**对比文件名称**：2011-01-20_US2011013064A_发明申请_US20110013064A1 CMOS Image Sensor With Wide (Intra-Scene) Dynamic Range
**目标专利名称**：用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法 CN105453542B
**本次调用的模型名称**：深度分析模型 (DeepSeek)
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：《未被公开》<br>经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量 | 对比文件说明书[0003]段提到：“Each pixel includes a sensing element (e.g., a photodiode) that is capable of converting a portion of an optical (or other radiant source) image into an electronic (e.g., voltage) signal...”。[0005]段提到：“A straight forward approach to increase the dynamic range of a CMOS sensor is to increase the full-well capacity of the sensor's photodiodes.”。 | 对比文件公开了像素包含感测元件（例如光电二极管），并且提到了光电二极管的满阱容量（full-well capacity）。然而，目标专利的“第一阱容量”特指在包含**两个**光感测元件的像素中，由其中一个（第一）元件提供的阱容量。对比文件描述的像素仅包含**一个**光电二极管（一个光感测元件），其阱容量是像素唯一的阱容量，并未将其定义为“第一”阱容量以区别于同一像素内的另一个阱容量。因此，对比文件没有公开“经由像素的第一光感测元件提供第一阱容量”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：《未被公开》<br>经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | 对比文件未描述像素内包含具有不同阱容量的两个光感测元件。 | 目标专利的核心特征之一在于每个像素包含两个阱容量不同的光感测元件（例如，一个大光电二极管和一个小光电二极管）。对比文件全文仅描述了每个像素包含一个光电二极管（一个光感测元件），并未提及或暗示在同一像素内集成第二个具有不同（特别是更大）阱容量的光感测元件。因此，该技术特征在对比文件中既未直接公开，也无法由本领域技术人员从对比文件的内容中合理推断得出。 |
| **技术特征C**：《直接公开》<br>确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | 对比文件说明书[0007]段：“The present invention is directed to a high dynamic range (HDR) CMOS image sensor in which a special exposure control circuit includes exposure time adjustment circuitry that independently adjusts the photodiode exposure (integration) time for each pixel in a pixel array...”。[0036]段详细描述了该调整过程。 | 目标专利的“确定用于第一光感测元件的第一整合时间”是指为一个像素内的特定光感测元件设定曝光（整合）时间。对比文件明确公开了通过曝光控制电路为像素阵列中的每个像素独立调整其光电二极管的曝光（整合）时间。虽然对比文件的像素只有一个光电二极管（对应于目标专利的“第一光感测元件”），但“为像素的光电二极管确定整合时间”这一技术手段被对比文件直接且明确地公开。两者作用相同，都是为了控制感光过程。 |
| **技术特征D**：《未被公开》<br>确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间 | 对比文件未描述像素内包含第二个光感测元件，因此也未涉及为其确定整合时间。 | 由于对比文件没有公开像素内包含第二光感测元件（技术特征B未被公开），自然也就不存在为“第二光感测元件”确定“第二整合时间”的技术方案，更无法满足“第二整合时间不同于第一整合时间”的条件。因此，该技术特征在对比文件中未被公开。 |
| **技术特征E**：《未被公开》<br>在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | 对比文件说明书图3及相关描述（例如[0043]段）展示了像素电路，包含晶体管Q1-Q6，但这些晶体管服务于单个光电二极管P。 | 目标专利的特征E描述了在像素内两个光感测元件之间共享晶体管的特定电路结构，这是实现双感测元件协同工作的一种具体方式。对比文件公开的像素电路（如图3所示）虽然包含多个晶体管（如复位管、传输管、源随管等），但这些晶体管都是为**单个**光电二极管服务的，不存在“在两个光感测元件之间共享”的场景。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：《未被公开》<br>至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。 | 对比文件说明书[0041]段描述了计算最终图像值：“...final image values are calculated (block 280)...the calculation of image values involves multiplying the final charge value read from each pixel by the final exposure time value read from each pixel.”。 | 目标专利的特征F强调图像是基于来自同一像素内**两个不同**光感测元件的信号组合形成的。对比文件在计算最终图像值时，使用的是从**单个**光电二极管读出的最终电荷值，并结合为该像素确定的曝光时间值进行计算（例如，[0041]段和[0065]段的Pixel_Ilumination_Value = collected_charge / Integration_time）。整个过程仅涉及一个信号源（单个光电二极管），并未涉及组合来自两个独立感测元件的信号。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：《未被公开》<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... | 对比文件未提及任何使用两个感测元件信号通过加权公式进行图像融合的算法。 | 目标专利的特征G公开了一种具体的图像融合算法，用于组合来自第一光感测元件（T1）和第二光感测元件（T2）的读出值，以生成高动态范围图像Thdr。对比文件中完全没有提及或暗示存在两个需要组合的信号源，其图像生成完全基于单个光电二极管的信号与曝光时间进行计算。因此，该特定的算法公式及其应用前提（两个信号T1和T2）在对比文件中均未被公开。 |
| **技术特征H**：《直接公开》<br>其中所述图像是高动态范围图像。 | 对比文件标题即包含“Wide (Intra-Scene) Dynamic Range”。[0007]段开篇明确：“The present invention is directed to a high dynamic range (HDR) CMOS image sensor...”。 | 对比文件发明的直接目的就是提供一种高动态范围（HDR）CMOS图像传感器，其最终输出的图像自然是高动态范围图像。这与目标专利中生成高动态范围图像（HDR图像）的目的和作用完全相同。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征I**：《直接公开》<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。 | 对比文件说明书[0003]段：“Each pixel includes a sensing element (e.g., a photodiode)...”。 | 对比文件明确将光电二极管（photodiode）作为像素中感测元件（sensing element）的实例。因此，公开了光感测元件可以是光电二极管。虽然目标专利中限定的是“第一光感测元件及第二光感测元件中的至少一者”，这是一个选择性的限定，而对比文件公开的单个感测元件恰好落入了“至少一者”的范围内。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征J**：《未被公开》<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | 对比文件未涉及第二整合时间。 | 该特征是对第一、第二整合时间长短关系的具体限定。由于对比文件未公开“第二整合时间”以及“第一整合时间”在双元件语境下的概念（技术特征D未被公开），因此这一具体关系自然也无法被公开。 |
| **技术特征K**：《直接公开》<br>其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。 | 对比文件说明书[0007]段：“...independently adjusts the photodiode exposure (integration) time for each pixel...such that optimal non-saturated photodiode charge is obtained for each pixel.”。[0036]段进一步说明调整是基于检测光电二极管电荷是否可能饱和（这直接取决于光照条件）。 | 对比文件公开的曝光时间调整机制，其核心就是根据每个像素感受到的光照条件（通过检测中间电荷是否达到推断的饱和值）来动态确定（或调整）该像素的整合时间，以避免饱和并获得最佳信号。这明确公开了整合时间至少部分地基于光照条件来确定。虽然目标专利中涉及两个整合时间，但“至少一者”的限定意味着只要有一个整合时间基于光照条件确定即满足。对比文件公开的单个整合时间的确定方式完全符合这一限定。 |
| **技术特征L**：《未被公开》<br>包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件...且共享一个或多个晶体管... | 同技术特征B和E的论述，对比文件未公开像素内包含两个不同阱容量的光感测元件，也未公开在两者间共享晶体管的结构。 | 该特征是装置权利要求中对传感器像素结构的限定，其核心内容与技术特征B和E一致。对比文件未公开双光感测元件像素结构，因此该装置特征未被公开。 |
| **技术特征M**：《直接公开》<br>及处理器，其经配置以：确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | 对比文件说明书[0007]、[0036]段描述了曝光控制电路（exposure control circuit）包含曝光时间调整电路（exposure time adjustment circuitry），用于独立调整每个像素的整合时间。图1中的曝光控制电路120及其包含的电路模块（130， 140， 160）实现了这一功能。 | 对比文件明确公开了由专门的电路（曝光控制电路）来执行确定（调整）每个像素整合时间的功能。该电路可以视为一种经配置的处理器或处理电路。其确定整合时间的对象是像素中的光电二极管，对应于目标专利的“第一光感测元件”。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征N**：《未被公开》<br>及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。 | 同技术特征D。 | 由于对比文件未公开第二光感测元件，因此也不存在处理器被配置为确定第二整合时间的技术方案。该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：《直接公开》<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。 | 同技术特征I。 | 与技术特征I同理，对比文件公开了感测元件是光电二极管，这满足了“至少一者包括光电二极管”的限定。该特征被直接公开。 |
| **技术特征P**：《未被公开》<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | 同技术特征J。 | 与技术特征J同理，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：《直接公开》<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。 | 同技术特征K和M。 | 对比文件公开的曝光控制电路（处理器）正是基于每个像素的光照条件（通过饱和度检查）来确定（调整）其整合时间。这与本特征描述完全一致。该特征被直接公开。 |
| **技术特征R**：《未被公开》<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。 | 同技术特征N和K。 | 虽然对比文件公开了基于光照条件确定整合时间的原理（技术特征K），但由于其未公开“第二整合时间”这一概念（技术特征N），因此“处理器经配置以基于光照条件确定第二整合时间”这一具体特征无法被公开。 |
| **技术特征S**：《未被公开》<br>其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。 | 同技术特征F。 | 对比文件的图像生成是基于单个光电二极管的信号（第一感测元件），但目标专利该特征限定了信号可来自“第一及第二光感测元件中的一或多者”，这包含了“来自两者”的可能性。对比文件仅公开了来自“一者”（单个）的情况，未公开“来自两者”的方案。且其图像计算方式（结合曝光时间）也与目标专利基于双信号融合的图像生成方式不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征T**：《未被公开》<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... | 同技术特征G。 | 该特征是与方法权利要求中特征G对应的装置功能限定，具体算法未被对比文件公开。 |
| **技术特征U**：《直接公开》<br>其中所述图像是高动态范围图像。 | 同技术特征H。 | 与技术特征H同理，该特征被直接公开。 |
| **技术特征V**：《直接公开》<br>用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置 | 同技术特征C和M。对比文件公开的曝光控制电路（exposure control circuit 120）及其中的曝光时间调整 circuitry 实现了确定整合时间的功能，可视为“用于确定...的装置”。 | 对比文件明确公开了具备确定像素整合时间功能的电路装置。虽然其针对的是单个感测元件，但该功能装置已被公开。这符合“用于...的装置”的撰写方式。该特征被直接公开。 |
| **技术特征W**：《未被公开》<br>及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置... | 同技术特征B、D。 | 由于对比文件未公开第二光感测元件及为其确定第二整合时间的技术方案，因此对应的功能装置也无法被公开。 |
| **技术特征X**：《未被公开》<br>且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管... | 同技术特征E。 | 与技术特征E同理，该结构特征未被公开。 |
| **技术特征Y**：《未被公开》<br>其进一步包括：用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。 | 同技术特征F。 | 对比文件公开了用于生成图像的装置（如图像数据计算电路180），但其是基于单个信号源工作。用于基于两个信号源形成图像的装置未被公开。 |
| **技术特征Z**：《未被公开》<br>其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置... | 同技术特征G。 | 该特征是与特征G对应的装置功能限定，具体算法未被对比文件公开。 |
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