**对比文件名称**：2016-03-30_CN105453542A_发明公开_CN105453542A 用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法
**目标专利名称**：CN105453542B 用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
**特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：《直接公开》<br>所述方法包括：经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量 | 第[0030]段：“可用于提供增加的动态范围同时避免上述方法的一些缺点的一个方法可提供一种每像素具有两个光感测元件(一个小光感测元件及一个大光感测元件)的可见图像传感器。”<br>第[0026]段：“例如光电二极管等的光感测元件可保存的电荷总量被称为阱容量” | 对比文件明确公开了每个像素包含两个光感测元件，其中一个为小光感测元件。根据说明书，光感测元件的阱容量是其固有属性。因此，小光感测元件必然提供其对应的第一阱容量。本领域技术人员可以毫无疑义地得出此技术方案。 |
| **技术特征B**：《直接公开》<br>经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | 第[0030]段：“每像素具有两个光感测元件(一个小光感测元件及一个大光感测元件)”。<br>第[0026]段：“感测元件的动态范围与其阱容量成比例，所述阱容量通常与此类光感测元件的大小成比例。” | 对比文件明确公开了像素中包含大、小两个光感测元件，且大元件尺寸更大。根据光感测元件阱容量与尺寸成比例的教导，大光感测元件必然具有比小光感测元件更大的阱容量，即第二阱容量大于第一阱容量。本领域技术人员可以毫无疑义地得出此技术方案。 |
| **技术特征C**：《直接公开》<br>确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | 第[0031]段：“可见图像传感器的大光电二极管210及小光电二极管220可具有不同整合时间。举例来说，针对大光电二极管210的整合时间，这些整合时间可表示为TL，并且针对较小光电二极管220的整合时间，这些整合时间可表示为TS。”<br>第[0055]段：“首先，TL及TS可被设定为相同值。由此，可使用用于自动曝光控制的TL的统计数据...如果TL图像中的裁剪像素的计数大于预定义阈值，那么TS曝光时间可减小...” | 对比文件明确公开了为小光电二极管（第一光感测元件）确定整合时间TS。并且，说明书第[0055]段详细描述了根据场景亮度（光照条件）动态调整TS（第一整合时间）的具体方法。这直接公开了“确定第一整合时间”这一技术特征。 |
| **技术特征D**：《直接公开》<br>及确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间 | 第[0031]段：“较大光电二极管210可具有比小光电二极管220更长的整合时间。”<br>第[0060]段：“一般来说，TS可短于TL以增加像素动态范围，如上文所描述。” | 对比文件明确公开了为大光电二极管（第二光感测元件）确定整合时间TL，并且TL与TS（第一整合时间）不同，具体而言，TL长于TS。这直接公开了确定不同的第二整合时间。 |
| **技术特征E**：《直接公开》<br>以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | 第[0032]段：“此电路可基于低噪声4-晶体管(4T)像素...支持像素的其它电路可包含复位晶体管Mrst 225及由源极跟随器晶体管Msf 230及行选择晶体管Msel 235组成的读出分支。”<br>图2示出了大光电二极管Dlarge 210和小光电二极管Dsmall 220共享复位晶体管Mrst、源极跟随器晶体管Msf和行选择晶体管Msel。 | 对比文件图2所示的像素电路图及相应文字说明清晰表明，像素内的两个光电二极管共享复位晶体管（Mrst）和读出分支（Msf和Msel）。这些共享的晶体管集成在包含两个光电二极管的同一像素内。本领域技术人员从图2和文字描述可以毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征F**：《直接公开》<br>其进一步包括：至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。 | 第[0037]段：“通过使用Dsmall 220及Dlarge 210两者的组合，此动态范围可扩展。”<br>第[0038]段：“可使用多种方法组合来自两个光电二极管的读出值。”<br>第[0045]段：“组合的T1及T2图像Thdr可表示为：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)。” | 对比文件明确教导了将来自大、小两个光电二极管（即第一、第二光感测元件）的读出信号进行组合，以形成最终的图像（如Thdr）。这直接公开了基于两个信号形成图像的技术特征。 |
| **技术特征G**：《直接公开》<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)其中T1是所述像素的所述第一光感测元件的读出值，T2是所述像素的所述第二光感测元件的读出值，Thdr是组合的图像，并且其中其中a及b是控制过渡宽度的调谐参数并且其中MAD是局部平均绝对差值，其被定义为其中N是居中于像素(x,y)处的窗口W(x,y)内的像素的总数目。 | 第[0045]段：“组合的T1及T2图像Thdr可表示为：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)。”<br>第[0042]段：“假设α(x,y)被定义为：...”（该段给出了α的完整定义式，其中包含a、b参数及MAD）。<br>第[0040]段：“假设MAD表示T1与RxT2之间的局部平均绝对差值，其被定义为如下：...其中W(x,y)是居中于像素(x,y)处的mxn窗口；N是窗口W(x,y)内的像素的总数目。” | 对比文件第[0040]、[0042]、[0045]段完整、明确地公开了目标专利特征G所记载的用于形成组合图像Thdr的数学公式、α的定义式以及MAD的定义式，且各变量的含义（T1、T2、a、b、N等）完全一致。这构成了直接公开。 |
| **技术特征H**：《直接公开》<br>其中所述图像是高动态范围图像。 | 第[0031]段：“可见图像传感器的大光电二极管210及小光电二极管220可具有不同整合时间以扩展图像传感器的动态范围。”<br>第[0045]段描述了组合图像Thdr的生成。<br>发明内容部分（第[0012]段）明确指出该方法用于“扩展动态范围”。 | 对比文件所描述的整个技术方案的核心目的就是通过双感测元件及不同整合时间来扩展动态范围，所形成的组合图像必然是“高动态范围图像”。这已由说明书整体内容直接且明确地公开。 |
| **技术特征I**：《直接公开》<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。 | 第[0030]段：“掩埋型光电二极管可用作此类光感测元件的实例...因此，每一像素可包含大光电二极管及小光电二极管。” | 对比文件明确将光电二极管作为光感测元件的实例，并具体描述了像素包含大光电二极管和小光电二极管。因此，第一、第二光感测元件至少是光电二极管这一特征被直接公开。 |
| **技术特征J**：《直接公开》<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | 第[0060]段：“一般来说，TS可短于TL以增加像素动态范围，如上文所描述。” | 对比文件在具体实施方式中明确教导了在WDR（宽动态范围）模式下，小光电二极管的整合时间TS（对应于第一整合时间）短于大光电二极管的整合时间TL（对应于第二整合时间）。这直接公开了该特征。 |
| **技术特征K**：《直接公开》<br>其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。 | 第[0055]段：“用于调整TL及TS的一个方法可为如下...当亮度等级达到目标亮度等级时，可检查TL图像用于剪裁像素...如果TL图像中的裁剪像素的计数大于预定义阈值，那么TS曝光时间可减小...” | 对比文件详细公开了根据TL图像中的裁剪像素计数（这直接反映了场景的光照条件，高光部分易裁剪）来动态调整TS（第一整合时间）的曝光控制方法。这直接公开了整合时间至少部分基于光照条件确定。 |
| **技术特征L**：《直接公开》<br>其包括：包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量，其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内 | 第[0030]段：“一个实施例包含基于CMOS的可见图像传感器...每像素具有两个光感测元件(一个小光感测元件及一个大光感测元件)。”<br>第[0032]段及图2：展示了像素电路，其中两个光电二极管共享复位晶体管Mrst 225及读出分支（Msf 230, Msel 235）。<br>第[0026]段：说明了阱容量与尺寸的关系。 | 对比文件直接公开了包含双光感测元件（一大一小，阱容量不同）的CMOS可见图像传感器。图2和相应文字说明直接公开了同一像素内两个感测元件共享晶体管（Mrst， Msf， Msel）的结构。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征M**：《直接公开》<br>及处理器，其经配置以：确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | 第[0064]-[0066]段：“处理器820由存储在存储器中的若干模块来配置。举例来说，定时模块835可包含配置处理器820以确定第一光电二极管815及第二光电二极管825的时序的指令。”<br>第[0055]段描述了调整TL和TS的曝光控制逻辑，该逻辑可由处理器执行。 | 对比文件明确公开了装置包含处理器（820），且该处理器通过定时模块（835）配置为确定光电二极管的时序（包括整合时间）。结合第[0055]段的曝光控制方法，本领域技术人员可以毫无疑义地得出处理器经配置以确定第一整合时间。 |
| **技术特征N**：《直接公开》<br>及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。 | 第[0064]-[0066]段：处理器经配置确定两个光电二极管的时序。<br>第[0031]、[0060]段：TL与TS不同。 | 同理，对比文件公开的处理器（通过定时模块）经配置以确定两个光电二极管的时序，而这两个时序（TL和TS）已被公开为不同。因此，处理器经配置以确定不同于第一整合时间的第二整合时间这一特征被直接公开。 |
| **技术特征O**：《直接公开》<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。 | 同特征I的引用。第[0030]段明确像素包含大光电二极管及小光电二极管。 | 该特征与特征I实质相同，对比文件已直接公开光感测元件为光电二极管。 |
| **技术特征P**：《直接公开》<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | 同特征J的引用。第[0060]段明确“TS可短于TL”。 | 该特征与特征J实质相同，对比文件已直接公开。 |
| **技术特征Q**：《直接公开》<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。 | 第[0055]段描述了基于TL图像裁剪像素计数（反映光照条件）调整TS（第一整合时间）的方法。<br>第[0065]段：处理器由定时模块配置以确定时序。 | 对比文件公开的曝光控制方法（第[0055]段）本质上是基于光照条件调整整合时间的算法。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，该算法可由公开的处理器（第[0065]段）来执行。因此，处理器经配置以基于光照条件确定第一整合时间被直接公开。 |
| **技术特征R**：《直接公开》<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。 | 第[0055]段：“首先，TL及TS可被设定为相同值。由此，可使用用于自动曝光控制的TL的统计数据...” 这表明TL（第二整合时间）的初始确定是基于自动曝光控制，而自动曝光控制本身就是基于光照条件。 | 对比文件公开了使用自动曝光控制来确定TL（第二整合时间），而自动曝光控制必然是基于光照条件的。因此，处理器经配置以基于光照条件确定第二整合时间被直接公开。 |
| **技术特征S**：《直接公开》<br>其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。 | 第[0066]段：“存储器830还可含有图像组合模块840。图像组合模块840可含有配置处理器820以从第一光电二极管815及第二光电二极管825接收信号并且以某种方式组合来自光电二极管的信号以产生图像的指令。” | 对比文件明确公开了图像组合模块（840）配置处理器（820）从两个光电二极管接收信号并组合产生图像。这直接公开了处理器经配置以基于来自两个光感测元件的信号生成图像。 |
| **技术特征T**：《直接公开》<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)其中T1是所述像素的所述第一光感测元件的读出值，T2是所述像素的所述第二光感测元件的读出值，Thdr是组合的图像，并且其中其中a及b是控制过渡宽度的调谐参数并且其中MAD是局部平均绝对差值，其被定义为其中N是居中于像素(x,y)处的窗口W(x,y)内的像素的总数目。 | 同特征G的引用。第[0040], [0042], [0045]段。 | 该特征与特征G实质相同，对比文件已完整直接公开该公式及其所有相关定义。 |
| **技术特征U**：《直接公开》<br>其中所述图像是高动态范围图像。 | 同特征H的引用。 | 该特征与特征H实质相同，对比文件整体方案目的即为生成高动态范围图像。 |
| **技术特征V**：《直接公开》<br>其包括：用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置 | 第[0013]段：“所述装置包括用于确定用于CMOS可见图像传感器中包含的具有第一阱容量的至少一个第一光感测元件中的每一者的第一整合时间的装置”。 | 对比文件在发明内容部分明确记载了与目标专利权利要求中“装置+功能”限定完全相同的技术特征。这构成了直接公开。 |
| **技术特征W**：《直接公开》<br>及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | 第[0013]段：“及用于确定用于所述CMOS可见图像传感器中包含的具有第二阱容量的至少一个第二光感测元件中的每一者的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量。” | 同上，对比文件在发明内容部分明确记载了该“装置+功能”特征，文字表述几乎一致。这构成了直接公开。 |
| **技术特征X**：《直接公开》<br>且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | 同特征E的引用。第[0032]段及图2。 | 该特征与特征E、L中共享晶体管的结构特征实质相同，已由对比文件具体实施方式直接公开。 |
| **技术特征Y**：《直接公开》<br>其进一步包括：用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。 | 第[0013]段：该段描述了包含用于确定整合时间装置的电子装置。结合说明书整体内容，该装置必然包括用于俘获/形成图像的装置。第[0045]段公开了图像形成方法。 | 对比文件整体方案的目的就是俘获图像。虽然第[0013]段未明确重复“用于形成图像的装置”，但本领域技术人员阅读说明书后可以毫无疑义地得出，用于实现所述方法的装置必然包含用于基于两个信号形成图像的相应装置（如处理器、图像组合模块等）。这属于直接公开。 |
| **技术特征Z**：《直接公开》<br>其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)其中T1是所述像素的所述第一光感测元件的读出值，T2是所述像素的所述第二光感测元件的读出值，Thdr是组合的图像，并且其中其中a及b是控制过渡宽度的调谐参数并且其中MAD是局部平均绝对差值，其被定义为其中N是居中于像素(x,y)处的窗口W(x,y)内的像素的总数目。 | 同特征G、T的引用。第[0040], [0042], [0045]段。 | 对比文件已直接公开了该公式。用于实现该公式的装置（例如，执行相应算法的处理器或图像处理电路）是本领域技术人员在知晓该公式后能够直接且毫无疑义地构建的。因此，该特征被直接公开。 |
<<<A>>> <<<B>>> <<<C>>> <<<D>>> <<<E>>> <<<F>>> <<<G>>> <<<H>>> <<<I>>> <<<J>>> <<<K>>> <<<L>>> <<<M>>> <<<N>>> <<<O>>> <<<P>>> <<<Q>>> <<<R>>> <<<S>>> <<<T>>> <<<U>>> <<<V>>> <<<W>>> <<<X>>> <<<Y>>> <<<Z>>>