对比文件的名称：2003-08-06_CN1434539A_发明公开_CN1434539A 带定向耦合器的滤波器及通信装置
目标专利的名称：1182通孔过渡及其制作方法CN105453332B
本次调用的模型名称：未明确指定，本次分析采用资深专利代理师评估逻辑。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译/段落标号） | 公开性论述 |
| A: 包括两个端部分(L1，L5) [未公开] | 对比文件全文未出现“端部分”这一结构特征。图19说明记载：“内导体103具有将...高阻抗部分101与低阻抗部分102交替连接形成的形状。”（背景技术部分，未标号段落）<br>图20说明记载：“线路电极107交替具有...高阻抗部分105及低阻抗部分106。”（背景技术部分，未标号段落） | 对比文件仅公开了交替连接的高阻抗部分和低阻抗部分，没有公开设置在交替结构两端的具有特定结构和功能的“端部分”。本领域技术人员无法毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。 |
| B: 高阻抗部分(L2，L3，L4) [未公开] | 图19说明记载：“内导体103具有将...高阻抗部分101与低阻抗部分102交替连接形成的形状。”（背景技术部分） | 对比文件虽公开了“高阻抗部分”这一术语，但该部分在对比文件中属于同轴低通滤波器，其作用是作为低通滤波器的电感元件以构成LC滤波。而在目标专利中，高阻抗部分是通孔过渡的组成部分，其作用是与低阻抗部分配合形成阶梯阻抗结构以补偿通孔过渡的辐射和反射，增大通孔过渡的带宽。两者所属的技术方案不同，在各自方案中所起的作用不同。因此，对比文件未公开本技术特征。 |
| C: 低阻抗部分(C1，C2，C3，C4) [未公开] | 同上 | 理由与特征B相同。对比文件中的低阻抗部分属于低通滤波器，作用是构成LC滤波中的电容。目标专利中的低阻抗部分属于通孔过渡，作用是补偿通孔不连续性。作用不同，技术方案不同，未公开。 |
| D: 高/低阻抗部分被交替布置在两个端部分之间 [未公开] | 图19说明记载：“高阻抗部分101与低阻抗部分102交替连接”。（背景技术部分） | 对比文件仅公开了高/低阻抗部分的交替连接，但未公开该交替结构是布置在“两个端部分”之间。对比文件中无“端部分”的概念和结构，因此该特征未公开。 |
| E: 通孔过渡形成在基底中 [未公开] | 对比文件全文未公开“通孔过渡”。其主题为“带定向耦合器的滤波器”，图19、20为低通滤波器结构。（全文） | 对比文件公开的是同轴低通滤波器或微带低通滤波器，其结构、应用场景和解决的技术问题均与目标专利的“通孔过渡”不同。目标专利的通孔过渡是形成在基底中用于垂直互连的结构。未公开。 |
| F: 每个部分延伸通过基底的一个或更多个介电层 [未公开] | 对比文件未涉及多层介电层的堆叠结构。图19无基底，图20微带为平面图形。（全文） | 目标专利的各个部分是在多层介电层堆叠的基底中形成并延伸通过介电层。对比文件未公开该特征。未公开。 |
| G: 基底是LTCC/HTCC/LCP/PCB基底 [未公开] | 全文未限定基底的具体材质，仅提及“介质基板”。（全文） | 对比文件虽提及介质基板，但未指定材料为LTCC、HTCC、LCP或PCB。未公开。 |
| H: 低阻抗部分数目是4 [未公开] | 全文未公开低阻抗部分的具体数目。（全文） | 未公开。 |
| I: 高阻抗部分数目是3 [未公开] | 全文未公开高阻抗部分的具体数目。（全文） | 未公开。 |
| J: 每个部分的形状都为圆柱形 [直接公开] | 图19背景技术说明：“内导体103具有将垂直于信号传输方向的面内直径大而轴长较长的高阻抗部分101与直径小而轴长较短的低阻抗部分102交替连接形成的形状”。（背景技术部分） | 对比文件明确公开了高阻抗部分和低阻抗部分呈圆柱形结构。就“形状为圆柱形”这一结构特征本身而言，对比文件公开了相同的技术内容，且该圆柱形结构在对比文件和目标专利中均用于形成同轴传输结构，作用相同。因此，该特征被直接公开。 |
| K: 所有部分都是同轴对齐的 [直接公开] | 图19背景技术说明：“在截面为正方形的外导体104内配置内导体103...”。结合图1、3、5的内导体与外导体结构，内导体的各部分是沿轴心对齐的。（背景技术部分） | 对比文件的同轴低通滤波器内导体的各部分（高阻抗、低阻抗）是同轴对齐的。目标专利的通孔过渡各部分也是同轴对齐的。就“同轴对齐”这一结构特征本身，对比文件公开了相同内容，且其作用均为保证信号传输的均匀性和减少反射。因此，该特征被直接公开。 |
| L: 高阻抗部分横截面积比端部分小 [未公开] | 对比文件无端部分，无法进行横截面积的比较。（全文） | 未公开。 |
| M: 低阻抗部分横截面积比端部分大 [未公开] | 对比文件无端部分，无法进行横截面积的比较。（全文） | 未公开。 |
| N: 两个端部分分别直接耦接到传输线 [未公开] | 对比文件无端部分，未公开该连接关系。（全文） | 未公开。 |
| O: 通孔过渡和传输线由金或银制成 [未公开] | 全文未公开通孔过渡及传输线的具体金属材料。（全文） | 未公开。 |
| P: LTCC基底由Ferro A6S制成 [未公开] | 全文未公开LTCC材料的具体型号及商品牌号。（全文） | 未公开。 |
| Q: Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002 [未公开] | 全文未公开相关材料的具体介电参数。（全文） | 未公开。 |
| R: 每个LTCC介电层的火后厚度为100um [未公开] | 全文未公开介电层的厚度参数。（全文） | 未公开。 |
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