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对比文件列表
2004-05-20_US2004096124A_发明申请_US20040096124A1 Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor (aps)_+++A_B_C_D_E_H_I_J_L_O_P_U_X_f_k_m_n_s_v_w_y+++.docx
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2006-04-11_US7026596B_发明授权_US07026596B2 High-low sensitivity pixel_+++A_B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y+++.docx
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2007-09-06_US2007206110A_发明申请_US20070206110A1 Solid state imaging device and image pickup apparatus_+++C_D_H_I_U_a_b_f_m_n_o_s_v_w_y+++.docx
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2007-12-13_US2007285547A_发明申请_US20070285547A1 CMOS image sensor array optimization for both bright and low light conditions_+++A_B_H_I_c_d_f_k_v_w_y+++.docx
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2009-03-18_JP4241840B_发明专利_JP4241840B2 Imaging device_+++A_B_F_H_I_O_S_U_Y_c_d_m_n_v_w+++.docx
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2009-04-08_CN101404731A_发明公开_CN101404731A 用于强光和弱光条件的CMOS图像传感器阵列优化_+++A_B_F_H_I_M_N_O_S_U_V_Y_c_d_j_k_p_q_r_w+++.docx
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2009-07-16_US2009180015A_发明申请_US20090180015A1 WIDE DYNAMIC RANGE PINNED PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR (APS)_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_L_M_N_O_P_S_U_V_W_X_Y_k_q_r+++.docx
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2011-01-20_US2011013064A_发明申请_US20110013064A1 CMOS Image Sensor With Wide (Intra-Scene) Dynamic Range_+++C_H_I_K_M_O_Q_U_V+++.docx
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2012-09-27_US2012241591A_发明申请_US20120241591A1 PUMPED PINNED PHOTODIODE PIXEL ARRAY_+++A_B_E_I_O_c_f_h_m_s_u_v_y+++.docx
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2013-03-28_US2013076953A_发明申请_US20130076953A1 SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP SYSTEM_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y+++.docx
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2013-04-01_KR1020130032234A_发明公开_KR1020130032234A 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 시스템_+++C_D_F_H_I_N_S_U_Y_a_b_e_l_m_v_w_x+++.docx
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2013-04-01_TW201315219A_发明专利_TW201315219A 固態影像拾取裝置及固態影像拾取系統_+++B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y_a_j_p+++.docx
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2013-04-03_CN103024304A_发明公开_CN103024304A 固态摄像器和固态摄像系统_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y_b_j_k_l_p_q_r_w+++.docx
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2013-04-18_JP2013070245A_发明专利_JP2013070245A Solid-state imaging device and solid-state imaging system_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y_k_q_r+++.docx
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2016-03-30_CN105453542A_发明公开_CN105453542A 用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2016-09-15_JP2016528848A_发明专利_JP2016528848A 複数の画像感知素子を用いて画像を撮影するためのシステム及び方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2016-09-15_JP2016528848A_发明专利_JP2016528848A 複数の画像感知素子を用いて画像を撮影するためのシステム及び方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx

**对比文件名称**:2016-09-15_JP2016528848A_发明专利_JP2016528848A 複数の画像感知素子を用いて画像を撮影するためのシステム及び方法

**目标专利名称**:230用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法CN105453542B

**本次调用的模型名称**:DeepSeek最新版本模型

### **特征比对表格**

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用 (翻译为中文)公开性论述
**技术特征A《直接公开》**[0012] “...第1のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第1の光感知素子...”对比文件明确公开了图像传感器包含至少一个第一光感测元件,该元件具有第一阱容量。在目标专利中,第一光感测元件用于感光并产生信号,对比文件中其作用完全相同。因此,本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征B《直接公开》**[0012] “...第2のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第2の光感知素子,ここにおいて、第2のウェルキャパシティは、第1のウェルキャパシティよりも大きい。”对比文件明确公开了第二光感测元件及其第二阱容量,并明确指出第二阱容量大于第一阱容量。这与目标专利中所述“第二阱容量大于第一阱容量”的作用一致,均为提供不同的感光能力以扩展动态范围。因此被直接公开。
**技术特征C《直接公开》**[0012] “方法は、少なくとも1つの第1の光感知素子の各々に対して第1の積分時間を決定することと...を備え”对比文件明确记载了方法包括确定用于第一光感测元件的第一整合时间。该特征在目标专利中用于控制曝光,在对比文件中作用相同。因此被直接公开。
**技术特征D《直接公开》**[0012] “...少なくとも1つの第2の光感知素子の各々に対して第2の積分時間を決定することとを備え、ここにおいて、第2の積分時間は、第1の積分時間とは異なる。”对比文件明确公开了确定用于第二光感测元件的第二整合时间,且第二整合时间不同于第一整合时间。这与目标专利权利要求的技术特征完全一致,作用也相同。因此被直接公开。
**技术特征E《直接公开》**[0030] 图2及对应描述:像素200包含大光电二极管210(Dlarge)和小光电二极管220(Dsmall),并共享复位晶体管Mrst 225、源极跟随器晶体管Msf 230和行选择晶体管Msel 235。对比文件附图2及其说明(对应目标专利图2及[0030]-[0032]段)明确示出并描述了在一个像素内,两个光感测元件(光电二极管)共享一个或多个晶体管(如Mrst, Msf, Msel)。这些共享的晶体管被集成在该像素内。其作用与目标专利相同,旨在减少元件数量、提高填充因数。因此被直接公开。
**技术特征F《直接公开》**[0038]-[0043] 描述了使用来自两个光电二极管的读出值(T1和T2)来组合形成图像Thdr。对比文件详细说明了如何基于来自第一光感测元件(大光电二极管)和第二光感测元件(小光电二极管)的信号来形成组合图像。这与目标专利中“至少部分地基于来自两个元件的信号形成图像”的特征和作用完全相同。因此被直接公开。
**技术特征G《直接公开》**[0039]-[0043] 公开了组合公式:Thdr(x,y) = (1-α(x,y))·T1(x,y) + α(x,y)·T2(x,y),其中α(x,y)=...,MAD定义为...,N是窗口W(x,y)内的像素总数。对比文件公开了与目标专利完全相同的数学公式、参数定义(T1, T2, Thdr, α, a, b, MAD, N)以及公式的描述。该公式在对比文件中的作用与目标专利中相同,用于实现两个信号之间的平滑过渡和图像合成。因此被直接公开。
**技术特征H《直接公开》**[0001], [0005], [0029], [0054] 等多处提及扩展动态范围、宽动态范围(WDR)图像。对比文件全文核心目的就是扩展动态范围以获取高动态范围图像(WDR图片)。因此,所形成的图像必然是“高动态范围图像”。该特征被对比文件直接且明确地公开。
**技术特征I《直接公开》**[0025], [0030] “フォトダイオード(photodiode)が、そのような光感知素子の例として使用され得る”、“大きいフォトダイオード210...小さいフォトダイオード220...”对比文件明确将光感测元件示例为光电二极管,并在具体实施方式中描述像素包含大光电二极管和小光电二极管。因此,“光感测元件是光电二极管”这一特征被直接公开。
**技术特征J《直接公开》**[0031], [0054] “大きいフォトダイオード210は、小さいフォトダイオード220よりも長い積分時間を有し得る。”、“一般に、TSは、...TLよりも短いだろう。”对比文件明确说明了在WDR操作模式下,用于第二光感测元件(小光电二极管)的整合时间(TS)短于用于第一光感测元件(大光电二极管)的整合时间(TL)。这与目标专利特征完全一致。因此被直接公开。
**技术特征K《直接公开》**[0048]-[0049] 描述了根据亮度等级、裁剪像素计数等光照条件来调整TL和TS的曝光控制方法。对比文件明确公开了第一整合时间(TL)和第二整合时间(TS)至少部分地基于光照条件(如场景亮度、裁剪像素数量)来确定。其作用与目标专利相同,均为实现自适应曝光。因此被直接公开。
**技术特征L《直接公开》**[0013] “デバイスは、第1のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第1の光感知素子と、第2のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第2の光感知素子とを含むCMOS可視画像センサと...を備え”;结合技术特征E的公开内容。对比文件直接公开了装置包括CMOS可见图像传感器,该传感器包含具有第一阱容量的第一光感测元件和具有更大第二阱容量的第二光感测元件。同时,基于技术特征E的论述,对比文件也公开了每个像素内的两个光感测元件共享集成于像素内的晶体管。因此,该特征被直接公开。
**技术特征M《直接公开》**[0013] “...プロセッサとを備え、...少なくとも1つの第1の光感知素子の各々に対して使用されるべき第1の積分時間を決定することと...を行うように構成された...”对比文件明确公开了装置包含处理器,且该处理器经配置以确定用于第一光感测元件的第一整合时间。这与目标专利特征M完全一致。因此被直接公开。
**技术特征N《直接公开》**[0013] “...少なくとも1つの第2の光感知素子の各々に対して使用されるべき第2の積分時間を決定することとを行うように構成された...ここにおいて、第2の積分時間は、第1の積分時間とは異なる。”对比文件明确公开了处理器经配置以确定用于第二光感测元件的第二整合时间,且第二整合时间不同于第一整合时间。这与目标专利特征N完全一致。因此被直接公开。
**技术特征O《直接公开》**同技术特征I的引用及论述。同技术特征I,对比文件直接公开了光感测元件包括光电二极管。
**技术特征P《直接公开》**同技术特征J的引用及论述。同技术特征J,对比文件直接公开了第二整合时间短于第一整合时间。
**技术特征Q《直接公开》**[0048]-[0049] 描述了基于光照条件(亮度等级、裁剪像素)确定TL(第一整合时间)的曝光控制方法。对比文件公开的曝光控制方法中,处理器根据光照条件来确定第一整合时间(TL)。这与目标专利特征Q一致。因此被直接公开。
**技术特征R《直接公开》**[0048]-[0049] 描述了基于光照条件(TL图像中的裁剪像素计数)确定TS(第二整合时间)的曝光控制方法。对比文件公开的曝光控制方法中,处理器根据光照条件(如TL图像的裁剪情况)来确定第二整合时间(TS)。这与目标专利特征R一致。因此被直接公开。
**技术特征S《直接公开》**[0058]-[0060] 图8及描述:处理器820由图像组合模块840配置,以从两个光电二极管接收信号并组合以产生图像。对比文件明确公开了处理器经配置以基于来自第一和第二光感测元件(光电二极管)的信号生成图像。这与目标专利特征S完全一致。因此被直接公开。
**技术特征T《直接公开》**同技术特征G的引用及论述。同技术特征G,对比文件直接公开了使用特定公式形成图像,该公式由处理器执行。
**技术特征U《直接公开》**同技术特征H的引用及论述。同技术特征H,对比文件直接公开了所生成的图像是高动态范围图像。
**技术特征V《直接公开》**[0014] “デバイスは、CMOS可視画像センサに含まれる、第1のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第1の光感知素子の各々に対して第1の積分時間を決定するための手段と...を備え”对比文件以“手段+功能”的撰写方式,直接公开了“用于确定第一整合时间的装置”,该装置对应于处理器或定时模块等。因此,该特征被直接公开。
**技术特征W《直接公开》**[0014] “...CMOS可視画像センサに含まれる、第2のウェルキャパシティを有する少なくとも1つの第2の光感知素子の各々に対して第2の積分時間を決定するための手段とを備え、ここにおいて、第2の積分時間は、第1の積分時間とは異なり、第2のウェルキャパシティは、第1のウェルキャパシティよりも大きい。”对比文件直接公开了“用于确定第二整合时间的装置”,并明确其条件(第二整合时间不同,且第二阱容量更大)。这与目标专利特征W完全一致。因此被直接公开。
**技术特征X《直接公开》**结合技术特征L中关于CMOS图像传感器包含具有不同阱容量光感测元件的公开,以及技术特征E中关于像素内共享晶体管的公开。对比文件已公开装置包含具有所述光感测元件的CMOS传感器(特征L),以及每个像素内两个光感测元件共享晶体管(特征E)。因此,“手段+功能”权利要求中的该结构限定特征被直接公开。
**技术特征Y《直接公开》**[0014] 结合[0038]-[0043]及[0058]-[0060]中关于形成图像的描述。对比文件公开了基于两个光感测元件的信号形成图像的方法和装置(如图像组合模块)。因此,“用于...形成图像的装置”这一功能特征被直接公开。
**技术特征Z《直接公开》**同技术特征G的引用及论述。同技术特征G,对比文件直接公开了用于基于所述特定公式形成图像的装置(如处理器执行图像组合模块)。

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