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对比文件列表
1990-08-14_US4949350A_发明授权_US4949350A Surface emitting semiconductor laser_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_R_S_U+++.docx
2026-07-22 17:34
1996-10-22_US5568499A_发明授权_US5568499A Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors_+++A_B_C_D_E_J_O_V_X+++.docx
2026-07-22 17:34
1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link_+++A_B_C_D_E_F_G_I_J_K_O_P_S_U_V_X_r+++.docx
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2001-07-05_US2001006528A_发明申请_US20010006528A1 Surface emitting semiconductor laser, and its fabrication method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_X+++.docx
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2001-09-14_JP2001251016A_发明专利_JP2001251016A Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_V_r+++.docx
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2003-01-14_US6507595B_发明授权_US06507595B1 Vertical-cavity surface-emitting laser comprised of single laser elements arranged on a common substrate_+++A_B_C_D_E_J_S_V_f_o_p_u+++.docx
2026-07-22 17:34
2003-04-15_US6549556B_发明授权_US06549556B1 Vertical-cavity surface-emitting laser with bottom dielectric distributed bragg reflector_+++A_B_C_D_E_F_G_M_N_O_P_S_V_W_X+++.docx
2026-07-22 17:34
2007-12-13_None_发明专利_JPWO2005062434A1 面発光レーザおよびレーザ投射装置_+++A_B_E_G_O_P_T_U_X_f_m_q+++.docx
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2008-09-25_WO2008114160A_发明申请_WO2008114160A1 VERTICAL EXTENDED CAVITY SURFACE EMISSION LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING COMPONENT OF THE SAME_+++A_B_C_E_O_X+++.docx
2026-07-22 17:34
JPH04318992A_Description_20260712_1453_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_S_U_X_r+++.docx
2026-07-22 17:34
WO2005062434A1_Description_20260712_1453_+++A_E_G_M_O_P_T_U_X_b_f_j+++.docx
2026-07-22 17:34
2008-09-25_WO2008114160A_发明申请_WO2008114160A1 VERTICAL EXTENDED CAVITY SURFACE EMISSION LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING COMPONENT OF THE SAME_+++A_B_C_E_O_X+++.docx

对比文件的名称:2008-09-25_WO2008114160A_发明申请_WO2008114160A1 VERTICAL EXTENDED CAVITY SURFACE EMISSION LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING COMPONENT OF THE SAME

目标专利的名称:1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B

本次调用的模型名称:未指定(本模型为人工智能语言模型)

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:包括,衬底(2)<br>《直接公开》[p0003]:“一种垂直扩展腔表面发射激光器,包括扩展镜、层堆叠和衬底,层堆叠附着在衬底上。”<br>[p0013]:“垂直扩展腔表面发射激光器包括至少一个扩展镜、一个光学透明衬底、一个层堆叠和一个散热器。”对比文件明确记载了激光器包括衬底,初始为半导体衬底,最终为透明衬底,均起到支撑层堆叠的作用,与目标专利的衬底作用相同,因此直接公开。
技术特征B:设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层(5)<br>《直接公开》[p0030]:“提供GaAs半导体衬底1。在半导体衬底1上外延生长层堆叠2,该层堆叠2包括p掺杂电流注入层13、下分布式布拉格反射器3、有源区4和上分布式布拉格反射器5。”对比文件明确下分布式布拉格反射器3(即第一布拉格反射器叠层)设置在衬底(半导体衬底1)上,最终产品中透明衬底上同样设有该层,因此直接公开。
技术特征C:第二布拉格反射器叠层(9)<br>《直接公开》[p0030]:“上分布式布拉格反射器5由超过20对p掺杂层组成。”对比文件明确记载了上分布式布拉格反射器5(即第二布拉格反射器叠层),直接公开。
技术特征D:所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)形成具有光轴(3)的激光腔<br>《未公开》[p0003]:“垂直扩展腔表面发射激光器包括形成扩展腔的第一端镜的扩展镜,以及层堆叠,该层堆叠具有至少一个用于发光的有源区和形成所述扩展腔的第二端镜的分布式布拉格反射器。”对比文件中激光腔由扩展镜和上分布式布拉格反射器形成,下分布式布拉格反射器位于扩展腔内,并非形成激光腔的两个端镜。因此未公开两个布拉格反射器叠层形成激光腔。
技术特征E:在操作中激光束沿着该光轴发出<br>《直接公开》[p0031]:“这些组件通过玻璃衬底发射光。”<br>[p0003]:“一种垂直扩展腔表面发射激光器,包括扩展镜、层堆叠,该层堆叠具有至少一个用于发光的有源区。”对比文件明确光通过透明衬底沿光轴方向输出,直接公开。
技术特征F:使布拉格反射器叠层(5,9)之一终止的金属性反射器层(15)<br>《未公开》[p0010]:“在去除半导体衬底后,在层堆叠的现在暴露的下侧沉积金属化层7。”<br>[p0013]:“金属层夹在n或p掺杂电流注入层和透明衬底之间。”<br>[p0021]:“金属化层必须被设计或布置成使得该金属化层不阻止激光操作。为此,金属化层可以被结构化以提供开口或孔,位置为激光辐射在扩展腔内传播的位置。”对比文件中的金属化层7用于电流扩展和均匀注入,且要避免阻碍激光,通常置于节点或开孔,其作用不是作为高反射器终止布拉格反射器叠层,也未记载其终止布拉格反射器叠层。因此未公开。
技术特征G:所述金属性反射器层(15)环绕所述光轴(15)定位并且覆盖一定区域<br>《未公开》[p0021]:“金属化层可以被结构化以提供开口或孔,位置为激光辐射在扩展腔内传播的位置。”对比文件金属化层在激光传播位置开孔,即不覆盖光轴区域(或未强调覆盖中心区域),且未记载环绕光轴覆盖特定区域。因此未公开。
技术特征H:该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域<br>《未公开》对比文件全文未提及TEM00模式强度分布相关尺寸限制。对比文件没有任何关于基于模式强度分布限定金属层区域的内容,因此未公开。
技术特征I:其中被所述金属性反射器层(15)终止的布拉格反射器叠层(5,9)包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层;并且中所述垂直腔表面发射激光二极管(1)还包括电流限制层(8)<br>《未公开》[p0030]:“下分布式布拉格反射器3仅由4到13对n掺杂层组成。”<br>“上分布式布拉格反射器5由超过20对p掺杂层组成。”<br>对比文件未明确提及电流限制层。对比文件下分布式布拉格反射器虽具有4-13对(≤15对),但未被金属性反射器层终止;上分布式布拉格反射器大于20对;且未公开电流限制层。因此条件不满足,未公开。
技术特征J:该电流限制层(8)具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔(81)<br>《未公开》[p0009]:“对衬底上部的层堆叠进行结构化并部分金属化以产生电限制。”对比文件仅提到通过结构化产生电限制,但未公开具有电流孔的电流限制层(如氧化层),因此未公开。
技术特征K:其中所述金属性反射器层(15)覆盖其大小不超过被所述孔(81)覆盖的区域的大小的区域<br>《未公开》对比文件未公开电流孔,也未公开金属层与孔的大小关系。对比文件无相关记载,未公开。
技术特征L:其特征在于,被所述金属性反射器层(15)覆盖的所述区域至少是被所述孔(81)覆盖的区域的1/10<br>《未公开》对比文件未公开电流孔,也未公开任何比例关系。对比文件无相关记载,未公开。
技术特征M:其特征在于,所述金属性反射器层(15)被沉积到绝缘层(13)上<br>《未公开》[p0030]:“层堆叠2包括p掺杂电流注入层13。”<br>[p0032]:“在蚀刻沟槽后,沉积隔离层,随后沉积并结构化适当的金属化层以提供p接触14和n接触15。”对比文件金属化层7沉积在电流注入层13(半导体层)上,未沉积在绝缘层上;隔离层用于电接触,并非金属性反射器层下方的绝缘层。因此未公开。
技术特征N:其中所述绝缘层(13)是氧化硅层<br>《未公开》对比文件未公开绝缘层为氧化硅。无相关记载,未公开。
技术特征O:其特征在于,所述垂直腔表面发射激光二极管(1)是底部发射激光二极管<br>《直接公开》[p0031]:“这些组件通过玻璃衬底发射光。”<br>[p0030]:“下分布式布拉格反射器侧是光输出侧。”对比文件明确光从层堆叠的下侧(透明衬底侧)输出,即底部发射(相对于层堆叠),与目标专利底部发射含义相同,因此直接公开。
技术特征P:所述金属性反射器层(15)设置在沉积于所述衬底(2)上的最顶部布拉格反射器叠层(9)上<br>《未公开》[p0010]:“金属化层7沉积在层堆叠的下侧(电流注入层13侧)。”<br>[p0030]:“层堆叠包括下DBR3、有源区4、上DBR5。”对比文件金属化层7位于下DBR3侧(即底部布拉格反射器侧),而非最顶部布拉格反射器叠层(上DBR5)上,因此未公开。
技术特征Q:其中所述金属性反射层(15)周边被环接触(11)围绕<br>《未公开》[p0032]:“提供p接触14和n接触15。”对比文件未记载环接触,也未描述金属化层7周边被环接触围绕,因此未公开。
技术特征R:其中所述金属性反射器层(15)的折射率的实部低于0.5<br>《未公开》对比文件未提及金属性反射器层的折射率。无相关记载,未公开。
技术特征S:其中所述金属性反射器层(15)的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组<br>《未公开》对比文件未指定金属化层7的材料,未列举金、银、铜等。对比文件没有公开具体材料组,因此未公开。
技术特征T:其中所述金属性反射器层(15)的覆盖度从光轴(3)处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低<br>《未公开》对比文件未提及覆盖度渐变结构。无相关记载,未公开。
技术特征U:其中所述金属性反射器层(15)形成电接触之一的至少一部分<br>《未公开》[p0013]:“金属层夹在电流注入层和透明衬底之间。”<br>[p0032]:“提供p接触14和n接触15。”对比文件金属化层7主要用于电流扩展和均匀化,未明确其作为电接触的一部分;电接触由单独的p接触14和n接触15实现。因此未公开。
技术特征V:其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管<br>《未公开》对比文件光从透明衬底侧输出,为底部发射,无顶部发射记载。未公开顶部发射结构。
技术特征W:所述金属性反射器层(15)埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)之下<br>《未公开》对比文件金属化层7位于层堆叠下侧,不在两个布拉格反射器叠层之间。无相关记载,未公开。
技术特征X:还包括电接触层<br>《直接公开》[p0032]:“提供p接触14和n接触15。”对比文件明确具有p接触和n接触作为电接触层,直接公开。
技术特征Y:该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分<br>《未公开》对比文件未公开电接触层与金属性反射器层相交的结构,且无金属性反射器层终止布拉格反射器叠层。未公开。

### 公开性代码输出

根据上述判断,对比文件直接公开了技术特征A、B、C、E、O、X,隐含公开了技术特征无(未发现隐含公开)。因此,输出对应的大写代码,不输出小写代码。

<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<E>>><<<O>>><<<X>>>

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