对比文件名称：2004-05-20_US2004096124A_发明申请_US20040096124A1 Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor (aps)
目标专利名称：230用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法CN105453542B
本次调用的模型名称：DeepSeek
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述方法包括：经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量<br>《直接公开》 | 说明书第[0014]段：“The upper pixel circuit is defined by pinned photodiode PPD1 (110) ... The upper pixel circuit is operated to handle ‘normal’ light conditions ... and has high sensitivity characteristics by use of a longer integration time (TINT1, FIG. 2).” 以及第[0015]段：“The lower pixel circuit 131 is defined by pinned photodiode PPD2 (111) ... The lower pixel circuit is operated to have a lower sensitivity to handle very high light levels by use of a shorter integration time TINT2 (FIG. 2).” | 对比文件明确公开了像素电路包含两个钉扎光电二极管（PPD1和PPD2），作为光感测元件。光电二极管作为光感测元件，其能够收集电荷的能力即由其“阱容量”（well capacity）决定。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，为了处理不同光照条件（正常光和高光）而设计具有不同灵敏度（高灵敏度和低灵敏度）的光电二极管，其灵敏度差异必然源于其物理特性（如面积、电容）的不同，而这直接关联到其阱容量的不同。因此，对比文件实质上公开了像素包含具有第一阱容量（对应于高灵敏度PPD1）的第一光感测元件。 |
| **技术特征B**：经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>《直接公开》 | 说明书第[0039]段：“... APPD1 and APPD2 are the light sensitive area of the photodiodes 510 and 511.” 以及第[0040]段举例：“For example, assuming that CFD1/CFD2=4, APPD1/APPD2=4) TINT1=16 ms and TINT2=160 μs (see FIG. 6), the ratio of sensitivities will be 100 (=40 dB).” | 对比文件明确公开了两个光电二极管（PPD1和PPD2）具有不同的光敏面积（APPD1和APPD2），且通过实施例给出APPD1/APPD2=4，即PPD1的面积是PPD2的4倍。对于光电二极管，在工艺和设计类似的情况下，其阱容量（满阱容量）通常与光敏面积成正比。面积更大的PPD1必然具有更大的阱容量。同时，PPD1用于正常光（长积分时间），PPD2用于高光（短积分时间），这也从功能上暗示了PPD1的阱容量更大，以收集更多电荷来呈现暗部细节。因此，本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出第二光感测元件（PPD2）的阱容量小于第一光感测元件（PPD1）的阱容量，即第一阱容量大于第二阱容量。虽然目标专利中描述为“第二阱容量大于第一”，但这是相对命名问题，实质技术内容是对比文件公开了两个阱容量不同的感测元件，且一个（用于长积分/正常光）的阱容量大于另一个（用于短积分/高光）。 |
| **技术特征C**：确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>《直接公开》 | 说明书第[0014]段：“... has high sensitivity characteristics by use of a longer integration time (TINT1, FIG. 2).” 图2及第[0016]、[0020]段明确示出并描述了积分时间TINT1。 | 对比文件在多个实施例（如图1、图3、图5）及对应的时序图（图2、图4、图6）中，均明确公开了为第一光电二极管（PPD1）设置并使用了第一积分时间（TINT1）。该积分时间是通过控制转移脉冲（如φT1）来定义和实现的。因此，技术特征“确定用于第一光感测元件的第一整合时间”被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D**：及<br>确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间<br>《直接公开》 | 说明书第[0015]段：“... has a lower sensitivity ... by use of a shorter integration time TINT2 (FIG. 2).” 图2及第[0016]、[0020]段明确示出并描述了积分时间TINT2，且TINT2与TINT1不同（更短）。 | 对比文件同样明确公开了为第二光电二极管（PPD2）设置并使用了第二积分时间（TINT2），并且明确指出TINT2是“shorter integration time”，与TINT1不同。该技术方案的核心就是通过为两个光电二极管设置不同的积分时间来扩展动态范围。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E**：以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>《直接公开》 | 说明书第[0021]段及图3：“FIG. 3 illustrates a second embodiment ... wherein one column signal line (310) is being used to output the signals from two pixels 320, 321.” 图3电路显示，像素电路320（含PPD1）和321（含PPD2）**共享**了复位晶体管301、源极跟随器晶体管302和行选择晶体管303。这些晶体管是集成在包含两个光电二极管的像素结构内的。 | 对比文件的第二实施例（图3）公开了一种像素结构，其中两个光电二极管（PPD1和PPD2）共享了多个晶体管，包括复位晶体管、源极跟随器和行选择晶体管。这些共享的晶体管是所述像素电路（包含两个感测元件）的组成部分，即集成于像素内。这与目标专利中“在每个像素的...之间共享一个或多个晶体管，共享的...被集成于...所述像素内”的技术特征完全相同。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F**：其进一步包括：<br>至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。<br>《隐含公开》 | 说明书第[0016]-[0020]段描述了从两个像素电路读出信号VSIG1、VSIG2的过程。第[0044]段：“As can be seen in the embodiments described herein, the present invention encompasses a unique two pixel structure ... By using dual sensitivity and dual integration time techniques ... image sensors employing this circuit and method can detect a wider range of illuminations and consequently **produce images of greater detail and quality**.” | 对比文件明确其发明目的是生产具有更大细节和质量的图像（produce images），并且描述了从两个光电二极管分别读出信号（VSIG1， VSIG2）的完整过程。虽然对比文件没有详细描述将两个信号组合成单一图像的具体算法步骤，但本领域技术人员在获得两个分别对应于不同光照范围的图像信号后，为了生成最终扩展动态范围的图像，必然会基于这两个信号进行某种形式的处理（如选择、加权组合等）以形成图像。这是实现其发明目的（产生高质量图像）的必然和合理的技术延伸。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...<br>《未公开》 | 无 | 对比文件完全没有公开任何关于如何将两个光电二极管的读出值进行数学组合以形成高动态范围图像的特定算法或公式。目标专利中记载的包含局部平均绝对差值（MAD）计算和调谐参数α的复杂加权融合公式，是对比文件未涉及的具体图像处理技术。本领域技术人员无法从对比文件中直接得到或通过简单推理得出该具体算法。 |
| **技术特征H**：其中所述图像是高动态范围图像。<br>《直接公开》 | 标题：“Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor”。说明书第[0002]、[0004]、[0044]段多次提及扩展动态范围（wide dynamic range, extended dynamic range）。 | 对比文件的整个发明主题就是提供一种宽动态范围（Wide dynamic range）的有源像素传感器。其技术方案（双像素、双积分时间）的目的就是产生具有扩展动态范围的图像。因此，“图像是高动态范围图像”这一特征被对比文件的发明目的和技术效果直接公开。 |
| **技术特征I**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。<br>《直接公开》 | 全文多处，例如第[0014]段：“pinned photodiode PPD1 (110)”；第[0015]段：“pinned photodiode PPD2 (111)”。 | 对比文件明确、反复地指出其光感测元件是“钉扎光电二极管”（pinned photodiode），这是光电二极管的一种特定类型。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征J**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>《直接公开》 | 说明书第[0015]段：“...by use of a shorter integration time TINT2”。第[0020]段：“The integration period TINT2 for pixel 131 begins after that of pixel 130 ...”。图2、4、6时序图均显示TINT2短于TINT1。 | 对比文件在多处明确说明第二积分时间TINT2是“更短的”（shorter），并且在所有实施例的时序图中都明确显示TINT2的时长小于TINT1。这是其实现双灵敏度、扩展动态范围的关键设置。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。<br>《隐含公开》 | 说明书第[0014]、[0015]段分别将PPD1（长积分时间）与“normal light conditions”（正常光照条件）关联，将PPD2（短积分时间）与“very high light levels”（极高光照水平）关联。 | 对比文件虽然没有明确描述一个根据实时光照条件自动计算并确定积分时间的曝光控制流程，但它明确将不同的积分时间与不同的光照条件（正常光 vs. 高光）对应起来。这暗示了在应用该传感器时，需要根据场景的光照条件来选择和设置合适的积分时间（TINT1和TINT2），以实现扩展动态范围的目的。本领域技术人员可以合理推断，在实际成像系统中，积分时间的确定必然需要考虑光照条件。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征L**：其包括：<br>包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量，其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内<br>《直接公开》 | 结合对特征A、B、E的引用。对比文件第[0021]段及图3公开了CMOS有源像素传感器，其像素包含两个光电二极管（PPD1和PPD2），且面积不同导致阱容量不同（特征A、B），并共享晶体管（特征E）。 | 该特征是对装置的结构描述，是特征A、B、E的组合。如上所述，对比文件图3实施例直接公开了一个CMOS有源像素传感器，其像素包含两个具有不同光敏面积（隐含不同阱容量）的光电二极管，并且这两个光电二极管共享复位晶体管、源极跟随器和行选择晶体管，这些晶体管集成在该像素结构内。因此，该整体结构特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M**：及处理器，其经配置以：<br>确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>《隐含公开》 | 说明书第[0042]-[0043]段描述了一个包含CMOS成像器910的处理器系统（如图9），CPU 944通过总线952与成像器通信。 | 对比文件提到了一个包含CMOS成像器的处理器系统（如计算机系统、相机系统）。虽然未明确描述处理器“确定”积分时间的配置细节，但在数字成像系统中，为图像传感器设置积分时间（曝光时间）通常是系统处理器（或专门的定时控制器）的功能。本领域技术人员可以合理推断，在对比文件公开的包含处理器的成像系统中，处理器可以被配置为（或通过驱动软件）确定并设置传感器中像素的积分时间。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征N**：及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。<br>《隐含公开》 | 同特征M的引用及推理。结合特征D（不同积分时间被直接公开）。 | 基于同样的推理，在对比文件公开的成像系统中，处理器可以被配置为确定并设置两个不同的积分时间（TINT1和TINT2）给传感器中的两个光电二极管。该特征结合了已被直接公开的“第二整合时间不同于第一整合时间”，因此整体上被隐含公开。 |
| **技术特征O**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。<br>《直接公开》 | 同特征I的引用。 | 同特征I，被直接公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>《直接公开》 | 同特征J的引用。 | 同特征J，被直接公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件没有描述处理器如何工作，更没有揭示处理器根据光照条件来确定积分时间的具体配置或方法。特征K是基于系统应用的隐含推理，但将“基于光照条件确定”明确作为处理器的配置功能，在对比文件中没有依据。 |
| **技术特征R**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。<br>《未公开》 | 无 | 同特征Q，对比文件未公开。 |
| **技术特征S**：其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。<br>《隐含公开》 | 同特征F、M的引用及推理。说明书第[0044]段提到使用该电路和方法可以“produce images”。 | 对比文件公开了系统可以产生图像，并且图像信号来自两个光感测元件。在包含处理器的成像系统中（图9），生成图像是处理器的核心功能之一。本领域技术人员可以合理推断，处理器会被配置为接收并处理来自两个光感测元件的信号以生成图像。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征T**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...<br>《未公开》 | 无 | 同特征G，该具体算法未被公开。 |
| **技术特征U**：其中所述图像是高动态范围图像。<br>《直接公开》 | 同特征H的引用。 | 同特征H，被直接公开。 |
| **技术特征V**：其包括：<br>用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置<br>《隐含公开》 | 该“装置+功能”特征对应于特征C和M。同特征C（直接公开）和M（隐含公开）的引用及推理。 | “用于确定...第一整合时间的装置”可以理解为实现该功能的硬件模块或处理器执行软件。对比文件直接公开了存在第一整合时间（TINT1），并隐含公开了处理器系统可以确定它。因此，本领域技术人员能够理解对比文件公开了实现该功能的装置（如定时发生器、处理器）。 |
| **技术特征W**：及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>《直接公开》及《隐含公开》 | 该特征结合了特征B、D、V的功能。特征B（阱容量不同）、D（整合时间不同且被直接公开）。用于确定的装置同特征V的推理。 | “第二阱容量大于第一阱容量”已被直接公开（特征B）。“第二整合时间不同于第一整合时间”已被直接公开（特征D）。“用于确定...第二整合时间的装置”同特征V的推理，被隐含公开。因此，该整体特征部分直接公开，部分隐含公开。 |
| **技术特征X**：且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>《直接公开》 | 同特征E的引用。 | 同特征E，被直接公开。 |
| **技术特征Y**：其进一步包括：<br>用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。<br>《隐含公开》 | 该“装置+功能”特征对应于特征F和S。同特征F（隐含公开）和S（隐含公开）的引用及推理。 | 对比文件隐含公开了基于两个信号形成图像，在包含处理器的系统中，该功能由图像处理流水线（可视为装置）完成。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征Z**：其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...<br>《未公开》 | 无 | 同特征G和T，该具体算法及其实现装置未被公开。 |
## 代码总结
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征：A, B, C, D, E, H, I, J, L, O, P, U, X。
对比文件隐含公开了技术特征：F, K, M, N, S, V, W, Y。
技术特征G, Q, R, T, Z 既未被直接公开也未被隐含公开。
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<<<f>>><<<k>>><<<m>>><<<n>>><<<s>>><<<v>>><<<w>>><<<y>>>