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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括： 第一场效应晶体管FET，包括第一栅极、第一漏极和第一源极，其中所述第一栅极被配置用于接收输入信号
B
第二FET，包括第二栅极、第二漏极和第二源极，其中所述第二栅极被配置用于接收恒定参考电压
C
以及多个可选电阻路径，其中每个可选电阻路径包括在所述第一源极和所述第二源极之间的串联耦合的电阻器和选择FET，
D
其中所述选择FET被配置用于基于选择信号耦合在所述第一源极和所述第二源极之间的对应可选电阻路径，
E
以及其中所述选择FET包括直接耦合至所述第二源极的源极。
权利要求 2
F
还包括： 第三FET，包括第三栅极、第三漏极和第三源极
G
第一负载电阻器，在第一电压轨和第二电压轨之间与所述第一FET和所述第三FET串联耦合
H
第四FET，包括第四栅极、第四漏极和第四源极，其中所述第四FET的所述第四栅极和所述第三FET的所述第三栅极被耦合在一起并且被配置用于接收用于设置通过所述第三FET和所述第四FET的漏极-源极电流的偏置电压
I
第二负载电阻器，在所述第一电压轨和所述第二电压轨之间与所述第二FET和所述第四FET串联耦合，其中在位于所述第一FET和所述第一负载电阻器之间的第一节点以及位于所述第二FET和所述第二负载电阻器之间的第二节点产生输出信号。
权利要求 3
J
其中所述第一FET和所述第二FET分别包括第一PMOS器件和第二PMOS器件。
权利要求 4
K
其中所述选择FET包括选择PMOS FET，所述选择PMOS FET包括耦合到对应的可选电阻路径的所述电阻器的漏极、以及被配置用于接收所述选择信号的栅极。
权利要求 5
L
其中所述第一FET和所述第二FET分别包括第一NMOS器件和第二NMOS器件。
权利要求 6
M
其中所述选择FET包括选择NMOS FET，所述选择NMOS FET包括耦合到对应的可选电阻路径的所述电阻器的漏极、以及被配置用于接收所述选择信号的栅极。
权利要求 7
N
还包括可变电容元件，所述可变电容元件耦合在所述第一源极和所述第二源极之间。
权利要求 8
O
还包括多个可选电容路径，其中每个可选电容路径包括电容器，所述电容器与另一选择器件串联耦合，并且其中所述另一选择器件被配置用于基于另一选择信号来耦合所述第一源极和所述第二源极之间的对应的可选电容路径。
权利要求 9
P
其中所述第一FET和所述第二FET分别耦合在第一电压轨和第二电压轨之间，其中所述第一电压轨被配置用于接收第一轨电压，其中所述第二电压轨被配置用于接收第二轨电压，以及其中所述恒定参考电压基本上在所述第一轨电压和所述第二轨电压之间的中间。
权利要求 10
Q
其中所述每个可选电阻路径仅包括所述电阻器和所述选择FET。