**对比文件名称**：2015-10-28_CN103024304B_发明授权_CN103024304B 固态摄像器和固态摄像系统
**目标专利名称**：用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法 CN105453542B
**本次调用模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述方法包括：经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量 | [0033] 每个单位基元14都包括高敏感性的第一像素13a和低敏感性的第二像素13b。高敏感性的第一像素13a具有面积较大的四边形的第一光电二极管11a...低敏感性的第二像素13b具有面积小于第一光电二极管11a的四边形的第二光电二极管11b...像素13a、13b中每个像素的饱和电平（也就是说，光电二极管11a、11b中每个光电二极管执行的光电转换所蓄积的最大信号电荷量）通过光电二极管11a、11b中的每个光电二极管的面积来判定。 | 对比文件直接公开了像素包含两个光电二极管（即光感测元件），且第一光电二极管（11a）和第二光电二极管（11b）具有不同面积。光电二极管的饱和电平即为其阱容量，面积不同意味着阱容量不同。因此，对比文件直接公开了通过第一光感测元件（第一光电二极管11a）提供第一阱容量。**《直接公开》** |
| **技术特征B**：经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | [0033] ...第一像素13a的饱和电平高于第二像素13b的饱和电平。 [0156] ...当第二像素61b的第二光电二极管63b被形成为是大的时，第二像素61b的饱和电平就会如图16所示增加... | 对比文件明确记载了第一像素的饱和电平（阱容量）可以高于第二像素（参见[0033]），也记载了通过将第二光电二极管做大，可以使第二像素的饱和电平（阱容量）增加（参见[0156]及图15、16）。这公开了第二阱容量可以大于第一阱容量。虽然对比文件也公开了相反的情形（第一阱容量大于第二阱容量），但其技术方案明确包含了“第二阱容量大于第一阱容量”这一设计选择。本领域技术人员能从对比文件中毫无疑义地得出该技术方案。**《直接公开》** |
| **技术特征C**：确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | [0069] ...当第一像素13a的敏感性为第二像素13b的敏感性的n倍时，可通过令这两个像素的电子快门操作为使得第二像素13b的光电转换周期变为第一像素13a的光电转换周期的n倍，来任意设置这两个光电转换周期。 [0067] ...读取第一像素13a中的第一信号电荷的定时和读取第二像素13b中的第二信号电荷的定时之间的轻微差别... | 对比文件在移动检测模式下，明确公开了为第一像素13a和第二像素13b设置不同的光电转换周期（即整合时间），例如第一像素的周期为t1，第二像素的周期为t2（且t2=n×t1）（参见[0069]）。确定第一像素的整合时间（t1）是该技术方案的必要步骤。虽然这是在移动检测模式下描述的，但设置整合时间这一操作本身已被公开。本领域技术人员可以合理推断，为实现不同的成像模式（如宽动态范围模式），也需要确定整合时间。**《隐含公开》** |
| **技术特征D**：及确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间 | [0069] ...可通过令这两个像素的电子快门操作为使得第二像素13b的光电转换周期变为第一像素13a的光电转换周期的n倍，来任意设置这两个光电转换周期。 | 对比文件在移动检测模式下，明确公开了第二像素的光电转换周期（第二整合时间t2）不同于第一像素的光电转换周期（第一整合时间t1），且两者具有n倍的关系（参见[0069]）。这直接公开了“第二整合时间不同于第一整合时间”。虽然该设置的具体目的（移动检测）与目标专利（扩展动态范围）不同，但“设置不同整合时间”这一技术手段本身已被对比文件公开。本领域技术人员可以合理推断，为实现宽动态范围成像，同样可以应用“设置不同整合时间”这一手段。**《隐含公开》** |
| **技术特征E**：以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | [0033] 在每个单位基元14中，提供读取...第一读取门15a...第二读取门15b...检测单元16、...单位基元的输出电路17...重置晶体管18... [0048] 图3是固态摄像器的等效电路图...第一读取门15a和第二读取门15b的输出共同与检测单元16相连。检测单元16...与单位基元的输出电路17相连。单位基元的输出电路17包括...放大器晶体管AMPTr...地址晶体管ADDRESSTr。 | 对比文件公开的“单位基元14”对应于目标专利的“像素”。在单位基元14内，第一光电二极管11a和第二光电二极管11b共同连接至同一个检测单元16，并共享后续的读出电路，包括放大器晶体管AMPTr和地址晶体管ADDRESSTr（参见[0033]，[0048]及图3）。这些共享的晶体管（放大器晶体管、地址晶体管等）被集成在包含两个光电二极管的单位基元内。因此，对比文件直接公开了在包含两个光感测元件的单元内共享晶体管的特征。**《直接公开》** |
| **技术特征F**：其进一步包括：至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。 | [0139]-[0145] 在宽动态范围模式的情况下...在定时T3上同时执行读取在第一像素13a中蓄积的第一信号电荷和在第二像素13b中蓄积的第二信号电荷...差分放大器Diff-AMP仅输出通过消除噪声分量获取的检测信号作为差分信号。该检测信号基于第一信号电荷和第二信号电荷之和。图像形成单元26基于从输出电路输出的信号形成图像并且输出所述图像（参见[0012]）。 | 对比文件在“宽动态范围模式”下，明确公开了同时读取第一像素和第二像素的信号电荷，并将两者相加（基于电荷量之和）形成一个检测信号，然后由图像形成单元基于此信号形成图像（参见[0139]-[0145]，[0012]）。这直接公开了基于来自两个光感测元件的信号形成图像。**《直接公开》** |
| **技术特征G**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... | 无对应内容。 | 对比文件在宽动态范围模式下形成图像的方式是基于两个信号电荷的简单相加（求和），完全没有公开目标专利中所述的、根据局部平均绝对差值(MAD)动态计算权重因子α(x,y)，并对两个读出值T1和T2进行加权融合的复杂算法。本领域技术人员无法从对比文件的内容中推理出该特定公式。**《未公开》** |
| **技术特征H**：其中所述图像是高动态范围图像。 | [0012] ...如果所述输出电路从所述控制单元接收宽动态范围模式信号...则所述固态摄像系统使所述输出电路输出基于所述第一信号电荷的电荷量和所述第二信号电荷的电荷量之和的信号，并且使所述图像形成单元根据基于所述和的信号形成图像。 [0146]-[0153] 通过同时执行第一信号电荷读取和第二信号电荷读取以及通过添加这两个信号电荷实现宽动态范围模式...可以实现与仅基于第二像素13b拍摄物体的图像时的范围相同的动态范围。 | 对比文件明确设置了“宽动态范围模式”（Wide Dynamic Range Mode），并说明通过组合第一和第二像素的信号，可以实现更宽的动态范围（参见[0012]，[0146]-[0153]）。因此，对比文件直接公开了所形成的图像是高动态范围图像。**《直接公开》** |
| **技术特征I**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。 | [0033] ...第一像素13a...具有...第一光电二极管11a...第二像素13b...具有...第二光电二极管11b... | 对比文件明确、反复地将第一和第二光感测元件记载为“光电二极管”（Photodiode）（参见[0033]等）。这属于直接公开。**《直接公开》** |
| **技术特征J**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | [0069] ...使得第二像素13b的光电转换周期变为第一像素13a的光电转换周期的n倍... | 对比文件在移动检测模式下公开的是第二像素的光电转换周期（整合时间）是第一像素的n倍（n>1），即第二整合时间长于第一整合时间。这与目标专利“第二整合时间短于第一整合时间”的要求正好相反。对比文件未公开也未暗示“第二整合时间短于第一整合时间”的技术方案。**《未公开》** |
| **技术特征K**：其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。 | 无对应内容。 | 对比文件虽然公开了可以设置不同的整合时间（光电转换周期），但并未公开这些整合时间的确定是基于光照条件。对比文件中整合时间的设置是为了实现特定的模式（如移动检测模式中1：n的固定关系），而非根据实时光照条件进行动态调整。**《未公开》** |
| **技术特征L**：其包括：包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量，其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | [0033] 每个单位基元14都包括...第一光电二极管11a...第二光电二极管11b...第一像素13a的饱和电平高于第二像素13b的饱和电平（或参见[0156]反之亦可）。 [0033][0048] 在每个单位基元14中，提供...第一读取门15a、第二读取门15b、检测单元16、单位基元的输出电路17...（结构如特征E所述）。 | 此特征为装置特征，是特征A、B、E的组合。对比文件公开了单位基元（即像素）包含两个具有不同饱和电平（阱容量）的光电二极管（特征A、B），且这两个光电二极管共享检测单元、放大器晶体管等集成在单位基元内的晶体管（特征E）。因此，该组合特征被对比文件直接公开。**《直接公开》** |
| **技术特征M**：及处理器，其经配置以：确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | [0069] ...可通过令这两个像素的电子快门操作为使得第二像素13b的光电转换周期变为第一像素13a的光电转换周期的n倍，来任意设置这两个光电转换周期。 [0054] 控制垂直寄存器25和公共输出电路17′的控制单元27...控制单元27通过将控制信号输出到垂直寄存器25和公共输出电路17′来控制...操作。 | 对比文件公开了可以设置第一像素的整合时间（光电转换周期）（参见[0069]），并且由控制单元27来产生控制信号以控制这些操作的时序（参见[0054]）。控制单元27相当于一个经配置的处理器。虽然其设置整合时间的具体模式与目标专利可能不同，但“确定整合时间”这一功能已被公开。本领域技术人员可以合理推断，控制单元（处理器）能够被配置以执行确定整合时间的操作。**《隐含公开》** |
| **技术特征N**：及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。 | [0069] ...可通过令这两个像素的电子快门操作为使得第二像素13b的光电转换周期变为第一像素13a的光电转换周期的n倍，来任意设置这两个光电转换周期。 | 此特征与特征D对应，是装置权利要求中的表述。对比文件公开了可以设置不同于第一整合时间的第二整合时间（参见[0069]）。虽然是在特定模式下，但“确定不同的第二整合时间”这一功能已被公开。控制单元27（处理器）能够被配置以实现此功能。**《隐含公开》** |
| **技术特征O**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。 | 同特征I。 | 与特征I相同，对比文件直接公开光感测元件为光电二极管。**《直接公开》** |
| **技术特征P**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | 同特征J。 | 与特征J相同，对比文件未公开第二整合时间短于第一整合时间。**《未公开》** |
| **技术特征Q**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。 | 同特征K。 | 与特征K相同，对比文件未公开基于光照条件确定整合时间。**《未公开》** |
| **技术特征R**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。 | 同特征K。 | 与特征K相同，对比文件未公开基于光照条件确定整合时间。**《未公开》** |
| **技术特征S**：其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。 | [0012] ...使所述图像形成单元根据基于所述和的信号形成图像。 [0056] 图像形成单元26与第三开关SW3相连。 | 此特征与特征F对应。对比文件公开了图像形成单元26基于来自第一和第二光感测元件的信号（在宽动态范围模式下为两信号之和）形成图像（参见[0012]，[0056]）。生成图像的功能由图像形成单元执行，该单元可以是处理器的一部分或由处理器控制。因此，对比文件直接公开了处理器（或系统）被配置以基于两个信号生成图像。**《直接公开》** |
| **技术特征T**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... | 同特征G。 | 与特征G相同，对比文件未公开该特定公式。**《未公开》** |
| **技术特征U**：其中所述图像是高动态范围图像。 | 同特征H。 | 与特征H相同，对比文件直接公开了宽动态范围（高动态范围）图像。**《直接公开》** |
| **技术特征V**：其包括：用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置 | [0069] ...可通过令这两个像素的电子快门操作为使得第二像素13b的光电转换周期变为第一像素13a的光电转换周期的n倍，来任意设置这两个光电转换周期。 [0054] 控制垂直寄存器25和公共输出电路17′的控制单元27... | 此特征为功能性限定，对应于特征C和M。对比文件公开了可以设置第一整合时间，并且控制单元27是执行该控制功能的装置。因此，对比文件隐含公开了“用于确定第一整合时间的装置”。**《隐含公开》** |
| **技术特征W**：及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | [0069] ...可通过令这两个像素的电子快门操作为使得第二像素13b的光电转换周期变为第一像素13a的光电转换周期的n倍... [0156] ...当第二像素61b的第二光电二极管63b被形成为是大的时，第二像素61b的饱和电平就会...增加... | 此特征为功能性限定，对应于特征B、D。对比文件公开了可以设置不同于第一整合时间的第二整合时间（特征D），以及第二阱容量可以大于第一阱容量（特征B）。执行这些确定和控制功能的装置是控制单元27等电路。因此，对比文件隐含公开了该“用于确定第二整合时间的装置”。**《隐含公开》** |
| **技术特征X**：且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | 同特征E。 | 与特征E相同，对比文件直接公开了共享晶体管的装置结构。**《直接公开》** |
| **技术特征Y**：其进一步包括：用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。 | [0012] ...使所述图像形成单元根据基于所述和的信号形成图像。 [0056] 图像形成单元26... | 此特征为功能性限定，对应于特征F和S。对比文件明确公开了图像形成单元26，其作用正是基于来自两个光感测元件的信号形成图像。因此，对比文件直接公开了“用于形成图像的装置”。**《直接公开》** |
| **技术特征Z**：其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... | 同特征G。 | 与特征G相同，对比文件未公开该特定公式及其对应的装置。**《未公开》** |
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