对比文件的名称：JPH04134290A_Description_20260712_1506
目标专利的名称：1285电离辐射探测CN103562746B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（日文及中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括，探测器(112) 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“ＣｄＴｅ基板１ａの互いに対向する面にそれぞれ電極１ｂおよび１ｃか形成され、放射線入射により電荷パルスを発生する放射線センサ” 以及 “Ｘ線センサ１”。<br>翻译：“在CdTe基板1a的对向面上分别形成电极1b和1c，通过放射线入射产生电荷脉冲的放射线传感器”以及“X射线传感器1”。 | 对比文件明确公开了放射线传感器（X射线传感器1），其作为探测器用于探测电离辐射，因此直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：其被配置为探测电离辐射 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“放射線入射”以及“Ｘ線か入射”。<br>翻译：“放射线入射”、“X射线入射”。 | 对比文件公开了传感器探测X射线（电离辐射），因此直接公开。 |
| 技术特征C：并输出指示探测到的电离辐射的信号 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“信号取り出し電極１ｃ”以及“電荷パルス”。<br>翻译：“信号取出电极1c”以及“电荷脉冲”。 | 对比文件公开了通过信号取出电极输出电荷脉冲，指示探测到的辐射，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述探测器至少包括半导体元件(118) 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“ＣｄＴｅ基板１ａ”。<br>翻译：“CdTe基板1a”。 | 对比文件公开了探测器包括CdTe基板，即半导体元件，因此直接公开。 |
| 技术特征E：照明子系统(120) 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“赤外線レーザダイオード４”。<br>翻译：“红外激光二极管4”。 | 对比文件公开了红外激光二极管作为照明源，构成照明子系统，因此直接公开。 |
| 技术特征F：其被配置为生成并传递子带隙照明辐射 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“赤外線を、化合物半導体１ａ中に照射する”以及“その出力光はＸ線センサ１のＣｄＴｅ基板１ａの側方からその内部に入射する”。<br>翻译：“向化合物半导体1a中照射红外线”以及“其输出光从X射线传感器1的CdTe基板1a的侧方入射到其内部”。 | 对比文件公开了激光二极管生成红外线（子带隙辐射）并照射到CdTe基板内部，即生成并传递子带隙照明辐射，因此直接公开。 |
| 技术特征G：用于选择性地照明仅所述半导体元件的子部分 《未公开》 | 对比文件全文无选择性照明子部分的描述。 | 对比文件公开了从侧方照射整个基板，没有明确或暗示仅仅选择性地照明元件的子部分，也没有教导空间选择性照明。因此未公开。 |
| 技术特征H：以便在所述元件内部生成空间图案化的照明分布 《未公开》 | 对比文件全文无图案化照明描述。 | 对比文件没有公开在元件内部生成空间图案化的照明分布，其照明是整体性的，没有图案化结构。因此未公开。 |
| 技术特征I：还包括电触头 《未公开》 | 对比文件公开了偏压电极1b和信号取出电极1c，但并非专门连接至被照明的子部分的电触头。 | 对比文件公开的电极是偏压电极和信号电极，并非目标专利中连接到被照明的子部分的电触头，未公开此类电触头。因此未公开。 |
| 技术特征J：其连接至所述半导体元件的被照明的子部分 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开连接至被照明子部分的电触头，因此未公开。 |
| 技术特征K：电源(122) 《未公开》 | 段落[0001]原文：“バイアス電極１ｂには逆バイアスか配線基板３を介して印加される”。<br>翻译：“偏压电极1b通过配线基板3施加反偏压”。 | 对比文件虽然有偏压电源，但并非配置为向目标专利中所述的电触头（连接到被照明子部分）施加电势，因此未公开。 |
| 技术特征L：其被配置为向所述电触头施加电势 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开向电触头施加电势，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述照明将所述子部分的导电性从第一导电性提高到更高的第二导电性 《未公开》 | 段落[0001]提到释放陷阱载流子，但未明确导电性变化，且未针对子部分。 | 对比文件未公开照明将子部分的导电性从第一导电性提高到第二导电性，也未提及导电性变化。因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述更高的第二导电性高于所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性；并且中，在没有所述照明辐射的情况下，所述第一导电性不超过所述半导体元件的所述的未被照明的子部分的导电性 《未公开》 | 对比文件全文无相关描述。 | 对比文件未公开任何关于导电性比较的内容，因此未公开。 |
| 技术特征O：所述照明子系统包括至少一个照明源(2031、2032) 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“赤外線レーザダイオード４”。<br>翻译：“红外激光二极管4”。 | 对比文件公开了照明子系统包括红外激光二极管作为照明源，因此直接公开。 |
| 技术特征P：其生成所述子带隙照明辐射 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“赤外線を”（能量小于带隙）。<br>翻译：“红外线”。 | 对比文件公开了照明源生成子带隙红外辐射，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述照明辐射光子的能量不超过所述半导体元件的带隙的一半 《未公开》 | 段落[0001]原文：“ＣｄＴｅのハントギャップエネルギより小さく”。<br>翻译：“比CdTe的带隙能量小”。 | 对比文件公开了红外线能量小于带隙，但未公开不超过一半，且实例1.5~1.6eV远大于带隙一半（约0.75eV），因此未公开。 |
| 技术特征R：其中，至少一个照明源直接或者通过光透射介质耦合至所述半导体元件 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“ケーシング５内に、かつＸ線センサ１の側方近傍に赤外線レーザダイオード４を設置している。その出力光はＸ線センサ１のＣｄＴｅ基板１ａの側方からその内部に入射する”。<br>翻译：“在壳体5内且X射线传感器1的侧方附近设置红外激光二极管4。其输出光从X射线传感器1的CdTe基板1a的侧方入射到其内部”。 | 对比文件公开了激光二极管直接设置在传感器侧方附近，光直接从侧方入射到基板，属于直接耦合，因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中，所述至少一个照明源是红外照明源 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“赤外線レーザダイオード４”。<br>翻译：“红外激光二极管4”。 | 对比文件公开了红外激光二极管，是红外照明源，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述子带隙辐射是红外辐射 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“赤外線”。<br>翻译：“红外线”。 | 对比文件公开了子带隙辐射是红外线，因此直接公开。 |
| 技术特征U：其中，所述半导体元件包括碲化镉或碲化镉锌中的至少一个 《直接公开》 | 段落[0001]原文：“ＣｄＴｅ”。<br>翻译：“CdTe（碲化镉）”。 | 对比文件公开了半导体元件为CdTe，即碲化镉，因此直接公开。 |
| 技术特征V：其中，所述碲化镉包括碲化镉单晶 《隐含公开》 | 段落[0001]原文：“ＣｄＴｅ基板１ａ”。<br>翻译：“CdTe基板1a”。 | 对比文件中的CdTe基板通常为单晶，结合本领域公知常识，本领域技术人员可以合理推断其使用单晶，因此隐含公开。 |
| 技术特征W：其中，所述碲化镉锌包括碲化镉锌的单晶 《未公开》 | 对比文件全文未提及CdZnTe。 | 对比文件仅涉及CdTe，未公开碲化镉锌或其单晶，因此未公开。 |
| 技术特征X：还包括至少一个反射器(2261，2262) 《未公开》 | 对比文件全文未提及反射器。 | 对比文件未公开任何反射器，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体元件被设置在所述照明子系统和所述至少一个反射器之间 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开反射器及相应设置，因此未公开。 |
| 技术特征Z：所述至少一个反射器将贯穿所述半导体元件的照明辐射反射回所述半导体元件内 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开反射器及其功能，因此未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<O>>><<<P>>><<<R>>><<<S>>><<<T>>><<<U>>><<<v>>>