：及使用通过所述显微镜物镜所检视的所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片。 **《未公开》** | 无相关记载。 | 该特征是方法特征T的进一步具体化，结合了分束器和显微镜观察。对比文件未公开任何相关内容。 |
| 技术特征Z：其中所述聚焦、所述检视及所述对准由一或多个物理计算装置以编程方式执行。 **《未公开》** | 无相关记载。 | 该特征涉及对准过程的自动化控制。对比文件未公开任何关于通过编程方式执行对准过程的内容。 |
### 结论
根据上述比对分析，对比文件JP2001311803A隐含公开了技术特征A、B、C、G、J、K、M、N。这些特征主要涉及光学元件（晶片）的堆叠、透镜阵列的形成、隔片层的使用以及形成共光轴堆叠的基本概念，这些都是本领域技术人员基于对比文件公开的内容能够直接推导或显而易见扩展得到的。
然而，对比文件**没有公开**目标专利权利要求中涉及特定对准方案的核心技术特征，包括但不限于：使用**互补的同心环带（或其他重复标记）作为对准标记**（特征D, E, F, I, L, O, P, Q, R, S, T, U）、将**分束器层用于对准标记的观察**以解决景深问题（特征H, V, W, X, Y）、以及相关的**自动化对准方法步骤**（特征Z）。这些特征构成了目标专利旨在解决的“亚微米晶片对准”特定技术问题的创新性解决方案。
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