对比文件名称：2014-01-15_CN103518255A_发明公开_CN103518255A 具有减小寄生电阻的带电单层的碳场效应晶体管
目标专利名称：1028包括纳米膜的装置和相关方法CN107923868B
模型名称：GPT-4（本分析由大型语言模型完成）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：支撑衬底 **【直接公开】** | [0024]“衬底110”，[0025]“衬底110可以由Si形成” | 对比文件明确公开了支撑衬底（衬底110），因此特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：直接在所述支撑衬底上的纳米膜 **【未公开】** | [0024]“绝缘层120形成在衬底110上”，[0030]“绝缘层120的厚度可以在10nm到几um” | 对比文件公开了在衬底上形成绝缘层，但该绝缘层为氧化物或氮化物，并非目标专利所述的纳米膜（碳纳米膜），且目标专利的纳米膜具有特定功能和材料。对比文件未公开在支撑衬底上直接形成纳米膜。 |
| 技术特征C：在所述纳米膜上的沟道构件 **【未公开】** | [0024]“形成在绝缘层120上的包括碳纳米结构的沟道130” | 对比文件中沟道形成在绝缘层上，而非纳米膜上，由于特征B的纳米膜未被公开，因此特征C也未公开。 |
| 技术特征D：在所述沟道构件上的第一电极和第二电极 **【直接公开】** | [0024]“源极/漏极电极180形成在沟道130上”，图1示出源极/漏极电极与沟道接触 | 对比文件明确公开了在沟道上形成源极电极和漏极电极（即第一电极和第二电极），因此特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：所述第一电极和第二电极被配置为使电流能够从所述第一电极通过所述沟道构件流到所述第二电极 **【直接公开】** | [0025]“源极/漏极电极180通过沟道130彼此连接”，“栅极140/150调节在源极/漏极电极180之间流过沟道130的电子” | 对比文件公开了源极/漏极电极通过沟道连接，施加电压后电流可以从一个电极通过沟道流到另一个电极，因此特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：其中，所述沟道构件通过所述纳米膜而与所述支撑衬底分离 **【未公开】** | [0024]“沟道130形成在绝缘层120上”，衬底110上为绝缘层120 | 对比文件中沟道通过绝缘层与衬底分离，但绝缘层并非纳米膜，且目标专利的纳米膜具有特定结构和功能，因此特征F未被公开。 |
| 技术特征G：所述纳米膜被配置为通过抑制所述沟道构件与所述支撑衬底之间的相互作用来便于电流流过所述沟道构件；并且中，所述纳米膜包括碳纳米膜 **【未公开】** | 对比文件未公开任何类似碳纳米膜的结构 | 对比文件未公开位于沟道与衬底之间的碳纳米膜，也未公开该纳米膜抑制相互作用以便于电流的功能，因此特征G未被公开。 |
| 技术特征H：所述沟道构件包括石墨烯 **【直接公开】** | [0025]“沟道130可以由诸如一个或多个碳纳米管或石墨烯的碳纳米结构形成” | 对比文件明确公开沟道可以由石墨烯形成，因此特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：所述支撑衬底包括聚酰亚胺、聚酯、聚氨酯和聚二甲基硅氧烷中的一种或多种 **【未公开】** | [0025]“衬底110可以由Si形成”，[0030]“衬底110可以是硅衬底” | 对比文件公开的衬底材料为硅，未提及聚酰亚胺等聚合物材料，因此特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其中所述纳米膜具有预定厚度以在所述沟道构件与所述支撑衬底之间提供足以减小它们之间的电磁相互作用的间隔，从而便于电流流过所述沟道构件 **【未公开】** | 对比文件未公开纳米膜的厚度及其用于减小电磁相互作用 | 对比文件没有公开任何位于沟道与衬底之间的纳米膜，因此没有公开与其厚度和功能相关的特征J。 |
| 技术特征K：其中所述纳米膜为足够厚和可变形中的一种或多种，以减小由所述支撑衬底的表面处的粗糙度引起的所述沟道构件处的起伏以及相关联的载荷子迁移率的降低，从而便于电流流过所述沟道构件 **【未公开】** | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件没有公开纳米膜的厚度或可变形性用于减小粗糙度影响，因此特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述碳纳米膜被配置为抑制电流从所述沟道构件泄漏到所述支撑衬底，从而便于电流流过所述沟道构件 **【未公开】** | 对比文件未公开碳纳米膜及其抑制泄漏的功能 | 对比文件没有公开碳纳米膜，因此特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由所述支撑衬底上的带电物质产生的电场影响，从而便于电流流过所述沟道构件 **【未公开】** | 对比文件未公开导电纳米膜用于屏蔽 | 对比文件没有公开任何位于沟道下的导电纳米膜用于屏蔽电场，因此特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述纳米膜包括导电材料，所述导电材料被配置为屏蔽所述沟道构件免受由通过所述支撑衬底上的电互连传播的电信号所产生的电磁场影响，从而便于电流流过所述沟道构件 **【未公开】** | 对比文件未公开相关内容 | 对比文件没有公开导电纳米膜用于屏蔽电磁场，因此特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述纳米膜包括一种或多种掺杂剂，所述一种或多种掺杂剂被配置为引起通过所述沟道构件的电流的变化 **【未公开】** | [0026]-[0027]公开了带电单层160由DNA等材料形成，用于对沟道进行静电掺杂以减小寄生电阻 | 对比文件公开了位于沟道部分上方的带电单层，该单层可视为一种掺杂剂，但该单层并非目标专利中位于沟道与衬底之间的纳米膜（碳纳米膜），且其位置和作用方式与特征O不同。特征O中纳米膜是碳纳米膜且位于沟道下方，因此对比文件未公开特征O。 |
| 技术特征P：其中所述装置包括位于所述纳米膜与所述支撑衬底之间的导电材料层，并且其中所述碳纳米膜被配置为充当所述沟道构件与所述导电材料层之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述导电材料层的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流 **【未公开】** | 对比文件未公开导电材料层位于纳米膜与衬底之间 | 对比文件公开了栅极电极位于沟道上方，而非位于纳米膜与衬底之间，且没有公开碳纳米膜作为电介质间隔物，因此特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其中所述装置包括通过另外的纳米膜而与所述沟道构件分离的第三电极，所述另外的纳米膜包括电介质材料，所述电介质材料被配置为充当所述第三电极与所述沟道构件之间的电介质间隔物，以使得被施加到所述第三电极的电压能够用来改变通过所述沟道构件的电流 **【直接公开】** | [0024]-[0025]公开了栅极结构140/150，包括栅极电介质140和栅极电极150；[0031]“栅极电介质材料层145...可以以小于约10纳米（nm）厚度...形成” | 对比文件公开了第三电极（栅极电极）通过栅极电介质（电介质材料）与沟道分离，栅极电介质厚度为纳米级，可视为纳米膜，施加栅极电压改变沟道电流。因此特征Q被直接公开。 |
| 技术特征R：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括受体物质，所述受体物质被配置为与来自周围环境的带电物质进行特异性结合，所述受体物质与所述带电物质的结合将所述带电物质定位在足够靠近所述沟道构件的位置，以引起通过所述沟道构件的电流的变化 **【未公开】** | 对比文件未公开此类传感器结构 | 对比文件没有公开用于特异性结合带电物质的受体纳米膜，因此特征R未被公开。 |
| 技术特征S：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜包括一个或多个孔，所述一个或多个孔被配置为允许来自周围环境的特定分析物物质通过以与所述沟道构件相互作用，所述分析物物质与所述沟道构件的相互作用引起通过所述沟道构件的电流的变化 **【未公开】** | 对比文件未公开此类孔结构 | 对比文件没有公开具有孔的选择性透过纳米膜，因此特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其中所述装置包括位于所述沟道构件的与所述支撑衬底相反的一侧上的另外的纳米膜，所述另外的纳米膜被配置为保护所述沟道构件和所述电极免受周围环境的影响 **【未公开】** | 对比文件未公开保护纳米膜 | 对比文件没有公开用于保护的另外的纳米膜，因此特征T未被公开。 |
| 技术特征U：其中所述纳米膜、所述沟道构件、所述电极和所述支撑衬底中的至少一者被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种 **【未公开】** | 对比文件未提及可变形性 | 对比文件没有公开任何部件被配置为可逆地可变形、柔性等，因此特征U未被公开。 |
| 技术特征V：其中所述导电材料层被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种 **【未公开】** | 对比文件未公开此类导电材料层 | 对比文件没有公开位于纳米膜与衬底之间的导电材料层，也未公开其可变形性，因此特征V未被公开。 |
| 技术特征W：其中所述另外的纳米膜被配置为是可逆地可变形的、可逆地柔性的、可逆地可拉伸的、以及可逆地可压缩的中的一种或多种 **【未公开】** | 对比文件未公开此类另外的纳米膜 | 对比文件没有公开具有可变形性的另外的纳米膜，因此特征W未被公开。 |
| 技术特征X：同W **【未公开】** | 对比文件未公开此类另外的纳米膜 | 同特征W，未公开。 |
| 技术特征Y：同W **【未公开】** | 对比文件未公开此类另外的纳米膜 | 同特征W，未公开。 |
| 技术特征Z：同W **【未公开】** | 对比文件未公开此类另外的纳米膜 | 同特征W，未公开。 |
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