对比文件的名称：2003-01-14_US6507595B_发明授权_US06507595B1 Vertical-cavity surface-emitting laser comprised of single laser elements arranged on a common substrate
目标专利的名称：1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B
本次调用的模型名称：AI模型（GPT-4架构）
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括，衬底（2）<br>《直接公开》 | “In FIG. 1, the bottom surface of a substrate layer 7 is covered by a metal layer 9.”（翻译：在图1中，衬底层7的底面被金属层9覆盖。） | 对比文件明确记载了衬底层7，本领域技术人员能够直接确定该衬底是VCSEL的基本组成部分，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层（5）<br>《直接公开》 | “Over the substrate layer 7 a laser active region 1 is formed. Active region 1 is disposed between second mirror means 5 formed over substrate layer 7, and first mirror means 3.”（翻译：在衬底层7上形成激光活性区1。活性区1设置在形成于衬底层7上的第二镜装置5和第一镜装置3之间。） | 第二镜装置5（底部DBR）形成在衬底上，对应于目标专利的第一布拉格反射器叠层（5）。因此特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：第二布拉格反射器叠层（9）<br>《直接公开》 | “first mirror means 3”为顶部DBR。（翻译：第一镜装置3） | 第一镜装置3用作顶部布拉格反射器叠层，即目标专利的第二布拉格反射器叠层（9），直接公开。 |
| 技术特征D：所述第一和第二布拉格反射器叠层（5，9）形成具有光轴（3）的激光腔<br>《直接公开》 | “forming an optical resonator for said wavelength.”（翻译：形成用于所述波长的光学谐振器。） | 对比文件明确形成光学谐振器（激光腔），并且每个VCSEL元件具有光轴，因此特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：在操作中激光束沿着该光轴发出<br>《直接公开》 | “radiation emission windows for the stimulated radiation.”（翻译：用于受激辐射的辐射发射窗口。） | 激光通过辐射发射窗口沿光轴发出，因此特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：使布拉格反射器叠层（5，9）之一终止的金属性反射器层（15）<br>《隐含公开》 | “the present invention may advantageously be combined with any further feature that enhances the reflectivity of the mirrors. This may, for example, be obtained by depositing Au on the top surface of VCSEL elements in the case of a bottom emitter.”（翻译：本发明可以有利地与任何增强镜反射率的附加特征结合。例如，在底部发射器的情况下，可以通过在VCSEL元件的顶部表面沉积金来实现。） | 对比文件教导了在VCSEL顶部表面沉积金层以增强反射率，该金层起到终止顶部布拉格反射器叠层的作用。本领域技术人员能够合理推断出可以使用金属性反射器层来终止布拉格反射器叠层，因此特征F被隐含公开。 |
| 技术特征G：所述金属性反射器层（15）环绕所述光轴（15）定位并且覆盖一定区域<br>《未公开》 | 对比文件未记载金属性反射器层环绕光轴定位并覆盖特定区域的结构。 | 对比文件提到的金层沉积通常覆盖整个顶部表面，而非限定于环绕光轴的特定区域；栅格层虽环绕开口但覆盖的是周边区域。因此特征G未公开。 |
| 技术特征H：该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域<br>《未公开》 | 对比文件未提及基于TEM00模式强度分布的区域尺寸。 | 对比文件没有任何关于模式强度分布与区域尺寸关系的描述，因此特征H未公开。 |
| 技术特征I：其中被所述金属性反射器层（15）终止的布拉格反射器叠层（5，9）包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层；并且中所述垂直腔表面发射激光二极管（1）还包括电流限制层（8）<br>《未公开》 | 前半部分：对比文件未公开至多15对（示例为21对）；后半部分：对比文件公开了电流限制层“a resistance layer 11 formed by selective oxidation of the peripheral portion of a layer of high Al content”（翻译：通过选择性氧化具有高铝含量的层的周边部分形成电阻层11）。 | 对比文件没有公开被金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层具有至多15对，因此前半部分未公开；虽然后半部分公开了电流限制层，但特征I要求同时满足两个条件，整体未公开。 |
| 技术特征J：该电流限制层（8）具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔（81）<br>《直接公开》 | “a resistance layer 11 formed by selective oxidation of the peripheral portion of a layer of high Al content during the formation of the mesa, thereby providing an electrically insulating portion in resistance layer 11.”（翻译：通过选择性氧化具有高铝含量的层的周边部分形成电阻层11，从而在电阻层11中提供电绝缘部分。） | 电阻层11的绝缘部分限定出导电的中央孔（电流孔），限制电流横向流动，因此特征J被直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述金属性反射器层（15）覆盖其大小不超过被所述孔（81）覆盖的区域的大小的区域<br>《未公开》 | 对比文件未记载金属性反射器层覆盖区域大小与孔区域大小的关系。 | 对比文件没有公开任何关于金属性反射器层覆盖区域与电流孔区域的大小比较，因此特征K未公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，被所述金属性反射器层（15）覆盖的所述区域至少是被所述孔（81）覆盖的区域的1/10<br>《未公开》 | 对比文件未记载任何比例关系。 | 对比文件没有公开金属性反射器层覆盖区域与孔区域的具体比例，因此特征L未公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述金属性反射器层（15）被沉积到绝缘层（13）上<br>《未公开》 | 对比文件未记载绝缘层；其栅格层直接沉积在接触层（GaAs）上。 | 对比文件没有公开金属性反射器层与绝缘层的组合，因此特征M未公开。 |
| 技术特征N：其中所述绝缘层（13）是氧化硅层<br>《未公开》 | 对比文件未提及氧化硅绝缘层。 | 对比文件没有公开任何绝缘层，更未指定氧化硅，因此特征N未公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述垂直腔表面发射激光二极管（1）是底部发射激光二极管<br>《隐含公开》 | “the present invention may advantageously be combined with any further feature ... in the case of a bottom emitter.”（翻译：本发明可以有利地与任何特征结合……在底部发射器的情况下。） | 对比文件明确提及底部发射器（bottom emitter），本领域技术人员可以合理推断本发明可以应用于底部发射激光二极管，因此特征O被隐含公开。 |
| 技术特征P：所述金属性反射器层（15）设置在沉积于所述衬底（2）上的最顶部布拉格反射器叠层（9）上<br>《隐含公开》 | 结合特征O和F：对比文件提到在底部发射器件的顶部表面沉积金，而顶部表面即最顶部布拉格反射器叠层之上。 | 对于底部发射，最顶部布拉格反射器叠层是顶部DBR，对比文件教导的金层即设置在该顶部DBR上，因此特征P被隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属性反射层（15）周边被环接触（11）围绕<br>《未公开》 | 对比文件未记载环接触；其栅格层本身作为电极，非环状。 | 对比文件没有公开环接触结构，因此特征Q未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属性反射器层（15）的折射率的实部低于0.5<br>《未公开》 | 对比文件未提及折射率实部参数。 | 对比文件没有公开金属性反射器层的折射率指标，因此特征R未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属性反射器层（15）的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组<br>《直接公开》 | “grid layer 4 is comprised of a stack of layers formed of Pt, Ti, Pt and Au.”（翻译：栅格层4由Pt、Ti、Pt和Au形成的层堆叠组成。） | 对比文件公开了金作为金属层的材料，金属于该组，因此特征S被直接公开（至少金被公开）。 |
| 技术特征T：其中所述金属性反射器层（15）的覆盖度从光轴（3）处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低<br>《未公开》 | 对比文件未记载覆盖度逐渐变化的结构。 | 对比文件没有公开任何覆盖度径向渐变的设计，因此特征T未公开。 |
| 技术特征U：其中所述金属性反射器层（15）形成电接触之一的至少一部分<br>《隐含公开》 | “In operation, an electric current is supplied to the active region 1 via grid layer 4 which is comprised of a stack of layers formed of Pt, Ti, Pt and Au, and metal layer 9.”（翻译：在操作中，经由栅格层4（由Pt、Ti、Pt和Au形成）和金属层9向活性区1提供电流。） | 栅格层作为金属层并用作电接触，本领域技术人员可以合理推断金属性反射器层同样可以形成电接触的一部分，因此特征U被隐含公开。 |
| 技术特征V：其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管<br>《直接公开》 | 对比文件主要实施例中，激光通过顶部的辐射发射窗口发出，属于顶部发射。 | 对比文件详细描述的实施例是顶部发射，激光从顶部出射，因此特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：所述金属性反射器层（15）埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层（5，9）之下<br>《未公开》 | 对比文件未公开金属性反射器层埋置于DBR之下的结构。 | 对比文件没有教导金属性反射器层位于DBR下方，因此特征W未公开。 |
| 技术特征X：还包括电接触层<br>《未公开》 | 对比文件没有公开与特征Y相关的电接触层；其接触层2是半导体层，且不是用于接触被金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层。 | 对比文件没有公开目标专利所限定的电接触层，因此特征X未公开。 |
| 技术特征Y：该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分<br>《未公开》 | 对比文件未记载电接触层与金属性反射器层相交的结构。 | 对比文件没有任何关于电接触层与金属性反射器层相交的教导，因此特征Y未公开。 |
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