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对比文件列表
2004-05-20_US2004096124A_发明申请_US20040096124A1 Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor (aps)_+++A_B_C_D_E_H_I_J_L_O_P_U_X_f_k_m_n_s_v_w_y+++.docx
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2006-04-11_US7026596B_发明授权_US07026596B2 High-low sensitivity pixel_+++A_B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y+++.docx
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2006-08-31_US2006192867A_发明申请_US20060192867A1 Variable exposure for color image sensor_+++H_I_J_K_L_O_P_Q_R_U+++.docx
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2009-07-16_US2009180015A_发明申请_US20090180015A1 WIDE DYNAMIC RANGE PINNED PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR (APS)_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_L_M_N_O_P_S_U_V_W_X_Y_k_q_r+++.docx
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2013-04-01_KR1020130032234A_发明公开_KR1020130032234A 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 시스템_+++C_D_F_H_I_N_S_U_Y_a_b_e_l_m_v_w_x+++.docx
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2013-04-01_TW201315219A_发明专利_TW201315219A 固態影像拾取裝置及固態影像拾取系統_+++B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y_a_j_p+++.docx
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2013-04-03_CN103024304A_发明公开_CN103024304A 固态摄像器和固态摄像系统_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y_b_j_k_l_p_q_r_w+++.docx
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2016-03-30_CN105453542A_发明公开_CN105453542A 用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2016-09-15_JP2016528848A_发明专利_JP2016528848A 複数の画像感知素子を用いて画像を撮影するためのシステム及び方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2013-04-03_CN103024304A_发明公开_CN103024304A 固态摄像器和固态摄像系统_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y_b_j_k_l_p_q_r_w+++.docx

**对比文件名称**:2013-04-03_CN103024304A_发明公开_CN103024304A 固态摄像器和固态摄像系统

**目标专利名称**:230用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法CN105453542B

**本次调用的模型名称**:DeepSeek-R1

以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件(CN103024304A)的比对表格:

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**A. 《直接公开》**<br>所述方法包括:经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量[0033] “由于第一光电二极管11a的面积大于第二光电二极管11b的面积,因此第一像素13a的饱和电平高于第二像素13b的饱和电平。”对比文件明确公开了像素包含第一光电二极管(第一光感测元件)。饱和电平由光电二极管的面积决定,而饱和电平与阱容量直接相关(阱容量决定饱和电荷量)。因此,第一光电二极管必然具有其“第一阱容量”。本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案。
**B. 《隐含公开》**<br>经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量,其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量[0033] “由于第一光电二极管11a的面积大于第二光电二极管11b的面积,因此第一像素13a的饱和电平高于第二像素13b的饱和电平。”<br>[0161] “当第二像素61b的第二光电二极管63b被形成为是大的时,第二像素61b的饱和电平就会如图16所示增加,因此,第二像素61b的动态范围就变大。”在对比文件主要实施例中,第一光电二极管面积更大,饱和电平更高,即第一阱容量大于第二阱容量。然而,在对比文件图15-16及对应的[0161]-[0162]段描述的修改方案中,明确教导了可以将第二光电二极管形成为大于第一光电二极管,从而使第二像素的饱和电平(即阱容量)增加。本领域技术人员阅读对比文件后,能够合理推断出可以根据需要设计光感测元件的相对大小,使第二光感测元件具有大于第一光感测元件的阱容量,以实现特定的成像效果(如更宽的动态范围)。因此,该技术特征被隐含公开。
**C. 《直接公开》**<br>确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间[0083] “从在定时T9上关闭第一读取门15a到在定时T3上关闭第一读取门15a之间的周期便是第一像素13a的光电转换周期t1。”<br>[0057]-[0060] 描述了控制单元27控制垂直寄存器25,从而控制第一读取门15a的操作时序。对比文件明确公开了第一像素具有光电转换周期t1(即整合时间),并且该周期是通过控制第一读取门15a的开关操作来定义和确定的。这对应于确定第一整合时间。
**D. 《直接公开》**<br>及确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间[0086] “从在定时T7上关闭第二读取门15b到在定时T6上关闭第二读取门15b之间的周期便是第二像素13b的光电转换周期t2。所述光电转换周期t2实际上比第一像素13a的光电转换周期t1的两倍稍长。”<br>[0069] “可通过令这两个像素的电子快门操作为使得第二像素13b的光电转换周期变为第一像素13a的光电转换周期的n倍,来任意设置这两个光电转换周期。”对比文件明确公开了第二像素具有光电转换周期t2(即第二整合时间),并且t2与第一整合时间t1不同(例如,t2约为t1的n倍)。这通过控制第二读取门15b的操作时序来实现。因此,确定不同于第一整合时间的第二整合时间已被直接公开。
**E. 《直接公开》**<br>以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内[0037]-[0040] “在每个单位基元14中,提供读取在第一像素13a中蓄积的信号电荷……的第一读取门15a、读取在第二像素13b中蓄积的信号电荷……的第二读取门15b、检测第一和第二信号电荷的检测单元16、输出基于所检测到的第一和第二信号电荷的第一和第二检测信号的单位基元的输出电路17、重置检测单元16以使得检测单元16具有恒定电势并放电过剩电荷的重置晶体管18……”<br>[0030] “根据本实施例的固态摄像器10是所谓的‘两个像素一个基元类型’的固态摄像器,其具有两个不同敏感性的像素13a、13b作为单位基元14。”对比文件中的“单位基元14”对应于目标专利中的“像素”。在该单位基元内,第一像素13a和第二像素13b共享了检测单元16、重置晶体管18、放大器晶体管AMPTr(见[0039]及图3)等多个晶体管。这些共享的晶体管被集成在该单位基元(即像素)内。因此,该特征被直接公开。
**F. 《直接公开》**<br>其进一步包括:至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像[0142]-[0145] “在定时T3上同时执行读取在第一像素13a中蓄积的第一信号电荷和在第二像素13b中蓄积的第二信号电荷。然后,垂直信号线LS中出现具有基于与第一信号电荷的电荷量和第二信号电荷的电荷量之和对应的电荷量的电势的检测信号。……差分放大器Diff-AMP仅输出通过消除噪声分量获取的检测信号作为差分信号。”<br>[0153] “因此,可以通过同时执行第一信号电荷读取和第二信号电荷读取以及通过添加这两个信号电荷来实现宽动态范围模式。”在对比文件公开的“宽动态范围模式”下,系统同时读取第一和第二光感测元件(光电二极管)的信号,并将这两个信号相加,基于相加后的信号输出图像。这明确公开了基于来自两个光感测元件的信号形成图像。
**G. 《未公开》**<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)……无对应内容。对比文件虽然公开了基于两个信号形成图像(如相加),但并未公开目标专利中所述的使用局部平均绝对差值(MAD)计算权重α(x,y),并据此对T1和T2进行加权组合的特定算法公式。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该具体算法。
**H. 《直接公开》**<br>其中所述图像是高动态范围图像[0153] “因此,可以通过同时执行第一信号电荷读取和第二信号电荷读取以及通过添加这两个信号电荷来实现宽动态范围模式。”对比文件明确将所述模式称为“宽动态范围模式”(Wide Dynamic Range mode),其目的正是生成动态范围更宽的图像,即高动态范围(HDR)图像。
**I. 《直接公开》**<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管[0033] “高敏感性的第一像素13a具有面积较大的四边形的第一光电二极管11a……低敏感性的第二像素13b具有面积小于第一光电二极管11a的四边形的第二光电二极管11b”对比文件明确记载第一和第二光感测元件均为光电二极管。
**J. 《隐含公开》**<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间[0069] “可通过令这两个像素的电子快门操作为使得第二像素13b的光电转换周期变为第一像素13a的光电转换周期的n倍,来任意设置这两个光电转换周期。”<br>(结合宽动态范围应用常识)对比文件公开了可以任意设置第一和第二光电转换周期(整合时间)的比率(n倍)。在移动检测模式实施例中,n>1(t2长于t1)。虽然对比文件未明确示例第二整合时间短于第一整合时间(即n<1)的情况,但本领域技术人员知晓,在宽动态范围成像中,常用短曝光捕捉亮部细节,长曝光捕捉暗部细节。鉴于对比文件已教导整合时间可独立设置且比率可变,为了实现宽动态范围,技术人员能够且容易想到将灵敏度较低的第二感测元件设置为更短的整合时间,以捕捉高光部分,从而隐含公开了“第二整合时间短于第一整合时间”的技术方案。
**K. 《隐含公开》**<br>其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定[0057]-[0060] “控制单元27通过将控制信号输出到垂直寄存器25和公共输出电路17′来控制垂直寄存器25和公共输出电路17′的操作。”对比文件公开了控制单元27可控制第一、第二读取门的操作时序,从而设定光电转换周期(整合时间)。虽然未明确记载整合时间基于“光照条件”确定,但作为成像系统的常规自动曝光控制(AEC)功能,本领域技术人员能够毫无困难地理解,控制单元27可以根据传感器接收的光照信息(光照条件)来调整这些时序控制信号,从而确定合适的整合时间。这是本领域的公知常识和应用必然。
**L. 《隐含公开》**<br>其包括:包括多个像素的CMOS可见图像传感器,其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件,其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量,其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内[0031] “图1所示的固态摄像器10是具有多个以格栅形状排列的像素13a、13b的CMOS类型的固态摄像器10。”<br>[0033] “由于第一光电二极管11a的面积大于第二光电二极管11b的面积,因此第一像素13a的饱和电平高于第二像素13b的饱和电平。”<br>[0161]-[0162] 描述了第二光电二极管可被形成为更大,以提高其饱和电平。<br>[0037]-[0040] 描述了单位基元内共享晶体管。对比文件公开了CMOS图像传感器及其像素(单位基元)结构。关于阱容量关系,如特征B所述,第二阱容量大于第一阱容量是隐含公开的。关于共享晶体管,如特征E所述,是直接公开的。因此,该组合特征整体上被隐含公开。
**M. 《直接公开》**<br>及处理器,其经配置以:确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间[0057]-[0060] “控制单元27通过将控制信号输出到垂直寄存器25和公共输出电路17′来控制垂直寄存器25和公共输出电路17′的操作。”<br>[0083] 提及第一像素的光电转换周期t1。对比文件中的“控制单元27”与“垂直寄存器25”共同作用,通过控制第一读取门15a的时序来设定第一像素的光电转换周期(即第一整合时间)。这相当于处理器(控制单元)经配置以确定第一整合时间。
**N. 《直接公开》**<br>及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间[0057]-[0060] 同上。<br>[0086] 提及第二像素的光电转换周期t2,且不同于t1。同理,控制单元27通过控制第二读取门15b的时序来设定第二像素的光电转换周期t2(即第二整合时间),且t2不同于t1。
**O. 《直接公开》**<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管同特征I。直接公开。
**P. 《隐含公开》**<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间同特征J。隐含公开。
**Q. 《隐含公开》**<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间同特征K。控制单元(处理器)可基于光照条件确定整合时间是本领域技术人员的常规应用推断。
**R. 《隐含公开》**<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间同特征K。隐含公开。
**S. 《直接公开》**<br>其中所述处理器进一步经配置以生成图像,所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。[0142]-[0145],[0153] 描述了在宽动态范围模式下,基于第一和第二信号电荷之和生成图像。<br>控制单元27控制该过程。在宽动态范围模式下,控制单元27控制电路同时读取两个光感测元件的信号并相加,最终生成图像。这直接公开了处理器经配置基于来自两个光感测元件的信号生成图像。
**T. 《未公开》**<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)……无对应内容。同特征G,该具体算法未被公开。
**U. 《直接公开》**<br>其中所述图像是高动态范围图像同特征H。直接公开。
**V. 《直接公开》**<br>其包括:用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置[0057]-[0060] 控制单元27和垂直寄存器25控制第一读取门操作。对比文件中的控制单元27、垂直寄存器25及第一读取门15a等电路共同构成了用于确定第一整合时间的“装置”。这是符合《专利法》对“装置+功能”限定的理解。
**W. 《隐含公开》**<br>及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量[0057]-[0060] 控制单元27和垂直寄存器25控制第二读取门操作。<br>关于“第二阱容量大于第一阱容量”,同特征B,为隐含公开。用于确定第二整合时间的装置被直接公开(控制单元等)。第二整合时间不同于第一整合时间被直接公开。第二阱容量大于第一阱容量如特征B所述为隐含公开。因此,该组合特征整体上被隐含公开。
**X. 《直接公开》**<br>且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内同特征E。直接公开。
**Y. 《直接公开》**<br>其进一步包括:用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置[0142]-[0145],[0153] 描述了差分放大器Diff-AMP、开关电路等基于两个信号生成输出信号。<br>该电路可被视为“用于形成图像的装置”。在宽动态范围模式下,对比文件公开的差分放大器、开关等电路组件执行了将两个信号相加并输出的功能,这构成了用于基于两个信号形成图像的装置。
**Z. 《未公开》**<br>其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)……无对应内容。同特征G、T,该具体算法未被公开。

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