对比文件名称：2004-01-02_EP1376745A_发明公开_EP1376745A1 High efficiency stepped impedance filter
目标专利名称：1182通孔过渡及其制作方法CN105453332B
模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括两个端部分(L1，L5)** <br>《未公开》 | 对比文件[0013]：“阶梯阻抗滤波器通常具有一个输入端口、一个输出端口以及多个交替的高阻抗和低阻抗传输线部分。” | 对比文件公开的是平面传输线结构的输入/输出端口，其作用是作为射频信号的入口和出口，构成平面滤波器的一部分。目标专利的端部分（L1，L5）是垂直通孔过渡结构两端用于连接传输线的部分，是垂直互连结构的组成部分。两者结构、所在层级（平面vs垂直）及功能不同，对比文件未公开目标专利中通孔过渡的端部分。 |
| **技术特征B：高阻抗部分(L2，L3，L4)** <br>《未公开》 | 对比文件[0013]：“阶梯阻抗滤波器……具有多个交替的高阻抗和低阻抗传输线部分。” | 对比文件公开的是平面传输线中的高阻抗部分（通常通过窄线宽实现），用于在平面集成电路中形成低通滤波器。目标专利的高阻抗部分（L2，L3，L4）是垂直通孔过渡中的一段通孔柱，通过改变横截面面积（相较于端部分更小）实现高阻抗，是构成阶梯式阻抗低通滤波结构的一部分，用于减少辐射损耗。两者结构（平面线宽vs通孔横截面）与具体实现方式不同，对比文件未公开目标专利中通孔过渡的高阻抗部分。 |
| **技术特征C：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)** <br>《未公开》 | 对比文件[0013]：“阶梯阻抗滤波器……具有多个交替的高阻抗和低阻抗传输线部分。” | 对比文件公开的是平面传输线中的低阻抗部分（通常通过宽线宽实现），用于在平面集成电路中形成低通滤波器。目标专利的低阻抗部分（C1，C2，C3，C4）是垂直通孔过渡中的一段通孔柱，通过改变横截面面积（相较于端部分更大）实现低阻抗，是构成阶梯式阻抗低通滤波结构的一部分，用于减少辐射损耗。两者结构（平面线宽vs通孔横截面）与具体实现方式不同，对比文件未公开目标专利中通孔过渡的低阻抗部分。 |
| **技术特征D：其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)被交替布置在两个端部分(L1，L5)之间** <br>《未公开》 | 对比文件[0013]：“阶梯阻抗滤波器……具有多个交替的高阻抗和低阻抗传输线部分。” | 对比文件公开了高/低阻抗部分交替布置在滤波器的输入/输出端口之间，但该布置是平面拓扑结构，端口是平面传输线的终端。目标专利中高/低阻抗部分交替布置在两个垂直的端部分之间，共同构成垂直通孔过渡的整体结构，形成垂直方向的阶梯式阻抗滤波器。两者布局方向（平面vs垂直）及涉及的端部分结构不同，对比文件未公开目标专利中的该布置方式。 |
| **技术特征E：所述通孔过渡形成在基底中** <br>《未公开》 | 对比文件[0013]：“阶梯阻抗滤波器……通常实施在印刷电路板或基底上。” | 对比文件公开了滤波器形成在基底上（如微带/带状线结构），但此处的“形成在基底上”通常指平面电路层位于基底表面或内部层，而非垂直贯穿基底的互连结构。目标专利的通孔过渡是垂直穿过基底（多层介电层）的通孔结构，其形成过程涉及贯穿多个介电层。对比文件未公开垂直贯穿基底的通孔过渡，仅公开了平面滤波器结构。 |
| **技术特征F：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层** <br>《未公开》 | 对比文件[0034]：“可以通过一个或多个带层冲出通孔、空隙、孔洞或腔体等特征。” | 对比文件[0034]提到的通孔是用于形成互连或填充材料的孔洞，并非目标专利中构成垂直通孔过渡的各部分（端部分、高/低阻抗部分）。目标专利的每个部分（如L1、C1等）本身是具有特定阻抗的垂直通孔段，延伸通过特定数量的介电层。对比文件的通孔不构成这种分段的、具有不同阻抗的部分，且其作用是为后续填充或形成其他结构做准备，而非直接构成通孔过渡的阻抗元件。 |
| **技术特征G：其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、液晶聚合物LCP或有机印刷电路板PCB基底** <br>《直接公开》 | 对比文件[0033]：“杜邦微电路材料提供Green Tape材料系统，例如951低温共烧陶瓷带（Low-Temperature Cofire Dielectric Tape）。” | 对比文件[0033]明确公开了使用低温共烧陶瓷（LTCC）作为基底材料，用于形成阶梯阻抗滤波器。目标专利的技术特征G列举了LTCC作为基底的一种选项。虽然对比文件未涉及HTCC、LCP或有机PCB，但目标专利的该技术特征是选择性特征，对比文件公开了其中一种具体材料（LTCC），因此本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件公开了该技术特征中的LTCC选项。 |
| **技术特征H：其中所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)的数目是4** <br>《未公开》 | 对比文件[0016]：“图1所示的示例性阶梯阻抗滤波器120是七元件低通滤波器设计……本发明不限于元件数量。” | 对比文件仅示例了七元件低通滤波器，未公开低阻抗部分的具体数目是否为4。其提到不限于元件数量，但未给出4的特定数值。目标专利的低阻抗部分数目为4是特定设计，用于实现特定性能与复杂度折中，对比文件未直接或隐含公开这一具体数值。 |
| **技术特征I：所述高阻抗部分(L2，L3，L4)的数目是3** <br>《未公开》 | 对比文件[0016]：“图1所示的示例性阶梯阻抗滤波器120是七元件低通滤波器设计……本发明不限于元件数量。” | 与特征H类似，对比文件未公开高阻抗部分的具体数目是否为3。七元件低通滤波器通常意味着有多个高/低阻抗部分，但未明确其分布和数量。目标专利的高阻抗部分数目为3是特定设计，对比文件未公开该具体数值。 |
| **技术特征J：其中每个部分的形状都为圆柱形** <br>《未公开》 | 对比文件[0019]：描述了传输线部分110、112、114等，通常为平面带状线或微带线形状。 | 对比文件公开的阶梯阻抗滤波器采用平面传输线结构（微带、带状线），其形状通常为矩形条带，而非圆柱形。目标专利的所有部分（端部分、高/低阻抗部分）均为圆柱形，这是垂直通孔结构的常见形状，用于同轴对齐和阻抗控制。对比文件未公开圆柱形形状。 |
| **技术特征K：所有部分都是同轴对齐的** <br>《未公开》 | 对比文件全文：未描述各部分同轴对齐。 | 对比文件的阶梯阻抗滤波器各部分在平面上顺序排列，不涉及垂直方向的分层对齐。目标专利要求所有部分（端部分、高/低阻抗部分）同轴对齐，构成一个完整的垂直通孔柱。对比文件未公开这种垂直同轴对齐的结构。 |
| **技术特征L：其中高阻抗部分(L2，L3，L4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更小** <br>《未公开》 | 对比文件[0019]：描述了高阻抗部分110和低阻抗部分112，但未与端部分比较横截面面积。 | 对比文件的高阻抗部分通过窄线宽实现，低阻抗部分通过宽线宽实现，但未涉及与输入/输出端口部分（类似端部分）的横截面面积比较。目标专利明确限定高阻抗部分的横截面面积小于端部分，这是通过改变通孔直径实现阻抗控制的关键，对比文件未公开这种特定的尺寸关系。 |
| **技术特征M：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更大** <br>《未公开》 | 对比文件[0019]：描述了高阻抗部分110和低阻抗部分112，但未与端部分比较横截面面积。 | 与特征L类似，对比文件未公开低阻抗部分与端部分的横截面面积比较关系。目标专利中低阻抗部分直径大于端部分，以实现低阻抗特性，对比文件未公开这一特定设计。 |
| **技术特征N：其中所述两个端部分(L1，L5)被分别直接耦接到两个传输线** <br>《未公开》 | 对比文件[0019]：“输入/输出端口108”连接到传输线部分。 | 对比文件公开了滤波器的输入/输出端口108连接到传输线部分（如110、112等），但端口108是平面传输线的终端部分，而非垂直通孔的端部分。目标专利的端部分（L1，L5）是垂直通孔结构的末端，直接耦接到上/下传输线（如微带线），构成垂直互连。对比文件未公开垂直端部分与传输线的直接耦接关系。 |
| **技术特征O：其中所述通孔过渡和所述传输线由金或银制成** <br>《未公开》 | 对比文件[0041]：“金属颗粒优选包括铁、钨、钴、钒、锰、某些稀土金属、镍或铌颗粒。” | 对比文件提到了各种金属材料用于形成导电结构或填充颗粒，但未限定通孔过渡和传输线必须由金或银制成。其描述的金属范围较广，包括低成本金属，与目标专利优选高导电性金或银不同。对比文件未直接或隐含公开这一特定的材料选择。 |
| **技术特征P：其中所述LTCC基底由Ferro A6S制成** <br>《未公开》 | 对比文件[0033]：“Ferro电子材料提供ULF28-30 Ultra Low Fire COG介质配方。” | 对比文件提到了Ferro公司的材料（ULF28-30），但未公开具体为Ferro A6S。目标专利明确指定Ferro A6S，并给出其具体介电常数和损耗因数，对比文件未公开这一特定型号。 |
| **技术特征Q：所述Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002** <br>《未公开》 | 对比文件全文：未公开Ferro A6S或类似的介电常数和损耗因数参数。 | 对比文件未提及Ferro A6S，也未公开其介电常数5.9和损耗因数0.002的具体数值。目标专利的这些参数是特定材料属性，对比文件未公开。 |
| **技术特征R：其中每个LTCC介电层的火后厚度为100um** <br>《未公开》 | 对比文件全文：未公开LTCC介电层的具体火后厚度。 | 对比文件未提及介电层的厚度数值。目标专利明确限定火后厚度为100um，这是制造中的特定工艺参数，对比文件未公开。 |
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