The Non oBviousness
Game
Invalidation of patent, the AI way
最新资讯
登录
登录
The Non oBviousness
Game
主页
历史访问项目
登录后查看历史访问项目
Search
返回项目页面
对比文件列表
暂无对比文件
请从左侧选择对比文件查看内容
权利要求与技术特征
权利要求 1
A
其包含透明基板(3)、透明电极(4)、反射电极(9) 和用于发光的至少一个有机电致发光层(5),
B
该有机电致发光层(5)布置在该电极(4,9)之间,
C
其厚度为大于250nm,
D
其中该有机电致发光层(5)至少包含一个空穴传导层(6)和一个电子传导层(8),
E
其中该电子传导层(8)和该空穴传导层(6)具有折射率nE和nL,
F
其中差值|nE-nL|≤0.1。
权利要求 2
G
特征在于,
H
该用于发光的有机电致发光层(5)厚度为大于400nm。
权利要求 3
I
特征在于,
J
该用于发光的有机电致发光层(5)厚度为大于500nm。
权利要求 4
K
特征在于,
L
该电子传导层(8)的厚度大于200nm。
权利要求 5
M
特征在于,
N
该电子传导层(8)的厚度大于250nm。
权利要求 6
O
特征在于,
P
该电子传导层(8)的厚度大于300nm。
权利要求 7
Q
特征在于,
R
该空穴传导层(6)的厚度大于90nm。
权利要求 8
S
特征在于,
T
该空穴传导层(6)的厚度大于150nm。
权利要求 9
U
特征在于,
V
该空穴传导层(6)的厚度大于200nm。
权利要求 10
W
其特征在于
X
该电子传导层(8)包含n型掺杂物,
Y
和/或该空穴传导层(6)包含p型掺杂物以增加导电性。
权利要求 11
Z
其特征在于所述n型掺杂 物为金属。