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权利要求与技术特征

G 所述控制电压产生器包含控制单元，其用以基于所述检测到的峰值电压产生数字控制，和数/模转换器DAC，其用以接收所述数字控制并产生用于所述第二开关的所述可变控制电压。

H 所述控制电压产生器基于包含所述检测到的峰值电压的至少一个参数的函数产生所述可变控制电压。

I 所述第二开关包含至少一个金属氧化物半导体MOS晶体管，且所述至少一个参数进一步包含所述至少一个MOS晶体管的阈值电压或击穿电压，或阈值电压与击穿电压两者。

J 所述可变控制电压针对越来越大的检测到的峰值电压而具有越来越大的量值。

K 所述第二开关包含多个金属氧化物半导体MOS晶体管，其以堆叠配置耦合，和多个电阻器，其耦合到所述多个MOS晶体管的栅极，所述可变控制电压经由所述多个电阻器而被施加到所述多个MOS晶体管的所述栅极。

L 所述峰值电压检测器基于所述输入信号的峰值电压测量或均方根RMS测量或峰值电压测量与RMS测量两者来检测所述输入信号的所述峰值电压。

M 其包含： 第一开关，其用以在一个端子处接收输入信号且接通
N 第二开关，其用以在输入端子处接收第二输入信号且断开
O 峰值电压检测器，其用以检测所述第一开关的所述输入信号的峰值电压，所述峰值电压检测器具有耦合到所述第一开关的输入端子的输入
P 控制电压产生器，其用以基于所述检测到的峰值电压产生数字控制，且基于所述数字控制产生可变控制电压以使所述第一开关接通，所述第二开关的控制电压独立于所述第一开关的所述可变控制电压。

Q 所述控制电压产生器包含控制单元，其用以基于所述检测到的峰值电压产生所述数字控制，和数/模转换器DAC，其用以接收所述数字控制且产生用于所述第一开关的所述可变控制电压。

R 所述可变控制电压针对越来越大的检测到的峰值电压而具有越来越大的量值。

S 其包含： 第一开关，其用以在一个端子处接收输入信号
T 第二开关，其用以在输入端子处接收输入信号且断开
U 峰值电压检测器，其用以检测所述第一开关的所述输入信号的峰值电压，所述峰值电压检测器具有耦合到所述第一开关的输入端子的输入
V 控制电压产生器，其用以基于所述检测到的峰值电压产生控制电压以使所述第二开关断开或接通，所述第一开关的控制电压独立于所述第二开关的所述控制电压。

W 所述第二开关在断开时阻挡所述输入信号且在接通时使所述输入信号衰减。

X 所述控制电压产生器产生所述控制电压以在所述检测到的峰值电压低于第一电平时使所述第二开关断开且在所述检测到的峰值电压高于第二电平时使所述第二开关接通，所述第二电平等于或高于所述第一电平。

Y 所述控制电压产生器在所述检测到的峰值电压低于所述第一电平时基于所述检测到的峰值电压产生可变控制电压以使所述第二开关断开。

Z 所述控制电压产生器在所述检测到的峰值电压高于所述第二电平时基于所述检测到的峰值电压产生可变控制电压以使所述第二开关接通。
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