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对比文件列表
1996-10-22_US5568499A_发明授权_US5568499A Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors_+++A_B_C_D_E_J_O_V_X+++.docx
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1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link_+++A_B_C_D_E_F_G_I_J_K_O_P_S_U_V_X_r+++.docx
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2001-09-14_JP2001251016A_发明专利_JP2001251016A Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_V_r+++.docx
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2003-01-14_US6507595B_发明授权_US06507595B1 Vertical-cavity surface-emitting laser comprised of single laser elements arranged on a common substrate_+++A_B_C_D_E_J_S_V_f_o_p_u+++.docx
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2003-04-15_US6549556B_发明授权_US06549556B1 Vertical-cavity surface-emitting laser with bottom dielectric distributed bragg reflector_+++A_B_C_D_E_F_G_M_N_O_P_S_V_W_X+++.docx
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2004-04-15_JP2004119582A_发明专利_JP2004119582A Surface-emitting semiconductor laser, its manufacturing method, optical module, light transmission device_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2004-08-26_JP2004241422A_发明专利_JP2004241422A Surface emission laser element_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2006-09-21_JP2006253635A_发明专利_JP2006253635A Surface-emitting semiconductor laser device and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_V_X+++.docx
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2007-12-06_US2007280320A_发明申请_US20070280320A1 Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_G_J_K_M_N_S_U_X_e_v+++.docx
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2008-03-19_KR1020080024719A_发明公开_KR1020080024719A 수직 공진형 표면 방출 레이저_+++A_B_C_D_E_G_J_P_Q_U_V_X_r_s+++.docx
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2008-03-20_US2008069166A_发明申请_US20080069166A1 Vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_E_G_J_Q_U_V_X+++.docx
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JPH03148892A_Description_20260712_1453_+++A_D_E_V_X_b_c+++.docx
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2004-04-15_JP2004119582A_发明专利_JP2004119582A Surface-emitting semiconductor laser, its manufacturing method, optical module, light transmission device_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx

### 对比文件:2004-04-15_JP2004119582A_发明专利_JP2004119582A Surface-emitting semiconductor laser, its manufacturing method, optical module, light transmission device

### 目标专利:1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B

### 本次调用的模型名称:Claude 3.5 Sonnet(AI模型)

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### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**技术特征A**:包括,衬底(2)<br>**《直接公开》**段落【0031】:“基板(本实施形态中为n型GaAs基板)101”对比文件明确公开了基板101,作为衬底,与目标专利的衬底2功能相同,都是用于支撑激光器结构,因此直接公开。
**技术特征B**:设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层(5)<br>**《直接公开》**段落【0035】:“将n型Al0.9Ga0.1As层和n型Al0.15Ga0.85As层交替层叠的40对分布式反射型多层膜反射镜(以下称为‘第一反射镜’)102”对比文件公开了第一反射镜102,其为布拉格反射器,直接设置在基板101上,相当于目标专利的第一布拉格反射器叠层5,因此直接公开。
**技术特征C**:第二布拉格反射器叠层(9)<br>**《直接公开》**段落【0035】:“将p型Al0.9Ga0.1As层和p型Al0.15Ga0.85As层交替层叠的25对分布式反射型多层膜反射镜(以下称为‘第二反射镜’)104”对比文件公开了第二反射镜104,其为布拉格反射器,与第一反射镜相对,相当于目标专利的第二布拉格反射器叠层9,因此直接公开。
**技术特征D**:所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)形成具有光轴(3)的激光腔<br>**《直接公开》**段落【0031】:“基板101上形成的垂直共振器(以下称为‘共振器’)140”;段落【0035】:“第一反射镜102、活性层103、第二反射镜104依次层叠”对比文件公开了由第一反射镜、活性层、第二反射镜构成的垂直共振器,该共振器具有垂直于基板的光轴,与目标专利的激光腔等同,因此直接公开。
**技术特征E**:在操作中激光束沿着该光轴发出<br>**《直接公开》**段落【0031】:“能够从出射面108向与基板101垂直的方向出射激光”对比文件明确公开了激光沿垂直于基板的方向(即光轴方向)出射,因此直接公开。
**技术特征F**:使布拉格反射器叠层(5,9)之一终止的金属性反射器层(15)<br>**《未公开》**段落【0051】:“反射率调整层110的光学厚度dr为(2m2-1)λ/4(m2为自然数)”;段落【0049】:“反射率调整层110由热硬化型树脂或紫外线硬化型树脂构成”对比文件公开了反射率调整层110,但其材料为树脂,并非金属;且其功能是调整反射率,并未使布拉格反射器叠层光学终止。目标专利的金属性反射器层为金属材料,并通过自身高反射率实现布拉格反射器的终止,从而减少反射器对数。对比文件未公开任何金属性反射器层,也未教导或暗示该结构,因此本特征未被直接或隐含公开。
**技术特征G**:所述金属性反射器层(15)环绕所述光轴(15)定位并且覆盖一定区域<br>**《未公开》**段落【0047】:“反射率调整层110的直径可以设为6μm以下”;图1、3显示反射率调整层110位于光轴上并覆盖出射面区域对比文件虽有反射率调整层环绕光轴并覆盖区域,但该层并非金属性反射器层,而目标专利明确限定为“金属性反射器层”,因此本特征未被公开。
**技术特征H**:该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域<br>**《未公开》**段落【0047】:“反射率调整层110的直径可以设为6μm以下。根据该结构,高次模的激光不易产生,因此更容易获得稳定的单模激光”对比文件仅提及反射率调整层的小尺寸有利于抑制高次模,但未公开其与TEM00模式强度分布的具体关系,特别是未提及该区域不大于TEM00模式最大强度三分之一所对应的区域。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该具体尺寸关系,因此未公开。
**技术特征I**:其中被所述金属性反射器层(15)终止的布拉格反射器叠层(5,9)包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层;并且中所述垂直腔表面发射激光二极管(1)还包括电流限制层(8)<br>**《未公开》**段落【0035】第二反射镜104为25对;段落【0039】:“在构成第二反射镜104的层中靠近活性层103的区域,可以形成由氧化铝构成的电流狭窄层105”对比文件公开了电流限制层(电流狭窄层105),但未公开被金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层(对比文件无金属性反射器层),且其第二反射镜为25对,远大于15对。因此本特征整体未被公开,由于第一部分不成立,不能仅因第二部分公开而认为整体被隐含公开。
**技术特征J**:该电流限制层(8)具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔(81)<br>**《直接公开》**段落【0039】:“该电流狭窄层105形成为环形,即平面形状为同心圆”;段落【0061】:“在具有通过氧化形成的电流狭窄层的面发射激光器中,驱动时电流仅流过未形成电流狭窄层的部分(未氧化部分)”对比文件公开了电流狭窄层105,其环形内径区域为未氧化部分(孔),电流仅通过该区域,从而横向限制电流,该孔相当于目标专利的电流孔81,因此直接公开。
**技术特征K**:其中所述金属性反射器层(15)覆盖其大小不超过被所述孔(81)覆盖的区域的大小的区域<br>**《未公开》**段落【0020】:“所述电流狭窄层的内径圆的面积,可以大于所述反射率调整层的截面积”(说明部分,但对比文件原文【0020】有类似表述,需注意该段在【0020】中实际内容为“前記電流狭窄層の内径円の面積を、前記反射率調整層の断面積より大きくすることができる”)对比文件公开了电流狭窄层内径圆(孔)的面积可以大于反射率调整层的截面积,即孔面积大于反射层面积,与目标专利要求金属性反射器层覆盖区域不超过孔区域相反。且对比文件无金属性反射器层,因此本特征未被公开。
**技术特征L**:其特征在于,被所述金属性反射器层(15)覆盖的所述区域至少是被所述孔(81)覆盖的区域的1/10<br>**《未公开》**无相关公开内容对比文件未公开任何关于金属性反射器层覆盖区域与孔区域的比例关系,因此未公开。
**技术特征M**:其特征在于,所述金属性反射器层(15)被沉积到绝缘层(13)上<br>**《未公开》**段落【0041】有绝缘层106,但反射率调整层110直接形成在出射面108上,未提及沉积在绝缘层上对比文件未公开金属性反射器层,也未公开将反射层沉积到绝缘层上的结构,因此未公开。
**技术特征N**:其中所述绝缘层(13)是氧化硅层<br>**《未公开》**无相关公开内容对比文件未公开氧化硅绝缘层,因此未公开。
**技术特征O**:其特征在于,所述垂直腔表面发射激光二极管(1)是底部发射激光二极管<br>**《未公开》**段落【0031】:“能够从出射面108向与基板101垂直的方向出射激光”;图1显示激光从上方出射对比文件为顶部发射激光二极管,激光从柱状部上面出射,与底部发射相反,无任何底部发射的教导或暗示,因此未公开。
**技术特征P**:所述金属性反射器层(15)设置在沉积于所述衬底(2)上的最顶部布拉格反射器叠层(9)上<br>**《未公开》**段落【0035】第二反射镜104为最顶部布拉格反射器叠层,反射率调整层110在其上,但非金属性反射器层对比文件未公开金属性反射器层,因此未公开。
**技术特征Q**:其中所述金属性反射层(15)周边被环接触(11)围绕<br>**《未公开》**段落【0045】:“第1电极107在柱状部130的上面130a具有开口部118”;图1显示第1电极107围绕开口部,反射率调整层110位于开口内对比文件公开了环状电极围绕开口部,但开口内是反射率调整层,并非金属性反射器层,因此本特征未被公开。
**技术特征R**:其中所述金属性反射器层(15)的折射率的实部低于0.5<br>**《未公开》**无相关公开内容对比文件未公开金属性反射器层,也未提及折射率实部低于0.5,因此未公开。
**技术特征S**:其中所述金属性反射器层(15)的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组<br>**《未公开》**段落【0044】第1电极107使用Au与Zn的合金等,但未用于反射器层对比文件未公开金属性反射器层的材料,反射率调整层为树脂,因此未公开。
**技术特征T**:其中所述金属性反射器层(15)的覆盖度从光轴(3)处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低<br>**《未公开》**第二实施例(图11-13)中反射率调整层210的厚度变化,但未提及覆盖度(占空比)变化对比文件未公开金属性反射器层的覆盖度(即图案占空比)沿径向变化,因此未公开。
**技术特征U**:其中所述金属性反射器层(15)形成电接触之一的至少一部分<br>**《未公开》**无相关公开内容对比文件未公开金属性反射器层用作电接触,因此未公开。
**技术特征V**:其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管<br>**《直接公开》**段落【0031】:“能够从出射面108向与基板101垂直的方向出射激光”;图1显示激光从柱状部上面出射对比文件明确公开了激光从基板垂直方向出射,且出射面在柱状部上面,属于顶部发射激光二极管,因此直接公开。
**技术特征W**:所述金属性反射器层(15)埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)之下<br>**《未公开》**对比文件反射率调整层110在第二反射镜104之上,非之下对比文件未公开金属性反射器层,也未公开任何反射层埋置在布拉格反射器叠层之下,因此未公开。
**技术特征X**:还包括电接触层<br>**《直接公开》**段落【0044】:“第1电极107和第2电极109是为了向共振器注入电流而设置的”对比文件公开了第1电极107和第2电极109作为电接触层,用于向激光器注入电流,因此直接公开。
**技术特征Y**:该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分<br>**《未公开》**无相关公开内容对比文件未公开金属性反射器层,因此未公开电接触层与金属性反射器层相交的结构。

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根据上述比对,对比文件直接公开了技术特征 A、B、C、D、E、J、V、X,未公开其他技术特征。

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