**对比文件名称**：2003-10-02_US2003184407A_发明申请_US20030184407A1 Filter having directional coupler and communication device
**目标专利名称**：通孔过渡及其制作方法CN105453332B
**本次调用的模型名称**：未指定
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括两个端部分(L1，L5) 未公开 | 无 | 对比文件虽具有内导体两端，但未明确将其定义为端部分，亦未描述其与高/低阻抗部分的区别性结构或功能，因此未公开。 |
| 技术特征B：高阻抗部分(L2，L3，L4) **直接公开** | [0009]“The inner conductor 103 comprises high impedance portions 101 and low impedance portions 102 alternately connected to each other.” [0100]“an inner conductor 1, high impedance portions 1a, low impedance portions 1b” | 对比文件明确公开了高阻抗部分，其作用为等效串联电感，与目标专利中高阻抗部分的作用完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4) **直接公开** | 同上 | 对比文件明确公开了低阻抗部分，其作用为等效并联电容，与目标专利中低阻抗部分的作用完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征D：所述高阻抗部分和低阻抗部分被交替布置在两个端部分之间 **隐含公开** | [0009]“alternately connected to each other” | 对比文件公开了高阻抗和低阻抗部分交替连接形成内导体，本领域技术人员可合理推断内导体的两端即为端部分，且交替部分布置于两端之间，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征E：所述通孔过渡形成在基底中 未公开 | 无 | 对比文件的低通滤波器为同轴结构（内导体/外导体），并非形成于基底中的通孔过渡，因此未公开。 |
| 技术特征F：每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层 未公开 | 无 | 对比文件未涉及介电层堆叠或部分延伸通过层的结构，因此未公开。 |
| 技术特征G：基底为LTCC、HTCC、LCP或PCB基底 未公开 | 无 | 对比文件未提及上述基底材料，仅使用金属外壳或普通介质基板，因此未公开。 |
| 技术特征H：低阻抗部分数目为4 未公开 | 无 | 对比文件未指定低阻抗部分的数目，因此未公开。 |
| 技术特征I：高阻抗部分数目为3 未公开 | 无 | 对比文件未指定高阻抗部分的数目，因此未公开。 |
| 技术特征J：每个部分的形状都为圆柱形 **隐含公开** | [0009]“inner conductor 103 arranged in an outer conductor 104” 结合图2及同轴结构常识 | 对比文件公开了同轴结构，内导体通常为圆柱形，且高/低阻抗部分通过直径变化实现，本领域技术人员可合理推断各部分均为圆柱形，因此隐含公开。 |
| 技术特征K：所有部分都是同轴对齐的 **直接公开** | [0101]“The inner conductor 1 is disposed in the center of the outer conductor 2” | 对比文件明确内导体位于外导体的中心，确保内导体各部分（包括高/低阻抗部分）同轴对齐，因此直接公开。 |
| 技术特征L：高阻抗部分的横截面面积比端部分中的任一个更小 未公开 | 无 | 对比文件未定义端部分，故无法进行横截面积比较，因此未公开。 |
| 技术特征M：低阻抗部分的横截面面积比端部分中的任一个更大 未公开 | 无 | 同上，未公开。 |
| 技术特征N：两个端部分分别直接耦接到两个传输线 未公开 | 无 | 对比文件未描述端部分与传输线的直接耦接关系，因此未公开。 |
| 技术特征O：通孔过渡和传输线由金或银制成 未公开 | 无 | 对比文件未提及金或银作为导电材料，因此未公开。 |
| 技术特征P：LTCC基底由Ferro A6S制成 未公开 | 无 | 对比文件未涉及LTCC工艺或Ferro A6S材料，因此未公开。 |
| 技术特征Q：Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002 未公开 | 无 | 对比文件未公开该材料参数，因此未公开。 |
| 技术特征R：每个LTCC介电层的火后厚度为100um 未公开 | 无 | 对比文件未涉及LTCC介电层厚度，因此未公开。 |
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