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对比文件列表
1980-12-30_US4242221A_发明授权_US4242221A Ceramic-like scintillators_+++A_C_F_G_J_M_O+++.docx
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2003-05-22_US2003094893A_发明申请_US20030094893A1 Illumination unit having at least one LED as light source_+++A_B_C_F_G_J_L_M+++.docx
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2005-06-02_WO2005049763A_发明申请_WO2005049763A1 METHOD FOR PRODUCING NITRIDOSILICATE-BASED COMPOUND, NITRIDOSILICATE PHOSPHOR, AND LIGHT-EMITTING APPARATUS USING THE NITRIDOSILICATE PHOSPHOR_+++A_C_F_J_L_M+++.docx
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2005-10-20_US2005230689A_发明申请_US20050230689A1 Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation_+++A_C_F_G_J_L_M_b_n+++.docx
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2005-11-03_WO2005103199A_发明申请_WO2005103199A1 PHOSPHOR COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME_+++A_B_F_J_L_M_N_c+++.docx
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2006-01-05_JP2006005367A_发明专利_JP2006005367A Luminescent ceramic for light emitting device_+++A_C_F_J_L_M+++.docx
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2006-01-19_JP2006016413A_发明专利_JP2006016413A Phosphor and luminescent implement_+++A_B_F_G_J_L_M_N+++.docx
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2006-03-30_US2006065878A_发明申请_US20060065878A1 Phosphor and manufacturing method for the same, and light source_+++A_C_F_G_J_L_M_N+++.docx
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2006-10-05_US2006220047A_发明申请_US20060220047A1 Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor_+++A_B_C_D_F_G_J_L_M_N+++.docx
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2006-11-09_JP2006306981A_发明专利_JP2006306981A Nitride phosphor and light emitting device using the same_+++A_B_C_D_F_G_J_L_M_N+++.docx
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2008-08-07_None_发明专利_JPWO2006093011A1 発光装置_+++F_J_L_M_O+++.docx
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2008-08-07_None_发明专利_JPWO2006093298A1 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置_+++A_B_C_F_G_J_L_M_n+++.docx
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WO2006093298A1_Description_20260712_1459_+++A_C_F_J_L_M_g_n+++.docx
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WO2006106883A1_Description_20260712_1501_+++A_C_F_G_J_L_M_N_d+++.docx
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2006-01-05_JP2006005367A_发明专利_JP2006005367A Luminescent ceramic for light emitting device_+++A_C_F_J_L_M+++.docx

特征比对表格:

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:M选自包含Ba、Sr、Ca、Mg或它们的混合物的组(《直接公开》)对比文件公开了“(Sr<sub>1-xy</sub>Ba<sub>x</sub>Ca<sub>y</sub>)<sub>2-z</sub>Si<sub>5-a</sub>Al<sub>a</sub>N O:Eu<sub>z</sub><sup>2+</sup>(ここで、0≦a<5、0<x≦1、0≦y≦1、及び0<z≦1)”以及“(Sr<sub>1-uvx</sub>Mg<sub>u</sub>Ca<sub>y</sub>Ba<sub>x</sub>)(Ga<sub>2-y-2</sub>Al<sub>y</sub>In<sub>z</sub>S<sub>4</sub>):Eu<sup>2+</sup>”等,其中M包括Sr、Ba、Ca、Mg。对比文件明确列出了Sr、Ba、Ca、Mg作为M的元素,且这些元素在荧光体中的作用与目标专利中M作为阳离子格位元素相同,因此本领域技术人员可以直接确定M选自Ba、Sr、Ca、Mg或它们的混合物,技术特征A被直接公开。
技术特征B:A选自包含Al、Ga、B或它们的混合物的组(未公开)对比文件公开了Al和Ga,例如在“Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sup>3+</sup>”和“(Sr<sub>1-xy</sub>Ba<sub>x</sub>Ca<sub>y</sub>)<sub>2-z</sub>Si<sub>5-a</sub>Al<sub>a</sub>N O:Eu<sub>z</sub><sup>2+</sup>”中Al,在“(Sr<sub>1-uvx</sub>Mg<sub>u</sub>Ca<sub>y</sub>Ba<sub>x</sub>)(Ga<sub>2-y-2</sub>Al<sub>y</sub>In<sub>z</sub>S<sub>4</sub>):Eu<sup>2+</sup>”中Ga,但未公开B。对比文件虽然公开了A可以是Al或Ga,但完全没有提及B,也没有任何教导或暗示B可以替代Al或Ga,因此本领域技术人员不能从对比文件中直接或隐含地得出A包括B的技术方案,技术特征B未公开。
技术特征C:RE选自包含稀土金属、Y、La、Sc或它们的混合物的组(《直接公开》)对比文件公开了“Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sup>3+</sup>”、“Sr<sub>2</sub>Si<sub>5</sub>N<sub>8</sub>:Eu<sup>2+</sup>”、“(Lu<sub>1-xyab</sub>Y<sub>x</sub>Gd<sub>y</sub>)<sub>3</sub>(Al<sub>1-z</sub>Ga<sub>z</sub>)<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sub>a</sub>Pr<sub>b</sub>”等,其中激活剂Ce、Eu、Pr均为稀土金属。对比文件公开的激活剂Ce、Eu、Pr属于稀土金属,而稀土金属本身包括Y、La、Sc,因此对比文件公开了RE可以选自稀土金属。该技术特征在对比文件中的作用与目标专利相同,即作为发光激活剂,技术特征C被直接公开。
技术特征D:x≥0且≤1(未公开)对比文件未公开x参数。对比文件没有出现目标专利中“x≥0且≤1”对应的化学计量参数,也没有任何类似的取值范围或数值关系,因此本领域技术人员无法从对比文件得出该技术特征,技术特征D未公开。
技术特征E:y≥0且≤0.2(未公开)对比文件未公开y参数。对比文件没有出现目标专利中“y≥0且≤0.2”对应的化学计量参数,也没有任何暗示或教导,因此技术特征E未公开。
技术特征F:RE选自包含Eu、Ce或它们的混合物的组(《直接公开》)对比文件公开了“Sr<sub>2</sub>Si<sub>5</sub>N<sub>8</sub>:Eu<sup>2+</sup>”和“Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sup>3+</sup>”等,明确使用Eu和Ce作为激活剂。对比文件直接公开了Eu和Ce作为发光激活剂,且其作用与目标专利中RE作为激活剂完全相同,因此技术特征F被直接公开。
技术特征G:RE的掺杂水平为≥0.05%且≤10%(未公开)对比文件在“(Sr<sub>1-ab</sub>Ca<sub>b</sub>Ba<sub>c</sub>)Si<sub>x</sub>N<sub>y</sub>O<sub>z</sub>:Eu<sub>a</sub><sup>2+</sup>”中给出了a=0.002-0.2(即0.2%-20%),但未公开≥0.05%且≤10%的范围。对比文件公开的掺杂范围(0.2%-20%)与目标专利的范围(0.05%-10%)部分重叠但未完全覆盖,尤其是下限0.05%未被公开,且对比文件没有给出低于0.2%的教导或启示,因此本领域技术人员无法直接或合理推断出该具体范围,技术特征G未公开。
技术特征H:所述材料的光稳定性≥80%(未公开)对比文件未提及光稳定性。对比文件全文没有涉及光稳定性的任何测试、数据或描述,因此技术特征H未公开。
技术特征I:所述材料的光稳定性≥90%(未公开)对比文件未提及光稳定性。与技术特征H同理,对比文件未公开任何关于光稳定性的内容,技术特征I未公开。
技术特征J:作为发光材料的用途(《直接公开》)对比文件开头指出“本発明は、波長変換された半導体発光デバイスに関する。”并详细描述了荧光体材料用于吸收一次光并发射二次光。对比文件明确公开了所述荧光体材料用于发光器件中的波长转换,即作为发光材料使用,这与目标专利特征J的用途完全相同,技术特征J被直接公开。
技术特征K:包含至少一种根据权利要求1-4任意一项的发红色光的材料(未公开)对比文件公开了多种红色荧光体,如Sr<sub>2</sub>Si<sub>5</sub>N<sub>8</sub>:Eu<sup>2+</sup>,但未公开目标专利权利要求1-4的特定组成。由于目标专利权利要求1-4中的材料(特别是特征D和E)未被对比文件公开,因此对比文件未公开包含该特定材料的方案,技术特征K未公开。
技术特征L:所述发光器件是LED(《直接公开》)对比文件明确提到“発光ダイオード(LED)”,并围绕LED器件进行描述,例如“III族窒化物発光ダイオード”等。对比文件直接涉及LED,并公开了发光器件为LED,与目标专利特征L相同,技术特征L被直接公开。
技术特征M:其中所述至少一种材料作为粉末和/或作为陶瓷材料提供(《直接公开》)对比文件公开了“発光セラミック層”(发光陶瓷层)以及“粉末蛍光体を高圧で加熱することによって、発光セラミックを形成することができる”等。对比文件既公开了荧光体材料可以以粉末形式存在(用于制造陶瓷),又公开了最终的发光陶瓷层,因此技术特征M被直接公开。
技术特征N:其中所述粉末具有≥5μm且≤15μm的d50(未公开)对比文件未提及粉末粒径的任何数值范围。对比文件没有公开任何关于粉末粒径的d50值或范围,因此技术特征N未公开。
技术特征O:其中所述陶瓷具有理论密度的≥90%(未公开)对比文件未提及陶瓷密度与理论密度的百分比关系。对比文件没有公开陶瓷密度的具体数值或比例,因此技术特征O未公开。

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