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对比文件列表
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2026-02-23 21:29
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# 特征比对分析

## 对比文件信息

- **对比文件名称**:JP2002122412A_Description_20260218_1611(位置检测装置、曝光设备及微器件制造方法)

- **目标专利名称**:179亚微米晶片对准CN107850759B

- **模型名称**:DeepSeek最新版本模型

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:其包括:第一透明晶片,其包括第一透镜阵列<br>**未公开**无相关记载对比文件涉及光刻工艺中的位置检测装置和曝光设备,主要描述掩模与晶片的对准、FIA系统、对准AF系统、LSA系统等。未提及任何包含透镜阵列的透明晶片。对比文件中的晶片(wafer)是半导体制造中的衬底或光敏衬底,并非目标专利中具有透镜阵列的光学透明晶片。
**技术特征B**:第二透明晶片,其包括第二透镜阵列,所述第二透镜阵列中的每一透镜与所述第一透镜阵列中的对应透镜形成透镜对<br>**未公开**无相关记载对比文件未提及任何透镜阵列或透镜对的形成。其关注的是掩模图案在晶片上的曝光转移,而非多个透明晶片之间透镜的光学对准。
**技术特征C**:第一隔片晶片,其定位于所述第一透明晶片与所述第二透明晶片之间且包括包含开口阵列的隔片材料,每一透镜对中的至少一个透镜延伸到所述开口阵列中的开口中<br>**未公开**无相关记载对比文件未描述任何位于两个透明晶片之间的隔片晶片结构。虽然提及了晶片(wafer)和可能的间隔,但非目标专利中定义的具有开口阵列以容纳透镜的隔片晶片。
**技术特征D**:第一对准标记,其设置于所述第一透明晶片上,所述第一对准标记包括定位于所述第一透镜阵列中的第一透镜周围的第一组同心环带<br>**未公开**对比文件提及对准标记(alignment marks)或晶片标记(wafer marks),例如[0002]段:“alignment marks for alignment, that is, wafer marks are formed in each exposure region of the wafer.” 但未描述这些标记的具体形状或图案,更未提及“同心环带”。对比文件公开了在晶片上设置对准标记的一般概念,但未公开目标专利中特定的“第一组同心环带”结构,尤其未公开该环带定位于透镜周围。对比文件的对准标记用于光刻中的套刻对准,而非用于透镜堆叠的亚微米对准。
**技术特征E**:及第二对准标记,其设置于所述第二透明晶片上,所述第二对准标记包括与所述第一组同心环带互补且定位于所述第二透镜阵列中的第二透镜周围的第二组同心环带<br>**未公开**无相关记载对比文件未公开任何互补的同心环带组,也未公开这些环带设置在第二透明晶片的透镜周围。
**技术特征F**:,所述第一透镜与所述第二透镜形成一个透镜对,其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。<br>**未公开**无相关记载对比文件完全没有提及通过互补环带的对准来产生“实心环带”视觉效果或“波纹效应”(moire effect)。这是目标专利特有的技术手段和效果。
**技术特征G**:其中所述第一透镜、所述第二透镜及在所述开口阵列中的开口周围的所述隔片材料的一部分形成具有光轴的透镜堆叠。<br>**未公开**无相关记载对比文件未描述由透镜、隔片材料开口形成的“透镜堆叠”结构及其“光轴”。
**技术特征H**:其进一步包括分束器层,所述分束器层设置于所述第一对准标记的第一平面与所述第二对准标记的第二平面之间的光学路径中心点处。<br>**未公开**对比文件多次提及“半棱镜”(half prism)作为分束器,例如[0005]段:“an optical path division such as a half prism arranged in the optical path of the FIA imaging optical system”,以及[0033]段图3描述中“half prism 106”。对比文件公开了在光学路径中使用分束器(半棱镜),但其应用场景和作用与目标专利不同。对比文件中的分束器用于组合或分离多个检测系统(如FIA、AF、LSA)的光路,以减少像差和光量损失,或用于索引标记的成像。**未被公开的是**:将分束器层专门设置在两个对准标记平面之间的光学路径中心点处,以便显微镜物镜能同时清晰观察两个标记,从而实现晶片的亚微米对准。对比文件的分束器并非用于此目的,也未提及“光学路径中心点”的定位。
**技术特征I**:其中所述第一组同心环带及所述第二组同心环带具有5μm的线厚度。<br>**未公开**无相关记载对比文件未提及对准标记的具体尺寸,如“5μm的线厚度”。
**技术特征J**:其进一步包括:第三透明晶片,其包含第三透镜阵列<br>**未公开**无相关记载对比文件未提及包含透镜阵列的第三透明晶片。
**技术特征K**:第二隔片晶片,其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料<br>**未公开**无相关记载对比文件未提及第二隔片晶片。
**技术特征L**:及第三对准标记,其设置于所述第三透明晶片上,所述第三对准标记包括与所述第一组同心环带及所述第二组同心环带互补且定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记,所述第三透镜与所述第一透镜及所述第二透镜形成光学堆叠。<br>**未公开**无相关记载对比文件未公开涉及三个晶片、三组互补标记形成光学堆叠的复杂对准系统。
**技术特征M**:其进一步包括:第三透明晶片,其包含第三透镜阵列<br>**未公开**同技术特征J同技术特征J论述。
**技术特征N**:第二隔片晶片,其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料<br>**未公开**同技术特征K同技术特征K论述。
**技术特征O**:第三对准标记,其设置于所述第三透明晶片上,所述第三对准标记包括定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记,所述第三透镜与所述第二透镜阵列中的第四透镜形成一对<br>**未公开**无相关记载对比文件未公开此类复杂的多层标记配置。
**技术特征P**:第四对准标记,其设置于所述第二透明晶片上,所述第四对准标记包括与所述第三组重复标记互补且定位于所述第四透镜周围的第四组重复标记。<br>**未公开**无相关记载对比文件未公开此类复杂的多层标记配置。
**技术特征Q**:其包括:将第一组同心环带安置于第一透明晶片的第一透镜阵列中的第一透镜周围<br>**未公开**无相关记载对比文件未公开“安置同心环带于透镜周围”的方法步骤。
**技术特征R**:将第二组同心环带安置于第二透明晶片的第二透镜阵列中的第二透镜周围,所述第二组同心环带与所述第一组同心环带互补<br>**未公开**无相关记载对比文件未公开安置互补同心环带的方法。
**技术特征S**:通过所述第一透明晶片及所述第一组同心环带来检视所述第二组同心环带<br>**未公开**对比文件描述了通过光学系统检视晶片上的标记,例如FIA系统成像晶片标记[0002],但未提及通过一个透明晶片检视另一个晶片上的互补环带。对比文件公开了检视晶片标记的一般概念,但未公开目标专利中特定的检视场景:通过第一透明晶片(及其上的环带)来检视第二透明晶片上的互补环带。目标专利此步骤旨在利用晶片的透明性直接观察重叠效果,而对比文件中的检视通常涉及照明和通过物镜成像。
**技术特征T**:及使用所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片,其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。<br>**未公开**无相关记载对比文件未公开利用互补环带的重叠产生的“实心环带”或“波纹效应”来进行晶片对准的方法。这是目标专利特有的对准原理。
**技术特征U**:其中所述检视包括捕捉所述第一组同心环带及所述第二组同心环带的图像数据,且其中所述对准包括经由硬件处理器而比较所述图像数据与至少一个模板图像以确定所述第一组同心环带与所述第二组同心环带是否对准。<br>**隐含公开 (u)**对比文件描述了FIA系统捕捉对准标记的图像并进行图像处理以检测标记位置。[0002]段:“the image data of the imaged alignment mark is image-processed to perform alignment. Detect mark position.” [0031]段:“FIA (Field Image Alignment) system 1 for detecting the position... based on the image information of the captured wafer mark”。信号处理系统处理CCD输出信号以获得位置信息。对比文件隐含公开了:1)捕捉对准标记的图像数据(使用CCD);2)通过信号处理系统(可视为硬件处理器)处理图像数据以进行对准判断。虽然对比文件未明确提及与“模板图像”比较,但其图像处理以检测标记位置的过程,本领域技术人员可以合理推断可能涉及与参考图案或预期位置(可视为一种模板)的比较,以确定是否对准。然而,该技术特征在对比文件中的作用是用于光刻中的套刻对准,而非专门用于基于互补环带图案的晶片对准。鉴于隐含公开判断标准宽松,认为该特征被隐含公开。
**技术特征V**:其进一步包括:将分束器层安置于所述第一组同心环带与所述第二组同心环带之间的光学路径中心点处<br>**未公开**对比文件提及在光学路径中使用半棱镜(分束器),如技术特征H所述。同技术特征H论述。对比文件未公开将分束器层安置于两组环带之间的光学路径中心点处的具体方法步骤。
**技术特征W**:使显微镜物镜聚焦于所述第二组同心环带上<br>**隐含公开 (w)**对比文件涉及使用物镜(objective lens)成像。例如[0033]段图3描述:“via the first objective lens 107”。整个系统包含成像光学系统,必然涉及聚焦。对比文件隐含公开了使用物镜并使其聚焦于被检视物体(如晶片标记)上。虽然未特指“显微镜物镜”聚焦于“第二组同心环带”,但使用物镜聚焦于标记上是光学检测系统的常规操作。本领域技术人员可以合理推断,在使用类似系统检视标记时,需要使物镜聚焦于标记上。
**技术特征X**:检视所述第二组同心环带以及所述第一组同心环带经由所述分束器层的反射<br>**未公开**对比文件描述了通过光学系统检视标记,以及使用分束器(半棱镜)反射光路。例如,在FIA系统中,半棱镜106用于将照明光反射向晶片,并让反射光透过朝向探测器[0033]。对比文件未公开检视一个标记以及另一个标记通过分束器层的反射像,以实现两个标记仿佛在同一平面被同时观察的具体场景。对比文件中分束器的作用主要是照明光路与成像光路的分离/组合,而非专门用于创造两个标记的虚拟共面图像以进行对准。
**技术特征Y**:及使用通过所述显微镜物镜所检视的所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片。<br>**未公开**无相关记载对比文件未公开使用通过显微镜物镜检视的两个环带的重叠来进行对准。其对准是基于单个标记位置的检测。
**技术特征Z**:其中所述聚焦、所述检视及所述对准由一或多个物理计算装置以编程方式执行。<br>**隐含公开 (z)**对比文件提及由控制系统驱动执行。[0030]段:“The mask stage MST is driven by a mask stage controller... based on a command from a main control system”。[0031]段:“Wafer stage WST is driven by a wafer stage controller... based on a command from a main control system”。整个曝光和对准过程涉及自动化控制。对比文件隐含公开了聚焦(通过光学系统自动调焦或预设)、检视(通过自动图像捕捉)和对准(通过控制器驱动晶片台)可以由物理计算装置(如主控制系统、阶段控制器)以编程方式执行。这是现代精密光刻设备的常规配置。本领域技术人员可以合理推断这些功能是自动化执行的。

## 总结

对比文件JP2002122412A公开了一种用于光刻工艺的复杂位置检测装置,集成了FIA、对准AF和LSA系统,用于检测晶片上的对准标记并控制晶片与掩模的对准。虽然它涉及对准标记、分束器(半棱镜)、图像捕捉和处理以及自动化控制等通用概念,**但并未公开目标专利的核心发明点**:即针对**光学晶片堆叠**(包含透镜阵列的透明晶片和隔片晶片)的**亚微米对准**,以及实现该对准的**特定技术手段**,包括:

1. 使用**互补的同心环带**作为对准标记,并利用其重叠产生实心环带或波纹效应的视觉反馈。

2. 将**分束器层**精确设置在两个对准标记之间的**光学路径中心点**,以使显微镜能同时清晰观察两个标记。

3. 上述结构与方法在**晶片级光学件(如透镜堆叠)制造**中的具体应用。

对比文件的技术领域(光刻中的掩模-晶片对准)、要解决的技术问题(减少多系统视野合成时的像差和光损,实现高精度套刻)与技术方案均与目标专利有本质区别。因此,对比文件未直接公开目标专利权利要求的大部分技术特征。

仅对于个别涉及通用图像处理、自动聚焦和控制的技术特征(U, W, Z),基于宽松的隐含公开标准,认为可能被隐含公开。

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