对比文件：2006-12-27_EP1737047A_发明公开_EP1737047A1 PHOTODIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
目标专利：994用于检测光子的装置和方法CN105765732B
调用模型：当前大语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括半导体**<br>《直接公开》 | [0049] “...n+-type semiconductor layer 2 formed on a portion of substrate 1... n--type semiconductor layer 3 provided on a portion of n+-type semiconductor layer 2;...”<br>翻译：“...形成在基底1的一部分上的n+型半导体层2...设置在n+型半导体层2的一部分上的n-型半导体层3...” | 对比文件明确公开了n+型半导体层2和n-型半导体层3，属于半导体材料，目标专利的半导体包括但不限于硅等，对比文件公开了该特征，且作用均为构成光电转换的基础部分，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征B：不对称电极布置，该不对称电极布置包括第一电极、与跨越所述半导体的一部分的所述第一电极分离的第二电极、以及与至少所述第一电极相关联的至少一个表面等离子体激元生成器**<br>《直接公开》 | [0049] “...metal periodic structure member 4 that contacts n--type semiconductor layer 3 and that has electrical conductivity; first electrode (anode electrode) 5 connected to metal periodic structure member 4; second electrode (cathode electrode) 8 that confronts first electrode 5 and contacts n+-typs semiconductor layer 2;...”<br>翻译：“...接触n-型半导体层3并具有导电性的金属周期性结构件4；连接至金属周期性结构件4的第一电极（阳极电极）5；与第一电极5相对并接触n+型半导体层2的第二电极（阴极电极）8...” | 对比文件中，第一电极5和第二电极8跨越半导体层（n-型层3和n+型层2）分离。金属周期性结构件4作为表面等离子体激元生成器，与第一电极5关联（通过直接连接），而第二电极8未与该生成器关联，形成了不对称的电极布置。该特征的作用与目标专利相同，均用于产生不对称光电响应，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征C：其中所述表面等离子体激元生成器包括与连续的导电材料组合的光耦合器**<br>《直接公开》 | [0053] “...a periodic structure composed of concentric surface irregularities is formed in metal periodic structure member 4 with this aperture as a center...” <br>翻译：“...以该孔为中心，在金属周期性结构件4中形成由同心表面凹凸构成的周期性结构...”<br>[0050] “...metal periodic structure member 4 contacts n--type semiconductor layer 3 only at aperture 6 and positions in the vicinity of aperture 6...”<br>翻译：“...金属周期性结构件4仅在孔6和孔6附近的位置接触n-型半导体层3...” | 对比文件的金属周期性结构件4由连续的导电材料（如银）构成，其上的周期性表面凹凸结构（同心光栅）作为光耦合器，用于将入射光耦合为表面等离子体激元。这与目标专利中“光耦合器与连续的导电材料组合”完全对应，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征D：所述第一电极从与所述半导体不接触的第一区域延伸到与所述半导体接触的第二区域**<br>《直接公开》 | [0050] “...metal periodic structure member 4 contacts n--type semiconductor layer 3 only at aperture 6 and positions in the vicinity of aperture 6... In other locations, insulating layer 7 is provided between metal periodic structure member 4 and n+-type semiconductor layer 2 or substrate 1. First electrode 5 is provided on insulating layer 7 and connects to metal periodic structure member 4.”<br>翻译：“...金属周期性结构件4仅在孔6和孔6附近的位置接触n-型半导体层3...在其他位置，绝缘层7设置在金属周期性结构件4与n+型半导体层2或基底1之间。第一电极5设置在绝缘层7上并连接至金属周期性结构件4。” | 对比文件中，第一电极5连接至金属周期性结构件4。金属周期性结构件4具有与半导体不接触的区域（通过绝缘层7隔离）和与半导体接触的区域（孔6附近）。第一电极5通过金属周期性结构件4实现了从不接触区域到接触区域的延伸，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征E：其中在所述第一区域处的所述第一电极与所述光耦合器相关联**<br>《直接公开》 | [0053] “...a periodic structure composed of concentric surface irregularities is formed in metal periodic structure member 4 with this aperture as a center...” <br>翻译：“...以该孔为中心，在金属周期性结构件4中形成由同心表面凹凸构成的周期性结构...”<br>[0050] “First electrode 5 is provided on insulating layer 7 and connects to metal periodic structure member 4.”<br>翻译：“第一电极5设置在绝缘层7上并连接至金属周期性结构件4。” | 对比文件中，光耦合器（周期性表面凹凸结构）形成在金属周期性结构件4上，而第一电极5与金属周期性结构件4连接。因此，在第一电极5的与半导体不接触的区域（即位于绝缘层7上的部分），第一电极5通过金属周期性结构件4与该光耦合器相关联，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征F：其中与所述第二区域相比，所述第一区域进一步远离于所述第二电极**<br>《直接公开》 | [0049] “...first electrode (anode electrode) 5 connected to metal periodic structure member 4; second electrode (cathode electrode) 8 that confronts first electrode 5 and contacts n+-typs semiconductor layer 2...”<br>翻译：“...连接至金属周期性结构件4的第一电极（阳极电极）5；与第一电极5相对并接触n+型半导体层2的第二电极（阴极电极）8...”<br>[0050] “...metal periodic structure member 4 contacts n--type semiconductor layer 3 only at aperture 6 and positions in the vicinity of aperture 6...”<br>翻译：“...金属周期性结构件4仅在孔6和孔6附近的位置接触n-型半导体层3...” | 对比文件中，第一区域是金属周期性结构件4中与半导体不接触的部分（通过绝缘层7隔离），第二区域是靠近孔6接触半导体的部分。第二电极8位于半导体层的另一位置（接触n+型区域），显然，第一区域（位于绝缘层上的远端）比第二区域（靠近孔6的接触点）距离第二电极8更远，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征G：所述第一区域进一步远离于所述第二电极**<br>《直接公开》 | [0049] “...first electrode (anode electrode) 5 connected to metal periodic structure member 4; second electrode (cathode electrode) 8 that confronts first electrode 5 and contacts n+-typs semiconductor layer 2...”<br>翻译：“...连接至金属周期性结构件4的第一电极（阳极电极）5；与第一电极5相对并接触n+型半导体层2的第二电极（阴极电极）8...”<br>[0050] “...metal periodic structure member 4 contacts n--type semiconductor layer 3 only at aperture 6 and positions in the vicinity of aperture 6...”<br>翻译：“...金属周期性结构件4仅在孔6和孔6附近的位置接触n-型半导体层3...” | 参见技术特征F的论述，对比文件明确公开了第一区域（金属周期性结构件4中绝缘层上的部分）比第二区域（接触半导体的孔附近部分）更远离第二电极8，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征H：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为在至少与线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极**<br>《隐含公开》 | [0053] “...a periodic structure composed of concentric surface irregularities is formed in metal periodic structure member 4 with this aperture as a center...” <br>翻译：“...以该孔为中心，在金属周期性结构件4中形成由同心表面凹凸构成的周期性结构...”<br>[0051] “...Incident light 11 excites the surface plasmon in metal periodic structure member 4 and couples with this surface plasmon to produce a resonant state with the surface plasmon by means of the periodic structure.”<br>翻译：“...入射光11激发金属周期性结构件4中的表面等离子体，并通过该周期性结构与表面等离子体产生共振状态。” | 对比文件公开了通过周期性结构实现入射光子与表面等离子体的波矢匹配。虽然对比文件的周期性结构是同心圆，没有明确指定动量给予方向，但根据表面等离子体激元原理，为了将光子耦合为沿表面传播的等离子体，必须在平行于界面的方向提供动量分量。在对比文件中，线（通过第一电极5、半导体部分和第二电极8）是连接阳极和阴极的路径，表面等离子体必然沿着该方向（或包含其分量）传播以实现光电转换。本领域技术人员可以合理推断，为了实现表面等离子体共振并通过电极检测，动量成分必须在至少平行于该线的方向给予入射光子，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为优选地在与所述线平行的方向中将动量的成分给予入射光子，所述线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极**<br>《隐含公开》 | [0053] “...a periodic structure composed of concentric surface irregularities is formed in metal periodic structure member 4 with this aperture as a center...” <br>翻译：“...以该孔为中心，在金属周期性结构件4中形成由同心表面凹凸构成的周期性结构...”<br>[0051] “...Incident light 11 excites the surface plasmon in metal periodic structure member 4 and couples with this surface plasmon to produce a resonant state with the surface plasmon by means of the periodic structure.”<br>翻译：“...入射光11激发金属周期性结构件4中的表面等离子体，并通过该周期性结构与表面等离子体产生共振状态。” | 对比文件未明确使用“优选”一词，但基于表面等离子体激元传播和电极检测的物理过程，沿着连接第一电极5和第二电极8的线方向传播的等离子体对产生可检测的光电流贡献最大。虽然存在其他方向的动量成分（如同心圆结构的径向），但为了有效传输至半导体生成电子-空穴对并被电极收集，等离子体激元的主要传播方向必然平行于该线。本领域技术人员从对比文件描述的器件结构和功能可以合理推断该优选方向，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征J：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为生成表面等离子体激元并且将所生成的表面等离子体激元传送给所述半导体**<br>《直接公开》 | [0051] “...Incident light 11 excites the surface plasmon in metal periodic structure member 4 and couples with this surface plasmon to produce a resonant state with the surface plasmon by means of the periodic structure. The generation of this resonant state generates strong near-field light in the vicinity of the semiconductor surface on the opposite surface of the light-incident surface of aperture 6 that is located in the center of metal periodic structure member 4. This near-field light generates electron-hole pairs in the depletion layer that accompanies the Schottky barrier on the semiconductor side of the vicinity of aperture 6...”<br>翻译：“...入射光11激发金属周期性结构件4中的表面等离子体，并通过该周期性结构与表面等离子体产生共振状态。这种共振状态的产生在位于金属周期性结构件4中心的孔6的与光入射面相对的半导体表面附近产生强近场光。这种近场光在孔6附近的半导体侧的与肖特基势垒相伴的耗尽层中产生电子-空穴对...” | 对比文件明确描述了表面等离子体激元的生成（通过入射光和周期性结构耦合），并将生成的表面等离子体以近场光的形式传送给半导体，从而产生电子-空穴对。这与目标专利的特征完全相同，包括“生成”和“传送”两个动作，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征K：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：在沿着线的方向中提供在至少数微米上的连续等离子体，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极**<br>《隐含公开》 | [0053] “...The period of the surface irregularities of metal periodic structure member 4 is the resonance wavelength of the surface plasmon... The film thickness of metal periodic structure member 4 is preferably set to at least 100 nm... and because excessive film thickness weakens the near-field light in the vicinity of aperture 6, the film thickness must be no greater than 1000 nm.”<br>翻译：“...金属周期性结构件4的表面凹凸的周期是表面等离子体的共振波长...金属周期性结构件4的膜厚优选为至少100nm...并且由于膜厚过大会削弱孔6附近的近场光，膜厚必须不大于1000nm。”<br>[0055] “The area over which n--type semiconductor layer 3 contacts metal periodic structure 4 is set to substantially overlap the region of aperture 6... the junction area between metal periodic structure member 4 and n--type semiconductor layer is normally set larger than the diameter of aperture 6 by the lithography positioning error, i.e., on the order of 10 nm to 500 nm on each side.”<br>翻译：“n-型半导体层3接触金属周期性结构件4的区域被设置为基本上与孔6的区域重叠...金属周期性结构件4与n-型半导体层之间的结面积通常被设置为比孔6的直径大，大出的量为光刻定位误差，即每侧约10nm至500nm。” | 对比文件中的金属周期性结构件4具有连续导电性，表面等离子体在金属-介电界面传播。虽然对比文件着重描述近场光在孔6附近的局域增强，但为了将等离子体从入射点（周期性结构区域）传送至半导体接触区域（孔6附近），表面等离子体必然沿着金属-空气/绝缘层界面传播。对比文件中的金属结构件4的尺寸通常在数微米至数十微米（例如[0091]提到外径约20µm），足以提供连续的等离子体通道。本领域技术人员可以合理推断，为了实现有效传输，等离子体在沿着连接第一电极5和第二电极8的线的方向上必须是连续存在的，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征L：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的等离子体**<br>《隐含公开》 | [0050] “...metal periodic structure member 4 contacts n--type semiconductor layer 3 only at aperture 6 and positions in the vicinity of aperture 6... In other locations, insulating layer 7 is provided between metal periodic structure member 4 and n+-type semiconductor layer 2 or substrate 1.”<br>翻译：“...金属周期性结构件4仅在孔6和孔6附近的位置接触n-型半导体层3...在其他位置，绝缘层7设置在金属周期性结构件4与n+型半导体层2或基底1之间。”<br>[0051] “...This near-field light generates electron-hole pairs in the depletion layer that accompanies the Schottky barrier on the semiconductor side of the vicinity of aperture 6...”<br>翻译：“...这种近场光在孔6附近的半导体侧的与肖特基势垒相伴的耗尽层中产生电子-空穴对...” | 对比文件中，金属周期性结构件4与半导体不接触的区域（被绝缘层7隔离）和接触的区域（孔6附近）是连续的。表面等离子体激元在金属表面传播，从远端的周期性结构区域（不接触半导体）生成并沿着金属表面传播至孔6附近的半导体接触区域。虽然对比文件强调近场光在接触区域产生电子-空穴对，但等离子体本身作为电磁波在金属表面是连续的，可以从不接触区域传播至接触区域。本领域技术人员可以合理推断这种连续性，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征M：其中所述表面等离子体激元生成器被配置为：从不接触所述半导体的区域到接触所述半导体的区域提供连续的金属**<br>《直接公开》 | [0050] “...metal periodic structure member 4 contacts n--type semiconductor layer 3 only at aperture 6 and positions in the vicinity of aperture 6... In other locations, insulating layer 7 is provided between metal periodic structure member 4 and n+-type semiconductor layer 2 or substrate 1. First electrode 5 is provided on insulating layer 7 and connects to metal periodic structure member 4.”<br>翻译：“...金属周期性结构件4仅在孔6和孔6附近的位置接触n-型半导体层3...在其他位置，绝缘层7设置在金属周期性结构件4与n+型半导体层2或基底1之间。第一电极5设置在绝缘层7上并连接至金属周期性结构件4。” | 对比文件明确公开了金属周期性结构件4是一个连续的金属结构，它的一部分（通过绝缘层7）不接触半导体，另一部分（孔6附近）接触半导体。这种连续的金属结构提供了从不接触区域到接触区域的导电路径和表面等离子体传播路径，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征N：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性至少在平行于线的方向中，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极**<br>《隐含公开》 | [0053] “...a periodic structure composed of concentric surface irregularities is formed in metal periodic structure member 4 with this aperture as a center...” <br>翻译：“...以该孔为中心，在金属周期性结构件4中形成由同心表面凹凸构成的周期性结构...”<br>[0059] “...slit 12 is formed in place of aperture 6, and the surface irregularities of the metal periodic structure member are not formed as concentric surface irregularities but as parallel grooves.”<br>翻译：“...代替孔6形成狭缝12，金属周期性结构件的表面凹凸不是形成为同心凹凸，而是形成为平行沟槽。” | 对比文件公开了两种周期性结构：同心圆和平行沟槽。对于平行沟槽结构（图11），其周期性方向垂直于沟槽延伸方向。当第一电极、半导体和第二电极之间的线平行于沟槽延伸方向时，周期性在平行于该线的方向上具有分量（通过沟槽的重复排列）。对于同心圆结构，虽然主要周期性是径向的，但在任何通过中心的线上，周期性结构也具有周期性的投影分量。本领域技术人员可以合理推断，通过设计周期性方向，可以使其在平行于该线的方向上具有周期性，以实现波矢匹配，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征O：其中所述表面等离子体激元生成器包括具有周期性的周期结构，其中所述周期性平行于线，该线通过所述第一电极、所述半导体的部分和所述第二电极**<br>《隐含公开》 | [0059] “...slit 12 is formed in place of aperture 6, and the surface irregularities of the metal periodic structure member are not formed as concentric surface irregularities but as parallel grooves.”<br>翻译：“...代替孔6形成狭缝12，金属周期性结构件的表面凹凸不是形成为同心凹凸，而是形成为平行沟槽。” | 对比文件明确公开了平行沟槽形式的周期结构。当连接第一电极、半导体和第二电极的线垂直于沟槽方向时，周期性方向（沟槽的重复方向）平行于该线。本领域技术人员可以合理推断，通过适当设计沟槽取向，可以使周期性方向平行于该线，从而优化表面等离子体激元的耦合效率，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征P：其中所述周期结构是周期光栅**<br>《直接公开》 | [0053] “...a periodic structure composed of concentric surface irregularities is formed in metal periodic structure member 4 with this aperture as a center...” <br>翻译：“...以该孔为中心，在金属周期性结构件4中形成由同心表面凹凸构成的周期性结构...”<br>[0059] “...the surface irregularities of the metal periodic structure member are not formed as concentric surface irregularities but as parallel grooves.”<br>翻译：“...金属周期性结构件的表面凹凸不是形成为同心凹凸，而是形成为平行沟槽。” | 对比文件中的“周期性表面凹凸”结构（包括同心圆和平行沟槽）均属于周期光栅的定义范畴，用于实现入射光与表面等离子体的耦合。因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征Q：其中所述表面等离子体激元生成器包括导电材料，该导电材料包括表面，其中所述表面是连续的并且包括周期轮廓调制**<br>《直接公开》 | [0053] “...a periodic structure composed of concentric surface irregularities is formed in metal periodic structure member 4 with this aperture as a center...” <br>翻译：“...以该孔为中心，在金属周期性结构件4中形成由同心表面凹凸构成的周期性结构...”<br>[0050] “...metal periodic structure member 4 contacts n--type semiconductor layer 3 only at aperture 6...”<br>翻译：“...金属周期性结构件4仅在孔6处接触n-型半导体层3...” | 对比文件的金属周期性结构件4由导电材料（如银、金）构成，其表面是连续的（整个金属膜），并且具有周期性的轮廓调制（表面凹凸结构）。这完全符合“连续的表面”和“周期轮廓调制”的描述，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征R：其中所述第一电极与表面等离子体激元生成器相关联，但是所述第二电极与表面等离子体激元生成器不相关联**<br>《直接公开》 | [0049] “...metal periodic structure member 4... first electrode (anode electrode) 5 connected to metal periodic structure member 4; second electrode (cathode electrode) 8 that confronts first electrode 5 and contacts n+-typs semiconductor layer 2;...”<br>翻译：“...金属周期性结构件4...连接至金属周期性结构件4的第一电极（阳极电极）5；与第一电极5相对并接触n+型半导体层2的第二电极（阴极电极）8...” | 对比文件中，第一电极5直接连接至金属周期性结构件4（即表面等离子体激元生成器），而第二电极8直接连接至n+型半导体层2，未涉及任何周期性结构或等离子体生成器。因此，第一电极与生成器相关联，第二电极不相关联，形成了明确的不对称性，该特征被直接公开。 |
| **技术特征S：其中所述第一电极与用于选择性地耦合第一频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联，以及所述第二电极与用于选择性地耦合与所述第一频率不同的第二频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联**<br>《未公开》 | 对比文件中没有描述第二电极与任何表面等离子体激元生成器相关联。全文提及的周期性结构和等离子体增强效应仅与第一电极（通过金属周期性结构件4）关联。 | 对比文件中的第二电极8仅作为欧姆接触，不参与等离子体激元生成或频率选择。没有公开第二电极与不同频率的等离子体激元生成器相关联的技术特征。 |
| **技术特征T：其中所述不对称电极布置包括多个第一电极，每个第一电极与用于选择性地耦合特定频率的光子的表面等离子体激元生成器相关联**<br>《未公开》 | 对比文件仅描述了一个金属周期性结构件4和一个第一电极5。虽然图10显示了多个电极的布局可能性，但未公开多个第一电极各自与用于耦合特定频率的等离子体激元生成器相关联。 | 对比文件的核心是单个小孔和单个周期性结构，没有教导或暗示使用多个第一电极且每个都关联一个频率选择性的等离子体激元生成器。 |
| **技术特征U：其中所述第二电极是通过所述半导体与所述多个第一电极分离的公共电极**<br>《未公开》 | 对比文件中只有一个第二电极8，但它是与一个第一电极5配对，没有形成“多个第一电极”和“公共第二电极”的布置。 | 由于技术特征T未公开，其从属特征U自然也未被公开。对比文件的拓扑结构是单个阳极和单个阴极的简单配置。 |
| **技术特征V：其中所述表面等离子体激元生成器包括第一部分和第二部分，所述第一部分提供周期光栅以及所述第二部分不提供周期光栅**<br>《隐含公开》 | [0053] “...a periodic structure composed of concentric surface irregularities is formed in metal periodic structure member 4 with this aperture as a center...” <br>翻译：“...以该孔为中心，在金属周期性结构件4中形成由同心表面凹凸构成的周期性结构...”<br>[0050] “...metal periodic structure member 4 contacts n--type semiconductor layer 3 only at aperture 6 and positions in the vicinity of aperture 6...”<br>翻译：“...金属周期性结构件4仅在孔6和孔6附近的位置接触n-型半导体层3...” | 对比文件的金属周期性结构件4以孔6为中心形成周期性结构，但孔6本身及其正下方的区域（即与半导体接触的核心区域）可能不具有完整的周期性光栅结构。例如，在孔6内部或正对孔6的金属层底部，由于是平面或仅残留薄金属，不形成光栅。此外，在制造过程中（图7J），周期性结构是额外形成的，孔6区域被屏蔽。本领域技术人员可以合理推断，表面等离子体激元生成器可以自然地划分为提供光栅的第一部分（外围环形区域）和不提供光栅的第二部分（孔6底部及其附近的平坦接触区域），因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征W：其中所述第二部分是平的**<br>《隐含公开》 | [0050] “...aperture 6 does not fully penetrate metal periodic structure member 4... A Schottky barrier occurs along the interface between metal periodic structure member 4 and n--type semiconductor layer 3.”<br>翻译：“...孔6不完全穿透金属周期性结构件4...沿着金属周期性结构件4和n-型半导体层3的界面产生肖特基势垒。”<br>[0056] “...a metal layer having a thickness of approximately 10 nm or less remains at the bottom of aperture 6.”<br>翻译：“...在孔6的底部留有厚度约为10nm或更小的金属层。” | 对比文件描述孔6底部留有平坦的金属薄层，该区域与半导体接触，形成肖特基结。由于该区域是孔6的底部，且未描述具有周期性结构，本领域技术人员可以合理推断该第二部分（接触半导体的区域）的表面是平的，以便形成均匀的肖特基接触。因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征X：其中所述第二部分邻近于所述半导体的部分，以及所述第一部分不邻近于所述半导体的部分**<br>《直接公开》 | [0050] “...metal periodic structure member 4 contacts n--type semiconductor layer 3 only at aperture 6 and positions in the vicinity of aperture 6... In other locations, insulating layer 7 is provided between metal periodic structure member 4 and n+-type semiconductor layer 2 or substrate 1.”<br>翻译：“...金属周期性结构件4仅在孔6和孔6附近的位置接触n-型半导体层3...在其他位置，绝缘层7设置在金属周期性结构件4与n+型半导体层2或基底1之间。” | 对比文件明确公开了第二部分（孔6附近区域）邻近并接触半导体（n-型层3），而第一部分（其他区域）通过绝缘层7与半导体隔离，不邻近半导体。该特征被直接公开。 |
| **技术特征Y：被配置为窄带光检测器**<br>《直接公开》 | [0044] “...By selecting the materials used for the semiconductor and metal film, the shape of the surface periodic structure, and the diameter of the aperture of the metal film, the photodiode of the present invention can be used in the detection of light of the entire electromagnetic wave region including visible light, near infrared light, and far infrared light.”<br>翻译：“...通过选择半导体和金属膜所用的材料、表面周期性结构的形状以及金属膜的孔的直径，本发明的光电二极管可用于检测包括可见光、近红外光和远红外光的整个电磁波区域的光。”<br>[0060] “...When the shape of aperture 6 is a circle, the conspicuous enhancement of near-field light brought about by the surface plasmon occurs when the diameter of aperture 6 is within a range from one-half to 1/10 the wavelength of incident light... Accordingly, the diameter of the aperture is preferably on the order of 80 nm to 400 nm when using incident light having a wavelength of 800 nm.”<br>翻译：“...当孔6的形状为圆形时，当孔6的直径在入射光波长的二分之一至十分之一的范围内时，表面等离子体引起的近场光的显著增强发生...因此，当使用波长为800nm的入射光时，孔的直径优选为80nm至400nm的量级。” | 对比文件描述了通过选择材料和参数（如孔直径、周期）来对特定波长（窄带）的光进行选择性增强和检测，其本身就是一种窄带光检测器。该特征被直接公开。 |
| **技术特征Z：被配置为分析物传感器，其中至少所述半导体被暴露以用于分析物吸附**<br>《未公开》 | 对比文件未公开任何关于分析物吸附或传感器的功能。其应用集中在光通信和互连模块（第四、五实施例），用于信号光检测。 | 对比文件的光电二极管设计用于封装模块内，半导体层通常被保护，不涉及暴露于分析物进行吸附检测。该特征未被公开。 |
根据以上公开性判断，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、E、F、G、J、M、P、Q、R、X、Y；隐含公开了技术特征H、I、K、L、N、O、V、W。
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