好的，作为一名资深专利代理师，我将严格遵循您的指示，对对比文件相对于目标专利权利要求的各技术特征进行公开性评估。
在回答的开始，明确以下信息：
- **对比文件名称**：2003-07-16_EP1328038A_发明公开_EP1328038A2 Filter having directional coupler and communication device
- **目标专利名称**：1182通孔过渡及其制作方法CN105453332B
- **本次调用的模型名称**：（根据您的上下文，假设模型名称为“资深专利代理师模型”）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括两个端部分(L1，L5)<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 对比文件公开的低通滤波器（如段落[0007]，图19）包括内导体103，该内导体由高阻抗部分101和低阻抗部分102交替连接构成。对比文件描述了该内导体103布置在外导体104中，其两端用于连接信号，但并未将两端部分作为一个特定的、与内部其他部分在结构或功能上加以区分的独立技术特征，例如目标专利中端部分用于直接耦接传输线并具有特定阻抗匹配功能。对比文件中没有公开与目标专利中“端部分(L1，L5)”相对应的结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征B：高阻抗部分(L2，L3，L4)<br><br>**《直接公开》** | 段落[0007]： “The inner conductor 103 comprises high impedance portions 101 and low impedance portions 102 alternately connected to each other.” <br><br> 段落[0073]： “The inner conductor 1 comprises the high impedance portions 1a and the low impedance portions 1b which are formed to be connected alternately and integrally with each other.” | 对比文件明确公开了构成滤波器内导体的“高阻抗部分（high impedance portions）”，并将其与低阻抗部分交替连接（段落[0007]，[0073]）。该高阻抗部分在功能上（作为串联电感）与目标专利中的高阻抗部分（L2, L3, L4）完全相同，都是用于构成阶梯式阻抗低通滤波结构的一部分。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)<br><br>**《直接公开》** | 段落[0007]： “The inner conductor 103 comprises high impedance portions 101 and low impedance portions 102 alternately connected to each other.” <br><br> 段落[0073]： “The inner conductor 1 comprises the high impedance portions 1a and the low impedance portions 1b which are formed to be connected alternately and integrally with each other.” | 对比文件明确公开了构成滤波器内导体的“低阻抗部分（low impedance portions）”，并将其与高阻抗部分交替连接（段落[0007]，[0073]）。该低阻抗部分在功能上（作为并联电容）与目标专利中的低阻抗部分（C1, C2, C3, C4）完全相同，都是用于构成阶梯式阻抗低通滤波结构的一部分。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)被交替布置在两个端部分(L1，L5)之间<br><br>**《隐含公开》** | 段落[0007]： “The inner conductor 103 comprises high impedance portions 101 and low impedance portions 102 alternately connected to each other.” <br><br> 段落[0073]： “The inner conductor 1 comprises the high impedance portions 1a and the low impedance portions 1b which are formed to be connected alternately and integrally with each other.” | 对比文件明确公开了高阻抗部分和低阻抗部分“交替连接（alternately connected to each other）”（段落[0007]）。虽然对比文件未明确提及“端部分”，但作为一段传输线或滤波器结构，其固有的两端自然是信号的输入和输出端口。对于本领域技术人员而言，一段由高阻抗和低阻抗交替连接而成的内导体，其固有的物理结构必然是位于该导体的两个端部（即信号端口）之间。目标专利中的“交替布置在两个端部分之间”实质上是“交替结构”的必然结果。因此，该技术特征对于本领域技术人员来说是隐含公开的。 |
| 技术特征E：所述通孔过渡形成在基底中<br><br>**《隐含公开》** | 段落[0115]，图7： “...a dielectric substrate 21, a line electrode 22 constituting a filter... The line electrode 22 comprises the high impedance portions 22a and the low impedance portions 22b, which are formed on one surface of the dielectric substrate 21...” | 虽然对比文件的主体实施例（图1，3）公开的是同轴型滤波器，其内导体设置在外导体内，未提及基底。但对比文件的第五实施例（段落[0115]-[0127]，图7）明确公开了在介电基底（dielectric substrate 21）上形成包括高阻抗部分和低阻抗部分的线电极（line electrode 22）的低通滤波器。这公开了“在介质基底上形成具有交替高低阻抗的导体结构”这一概念。目标专利权利要求中的“通孔过渡”（即垂直互连结构）从广义上讲，也可以视为一种形成于基底中的传输线结构。本领域技术人员在阅读对比文件后，能够合理推断出将交替高低阻抗结构形成于基底中是一种可行的技术方案。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征F：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 对比文件第五实施例（图7）的微带线结构是形成在介电基底的单一表面上的平面图形，其高阻抗部分和低阻抗部分并不延伸穿过基底内部的多个介电层。对比文件中的同轴型滤波器（图19）的内导体是单一金属件，未涉及由多个介电层堆叠并让导体部分延伸通过其中的结构。对比文件未公开任何部分延伸通过多个介电层的概念。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、液晶聚合物LCP或有机印刷电路板PCB基底<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 对比文件仅提及“介电基底（dielectric substrate）”（如段落[0115]），但并未对基底的具体类型（如LTCC, HTCC, LCP, PCB）进行任何限定或暗示。本领域技术人员无法从对比文件中直接且毫无疑义地确定或合理推断出基底必须是所列材料中的一种。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H：其中所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)的数目是4<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 对比文件仅公开了低阻抗部分与高阻抗部分交替连接，但未对低阻抗部分的数目进行任何限定。在对比文件中，高低阻抗部分的数量可以根据滤波器设计需求而变化。目标专利中低阻抗部分数目为4是一个具体的数值限定，对比文件没有公开这一具体数量。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：所述高阻抗部分(L2，L3，L4)的数目是3<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 对比文件仅公开了高阻抗部分与低阻抗部分交替连接，但未对高阻抗部分的数目进行任何限定。在对比文件中，高低阻抗部分的数量可以根据滤波器设计需求而变化。目标专利中高阻抗部分数目为3是一个具体的数值限定，对比文件没有公开这一具体数量。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：其中每个部分的形状都为圆柱形<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 对比文件的第五实施例（图7）中的高低阻抗部分是平面微带线图形，并非圆柱形。对比文件的第一实施例（图1）的滤波器内导体整体为柱状，但未明确每个高低阻抗部分本身是否为标准的圆柱形。更重要的是，目标专利权利要求限定的是通孔过渡的每个部分，这与对比文件中作为传输线整体的一部分不同。对比文件没有公开通孔过渡的每个部分都必须为圆柱形。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征K：所有部分都是同轴对齐的<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 对比文件的第一实施例（图1）的内导体是沿轴向延伸的柱体，其高阻抗部分和低阻抗部分自然同轴。但是，目标专利权利要求该特征是对“通孔过渡”的限定，其强调垂直互通过程中所有部分的同轴对齐，这与作为水平传输线的一部分的内导体同轴对齐在结构和功能背景上不完全相同。目标专利解决的是通孔过渡的不连续性，而同轴对齐是其关键措施。对比文件并未公开或暗示将这一特征应用于解决通孔过渡问题。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征L：其中高阻抗部分(L2，L3，L4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更小<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 目标专利中，高阻抗部分横截面面积较小是为了形成所需的阻抗特性（[0032]段）。对比文件公开了高阻抗部分具有较小的截面尺寸（[0007]段），但其比较对象是低阻抗部分，而不是“端部分”。对比文件未定义或公开“端部分”这一结构，因此无法进行横截面面积的比较。该技术特征未被公开。 |
| 技术特征M：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更大<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 同理于技术特征L，目标专利中低阻抗部分横截面面积较大是为了形成所需的阻抗特性（[0032]段）。对比文件公开了低阻抗部分具有较大的截面尺寸（[0007]段），但其比较对象是高阻抗部分，而不是“端部分”。由于对比文件未定义或公开“端部分”，因此无法进行横截面面积的比较。该技术特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述两个端部分(L1，L5)被分别直接耦接到两个传输线<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 目标专利明确描述端部分用于直接耦接传输线（[0029]段）。对比文件中的内导体两端（如段落[0078]所述，信号从一端输入另一端输出）虽然用于连接外部电路，但并未将其定义为独立的“端部分”，也没有明确其是“直接耦接”到传输线。对比文件没有公开与目标专利相同的“端部分”概念及其与传输线的直接耦接关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述通孔过渡和所述传输线由金或银制成<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 对比文件未对构成滤波器的导体（如内导体、线电极）的具体材料进行限定，仅提及它们由导体材料（conductor）构成。没有提到使用金或银。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征P：其中所述LTCC基底由Ferro A6S制成<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 对比文件未公开LTCC基底，更未提及Ferro A6S这种具体材料。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征Q：所述Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 对比文件未公开Ferro A6S材料，因此其具体的介电常数和损耗因数也未被公开。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征R：其中每个LTCC介电层的火后厚度为100um<br><br>**未直接公开，未隐含公开** | 无 | 对比文件未公开LTCC介电层的结构，更未提及火后厚度为100um这一具体参数。因此，该技术特征未被公开。 |
### 结论
综上所述，根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征B和技术特征C，隐含公开了技术特征D和技术特征E。其他技术特征均未被公开。
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