好的，作为一名资深专利代理师，我将严格遵循您的指示，对目标专利与对比文件进行深度分析和特征比对。
**对比文件名称**：2007-10-04_JP2007258686A_发明专利_JP2007258686A Solid-state image pick-up device and image pick-up device
**目标专利名称**：用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法 CN105453542B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述方法包括：经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量<br>**《隐含公开》** | [2] “検出感度の低い低感度の光電変換素子10及び検出感度が相対的に高い…高感度の光電変換素子20” <br>（检测灵敏度低的低感度光电转换元件10及检测灵敏度相对较高的高感度光电转换元件20） | 目标专利中，“阱容量”是光感测元件可保存的电荷总量，与其感光面积（大小）成比例，决定其动态范围。对比文件明确公开了像素包含低感度光电转换元件（PD）和高感度光电转换元件（PD）。虽然对比文件未直接使用“阱容量”一词，但其描述的“检测灵敏度”差异，在本领域通常通过改变感光元件面积、微透镜集光面积或曝光时间来实现，而改变感光面积直接对应着不同的“阱容量”。本领域技术人员阅读对比文件后，能够毫无疑义地理解低感度PD和高感度PD必然具有不同的电荷存储能力，即不同的阱容量。因此，对比文件隐含公开了技术特征A。 |
| **技术特征B**：经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**《隐含公开》** | [2] “検出感度の低い低感度の光電変換素子10及び検出感度が相対的に高い…高感度の光電変換素子20” <br>（检测灵敏度低的低感度光电转换元件10及检测灵敏度相对较高的高感度光电转换元件20）<br>[2] “高感度ＰＤ２０上方には、分光フィルタよりも光の減衰が少ない輝度フィルタが存在しているので、…高感度ＰＤ２０の検出感度を向上させることができる。” <br>（由于高感度PD20上方存在比分光滤光片光衰减更少的亮度滤光片，因此能够提高高感度PD20的检测灵敏度。） | 目标专利中，第二光感测元件（小光电二极管）的阱容量大于第一光感测元件（大光电二极管）。对比文件明确区分了“低感度PD”和“高感度PD”。为了实现高感度，对比文件教导了多种方法，包括增大感光面积（[2] “PDの受光面の面積を変化させ”）、使用集光能力更强的微透镜、或设置光衰减更少的滤光片（亮度滤光片）。这些手段均会导致高感度PD能够收集并存储更多的光生电荷，即具有更大的阱容量。因此，本领域技术人员能够合理推断，对比文件中的“高感度PD”其阱容量大于“低感度PD”。技术特征B被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**《未公开》** | [2] “低感度ＰＤ１０及び高感度ＰＤ２０の検出感度を変化させるには、…ＰＤ上方に設けたマイクロレンズによって、集光面積を変化させてもよいし、低感度ＰＤと高感度ＰＤとで露光時間を変えても良い。” <br>（为了改变低感度PD10及高感度PD20的检测灵敏度，…可以通过改变设于PD上方的微透镜的集光面积，或者改变低感度PD和高感度PD的曝光时间。） | 目标专利的核心之一在于可以独立地为每个像素中的大、小光电二极管“确定”不同的整合时间（曝光时间），以实现动态范围扩展或信噪比优化（参见说明书[0054]-[0056]）。对比文件仅在背景技术部分泛泛提及可以通过改变“曝光时间”来改变检测灵敏度，但在其具体实施方式中，并未描述如何为低感度PD和高感度PD“确定”各自的整合时间，也未揭示任何基于场景（如光照条件）动态确定或编程不同整合时间的控制逻辑或方法。对比文件中的曝光时间更可能是一种固定或预设的工艺参数，而非目标专利中可动态确定的曝光控制参数。因此，对比文件没有公开“确定”第一整合时间这一技术特征。 |
| **技术特征D**：及<br>确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间<br>**《未公开》** | [2] “低感度ＰＤ１０及び高感度ＰＤ２０の検出感度を変化させるには、…低感度ＰＤと高感度ＰＤとで露光時間を変えても良い。” <br>（为了改变低感度PD10及高感度PD20的检测灵敏度，…可以改变低感度PD和高感度PD的曝光时间。） | 与特征C同理。目标专利强调独立确定并使得两个整合时间“不同”。对比文件虽然提到可以改变低感度PD和高感度PD的曝光时间，但这只是一种实现感度差异的可能途径的陈述，并未具体公开任何用于“确定”第二整合时间的方法、电路或流程，也未明确教导这两个时间必须是“不同”的且可独立设定。其具体实施例（如AF操作）中，也未见对两个PD采用不同曝光时间进行控制的描述。因此，对比文件没有公开独立“确定”不同的第二整合时间这一技术特征。 |
| **技术特征E**：以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**《未公开》** | [2] 附图1及相关描述展示了垂直电荷转移部(VCCD) 30、水平电荷转移部(HCCD) 40、复位晶体管、转移门电极等。这些晶体管和电路是用于整个像素阵列的电荷转移和读出的，并非集成于“每个像素内”并被该像素内的两个PD所“共享”。 | 目标专利的说明书附图2和[0032]明确描述了在一个像素内，大光电二极管(Dlarge)和小光电二极管(Dsmall)共享复位晶体管(Mrst)、源极跟随器晶体管(Msf)和行选择晶体管(Msel)。这种像素内共享晶体管的结构是提高填充因数、实现特定读出时序（如分格模式）的关键。对比文件中的晶体管（如转移门电极101-104）是构成CCD转移通道的一部分，服务于整行或整列的像素，并非定义在单个像素边界内并由该像素的两个PD独占共享的晶体管结构。两者的电路架构（CMOS有源像素 vs. CCD）和晶体管布局作用根本不同。因此，对比文件未公开此技术特征。 |
| **技术特征F**：其进一步包括：<br>至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。<br>**《直接公开》** | [2] “互いに隣接する位置に配置されている低感度ＰＤ１０と高感度ＰＤ２０とを組み合わせて使用することで、ダイナミックレンジの広い画像信号を再現できる。” <br>（通过组合使用相互相邻配置的低感度PD10和高感度PD20，能够再现动态范围宽的图像信号。） | 目标专利中，最终图像是基于大小两个光感测元件的信号组合形成的（例如说明书[0044]-[0046]）。对比文件明确教导了将相邻的低感度PD和高感度PD的信号组合使用，以再现宽动态范围的图像信号。两者的作用完全相同，都是为了扩展动态范围而组合来自两个不同特性感光元件的信号。因此，技术特征F被对比文件直接公开。 |
| **技术特征G**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及任何具体的图像信号组合算法或数学公式。 | 目标专利公开了一种具体的、利用局部平均绝对差值(MAD)和权重函数α(x,y)来平滑融合两个信号的算法（说明书[0039]-[0046]），以处理饱和和运动情况。对比文件仅概括性地提到“组合使用”，完全没有揭示任何具体的信号处理算法或数学公式。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该特定公式。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其中所述图像是高动态范围图像。<br>**《直接公开》** | [2] “ダイナミックレンジの広い画像信号を再現できる。” <br>（能够再现动态范围宽的图像信号。） | 目标专利旨在生成高动态范围(HDR)图像。对比文件明确说明其技术效果是再现“动态范围宽的图像信号”。两者目的和作用完全一致。因此，技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。<br>**《直接公开》** | [2] “光電変換素子は例えばフォトダイオードであり、以下光電変換素子のことをＰＤと略す。” <br>（光电转换元件例如是光电二极管，以下将光电转换元件简称为PD。） | 目标专利的感测元件是光电二极管（见说明书[0026]及附图）。对比文件明确其光電変換素子（photoelectric conversion element）例如是光电二极管（photodiode）。因此，技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**《未公开》** | 对比文件未提及低感度PD与高感度PD的具体整合时间长短关系。 | 目标专利在WDR模式下，明确教导小光电二极管（第二感测元件）的整合时间(TS)通常短于大光电二极管（第一感测元件）的整合时间(TL)（参见说明书[0060]-[0061]）。这是其实现动态范围扩展的关键时序设计。对比文件完全没有涉及两个感光元件整合时间的具体长短关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。<br>**《未公开》** | 对比文件未描述根据光照条件动态确定或调整整合时间（曝光时间）。 | 目标专利的[0054]-[0056]详细描述了基于场景亮度、裁剪像素计数等光照条件来自动控制TL和TS的曝光控制方法。这是其实现优化动态范围和SNR的重要特征。对比文件没有公开任何基于实时光照条件来确定或调整整合时间的技术内容。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其包括：<br>包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量，其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内<br>**《未公开》** | [2] “検出感度の低い低感度の光電変換素子10及び検出感度が相対的に高い…高感度の光電変換素子20” <br>（检测灵敏度低的低感度光电转换元件10及检测灵敏度相对较高的高感度光电转换元件20） | 此特征为装置权利要求，综合了特征A、B、E。如前述分析，特征A和B被隐含公开，但特征E（像素内共享晶体管）未被公开。因此，作为一个整体，技术特征L未被对比文件公开。 |
| **技术特征M**：及处理器，其经配置以：<br>确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**《未公开》** | 对比文件中的“制御部140”是用于控制整个相机系统，但未描述其具有“确定”第一光感测元件整合时间的功能。 | 同特征C的分析。对比文件未公开“确定”整合时间的功能，无论是方法还是实现该方法的处理器配置。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。<br>**《未公开》** | 同特征D的分析。对比文件未公开处理器被配置以独立确定不同的第二整合时间。 | 同特征D的分析。该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。<br>**《直接公开》** | [2] “光電変換素子は例えばフォトダイオードであり、以下光電変換素子のことをＰＤと略す。” | 同特征I的分析。技术特征O被直接公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**《未公开》** | 同特征J的分析。对比文件未公开整合时间的长短关系。 | 同特征J的分析。该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。<br>**《未公开》** | 同特征K的分析。对比文件未公开基于光照条件确定整合时间。 | 同特征K的分析。该特征未被公开。 |
| **技术特征R**：其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。<br>**《未公开》** | 同特征K的分析。对比文件未公开基于光照条件确定整合时间。 | 同特征K的分析。该特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。<br>**《隐含公开》** | [2] “互いに隣接する位置に配置されている低感度ＰＤ１０と高感度ＰＤ２０とを組み合わせて使用することで、ダイナミックレンジの広い画像信号を再現できる。” <br>（通过组合使用相互相邻配置的低感度PD10和高感度PD20，能够再现动态范围宽的图像信号。）<br>[2] 结合附图4，制御部140处理来自固体摄像器件100的信号。 | 目标专利的处理器（如图8的处理器820）被配置为基于两个感测元件的信号生成图像。对比文件的“制御部140”负责处理固体摄像器件100输出的信号，并且对比文件明确教导了将低感度PD和高感度PD的信号组合以生成宽动态范围图像。因此，本领域技术人员能够合理推断，对比文件的制御部140必然被配置为能够基于来自第一（低感度）和第二（高感度）感测元件中的一者或两者的信号来生成图像。技术特征S被隐含公开。 |
| **技术特征T**：其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**《未公开》** | 同特征G的分析。对比文件未提及任何具体的图像信号组合算法或数学公式。 | 同特征G的分析。该特征未被公开。 |
| **技术特征U**：其中所述图像是高动态范围图像。<br>**《直接公开》** | [2] “ダイナミックレンジの広い画像信号を再現できる。” | 同特征H的分析。技术特征U被直接公开。 |
| **技术特征V**：其包括：<br>用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置<br>**《未公开》** | 同特征C的分析。对比文件未公开“确定”整合时间的功能或装置。 | 此特征为装置特征，与方法特征C对应。同特征C的分析，该特征未被公开。 |
| **技术特征W**：及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**《未公开》** | 同特征D和B的分析。特征B被隐含公开，但特征D（确定不同的第二整合时间）未被公开。 | 此特征为装置特征，综合了特征D和B。由于特征D未被公开，因此技术特征W作为一个整体未被公开。 |
| **技术特征X**：且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**《未公开》** | 同特征E的分析。对比文件未公开像素内共享晶体管的结构。 | 同特征E的分析。该特征未被公开。 |
| **技术特征Y**：其进一步包括：<br>用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。<br>**《隐含公开》** | [2] “互いに隣接する位置に配置されている低感度ＰＤ１０と高感度ＰＤ２０とを組み合わせて使用することで、ダイナミックレンジの広い画像信号を再現できる。” <br>结合附图4，制御部140处理信号以生成图像。 | 此特征为装置特征，与方法特征F对应。同特征F和S的分析，对比文件隐含公开了用于组合信号以形成图像的装置（即其控制部140及相关处理电路）。技术特征Y被隐含公开。 |
| **技术特征Z**：其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**《未公开》** | 同特征G的分析。对比文件未提及任何具体的图像信号组合算法或数学公式。 | 此特征为装置特征，与方法特征G对应。同特征G的分析，该特征未被公开。 |
### 结论
根据以上分析，对比文件直接公开了技术特征 **F、H、I、O、U**；隐含公开了技术特征 **A、B、S、Y**。其余技术特征未被对比文件公开。
<<<F>>><<<H>>><<<I>>><<<O>>><<<U>>>
<<<a>>><<<b>>><<<s>>><<<y>>>