对比文件名称：2008-07-10_US2008164418A_发明申请_US20080164418A1 METHOD, APPARATUS, AND SYSTEM OF REDUCING POLARIZATION IN RADIATION DETECTORS
目标专利名称：1285电离辐射探测CN103562746B
本次调用的模型名称：DeepSeek（深度求索）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括，探测器(112) 《直接公开》 | 对比文件[0027]：“FIG. 1 is a schematic cross-section illustration of a semiconductor radiation detector 99.”（图1是根据本发明一个实施例的半导体辐射探测器99的示意性横截面图。） | 对比文件明确公开了半导体辐射探测器99，其包括半导体板10等组件，与目标专利的探测器112对应，因此直接公开。 |
| 技术特征B：其被配置为探测电离辐射 《直接公开》 | 对比文件[0003]：“A semiconductor radiation detector may be used to detect photons for medical imaging systems. Photons of ionizing radiation, e.g., X-ray or gamma ray radiation, are absorbed by the semiconductor of the detector and generate measurable electric signals.”（半导体辐射探测器可用于检测医学成像系统的光子。电离辐射的光子，例如X射线或伽马射线辐射，被探测器的半导体吸收并产生可测量的电信号。） | 对比文件明确公开探测器用于探测电离辐射（X射线、伽马射线），因此直接公开。 |
| 技术特征C：并输出指示探测到的电离辐射的信号 《直接公开》 | 对比文件[0029]：“The collected charge at anodes 14 and cathodes 12, induced by the movement of the charge carriers prior to their collection by electrodes 14 and 12, is measured at the anodes to give a measure of the energy of the absorbed photon.”（在阳极14和阴极12处收集的电荷，由电荷载流子在电极14和12收集之前的运动引起，在阳极处测量以给出吸收光子能量的量度。） | 对比文件公开了探测器输出指示电离辐射的信号（测量电荷以给出能量），因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述探测器至少包括半导体元件(118) 《直接公开》 | 对比文件[0027]：“The detector of FIG. 1 includes a semiconductor plate 10, formed of a semiconductor 11.”（图1的探测器包括半导体板10，由半导体11形成。） | 对比文件公开了探测器包括半导体板（半导体元件），因此直接公开。 |
| 技术特征E：照明子系统(120) 《直接公开》 | 对比文件[0038]：“...irradiating plate 10 with infra-red (IR) radiation 22. The IR radiation is generated by an IR generator 24, and the wavelength of the IR radiation may be selected, e.g., by a wavelength selector 26...”（……用红外（IR）辐射22照射板10。IR辐射由IR发生器24产生，并且IR辐射的波长可由波长选择器26选择。） | 对比文件公开了由IR发生器、波长选择器等构成的照明系统，与目标专利的照明子系统对应，因此直接公开。 |
| 技术特征F：其被配置为生成并传递子带隙照明辐射 《直接公开》 | 对比文件[0008]：“In some embodiments, the IR radiation has energy lower than the band-gap energy of the semiconductor.”（在一些实施例中，IR辐射的能量低于半导体的带隙能量。）以及[0038]描述生成并传递。 | 对比文件公开了照明子系统生成并传递能量低于半导体带隙的IR辐射（子带隙照明辐射），因此直接公开。 |
| 技术特征G：用于选择性地照明仅所述半导体元件的子部分 《隐含公开》 | 对比文件[0049]：“In this example, cathodes 12 are configured to have narrow spaces 62 between the cathodes, allowing direct access to plate 10. Fiber optics 64 are laid in spaces 62, and the fiber optics are arranged to have diffusive regions 66 along the fiber optics. IR irradiation is introduced into ends of fiber optics 64, and the diffusive regions cause some of the IR irradiation transmitted along the fiber optics to exit the fiber optics into plates 10.”（在该示例中，阴极12被配置为在阴极之间具有窄空间62，允许直接进入板10。光纤64铺设在该空间62中，并且光纤被布置成沿着光纤具有扩散区域66。IR辐射被引入光纤64的端部，并且扩散区域使得沿光纤传输的IR辐射的一部分从光纤射出进入板10。） | 对比文件公开了通过仅在阴极之间的窄空间引入IR辐射，从而仅对半导体板的局部区域（子部分）进行照明，而其他区域未被直接照明。本领域技术人员可以合理推断出该照明是选择性的，仅照明子部分，因此隐含公开。 |
| 技术特征H：以便在所述元件内部生成空间图案化的照明分布 《未公开》 | 对比文件未公开空间图案化的照明分布。对比文件中的照明方式（通过阴极、侧壁、光纤等）旨在实现均匀或准均匀的照明，未形成特定的空间图案。 | 对比文件没有公开任何关于空间图案化照明分布的内容，因此未公开。 |
| 技术特征I：还包括电触头 《直接公开》 | 对比文件[0027]：“Electrodes 12 are connected to one side of plate 10, and electrodes 14 are connected to an opposite side of plate 10. ... Electrodes 12 are configured as cathodes, ... Electrodes 14 are configured as anodes.”（电极12连接到板10的一侧，电极14连接到板10的相对侧。……电极12配置为阴极，……电极14配置为阳极。） | 对比文件公开了电极（阴极和阳极）作为电触头，因此直接公开。 |
| 技术特征J：其连接至所述半导体元件的被照明的子部分 《隐含公开》 | 对比文件[0048]：“...mirrors 50, selected to be transparent to X-rays and to reflect IR irradiation 22, are oriented and selected to reflect the IR irradiation into plate via cathode 12.”（……镜子50，被选择为对X射线透明并对IR辐射22反射，被定向和选择以通过阴极12将IR辐射反射到板中。）以及[0049]中光纤通过阴极之间的空间照明。 | 对比文件中的阴极12是电触头，且IR辐射通过阴极或阴极附近的空间进入半导体，从而阴极与被照明的子部分电连接。本领域技术人员可以合理推断电触头（阴极）连接至被照明的子部分，因此隐含公开。 |
| 技术特征K：电源(122) 《直接公开》 | 对比文件[0051]：“The bias of the negative high voltage may be supplied to the cathodes of the modules 110 by thin cathode plates...”（负高压偏置可以通过薄阴极板提供给模块110的阴极……） | 对比文件公开了向阴极提供偏置电压的电源，因此直接公开。 |
| 技术特征L：其被配置为向所述电触头施加电势 《直接公开》 | 对比文件[0051]（同上）以及[0040]中提及施加偏压。 | 对比文件公开了向电触头（阴极）施加电势，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中，所述照明将所述子部分的导电性从第一导电性提高到更高的第二导电性 《隐含公开》 | 对比文件[0041]：“Longer wavelength IR photons, having energy lower than the bandgap 34, may cause transitions, by absorption, of electrons from the valence band 30 to energy level 100 of hole-traps 36. Such a transition is illustrated by line 38. Similarly, even longer wavelength IR photons...may cause stimulated transitions, by emission, of electrons from the conduction band 32 to energy level 100 of hole-traps 36.”（更长波长的IR光子，能量低于带隙34，可能通过吸收引起电子从价带30到空穴陷阱能级100的跃迁。……类似地，甚至更长波长的IR光子……可能通过受激发射引起电子从导带32到空穴陷阱能级100的跃迁。） | 对比文件公开了子带隙IR辐射导致陷阱电离，从而产生自由载流子（电子或空穴），这必然提高被照明区域的导电性。本领域技术人员可以合理推断照明将子部分的导电性从较低提高到较高，因此隐含公开。 |
| 技术特征N：其中，所述更高的第二导电性高于所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性；并且中，在没有所述照明辐射的情况下，所述第一导电性不超过所述半导体元件的所述的未被照明的子部分的导电性 《未公开》 | 对比文件未公开关于导电性比较的任何内容。 | 对比文件没有公开照明前后导电性的对比关系，因此未公开。 |
| 技术特征O：所述照明子系统包括至少一个照明源(2031、2032) 《直接公开》 | 对比文件[0038]：“IR generator 24”（IR发生器24）。 | 对比文件公开了照明子系统包括至少一个照明源（IR发生器），因此直接公开。 |
| 技术特征P：其生成所述子带隙照明辐射 《直接公开》 | 对比文件[0008]：“IR radiation has energy lower than the band-gap energy of the semiconductor.”（IR辐射的能量低于半导体的带隙能量。） | 对比文件公开了照明源生成子带隙照明辐射，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述照明辐射光子的能量不超过所述半导体元件的带隙的一半 《未公开》 | 对比文件未公开照明辐射光子能量不超过带隙一半。 | 对比文件仅公开能量低于带隙，未涉及一半，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中，至少一个照明源直接或者通过光透射介质耦合至所述半导体元件 《直接公开》 | 对比文件[0048]：“mirrors 50...reflect the IR irradiation into plate via cathode 12”（镜子50……通过阴极12将IR辐射反射到板中）；[0049]：“Fiber optics 64 are laid in spaces 62...IR irradiation is introduced into ends of fiber optics 64”（光纤64铺设……IR辐射引入光纤端部）；[0051]：“slab waveguide 120...”（板波导120……）。 | 对比文件公开了照明源通过镜子、光纤、波导等光透射介质耦合至半导体元件，因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中，所述至少一个照明源是红外照明源 《直接公开》 | 对比文件[0038]：“IR generator 24”（IR发生器24）。 | 对比文件公开了照明源是红外照明源，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述子带隙辐射是红外辐射 《直接公开》 | 对比文件[0008]：“IR radiation”（红外辐射）。 | 对比文件公开了子带隙辐射是红外辐射，因此直接公开。 |
| 技术特征U：其中，所述半导体元件包括碲化镉或碲化镉锌中的至少一个 《直接公开》 | 对比文件[0027]：“In some embodiments, semiconductor 11 is formed of cadmium zinc telluride (CZT)”（在一些实施例中，半导体11由碲锌镉（CZT）形成）。 | 对比文件公开了半导体元件包括碲化镉锌（CZT），因此直接公开。 |
| 技术特征V：其中，所述碲化镉包括碲化镉单晶 《隐含公开》 | 对比文件[0027]提到CZT，未明确提及单晶，但本领域公知用于辐射探测的高质量CZT通常为单晶。 | 对比文件使用了CZT这一材料，而现有技术中探测器级CZT通常为单晶，本领域技术人员可以合理推断包含单晶，因此隐含公开。 |
| 技术特征W：其中，所述碲化镉锌包括碲化镉锌的单晶 《隐含公开》 | 同上，对比文件[0027]公开CZT，未明确单晶。 | 与特征V类似，本领域技术人员可以合理推断CZT包括单晶，因此隐含公开。 |
| 技术特征X：还包括至少一个反射器(2261，2262) 《直接公开》 | 对比文件[0048]：“...one or more mirrors 50, selected to be transparent to X-rays and to reflect IR irradiation 22, are oriented and selected to reflect the IR irradiation into plate via cathode 12.”（……一个或多个镜子50，被选择为对X射线透明并对IR辐射22反射，被定向和选择以通过阴极12将IR辐射反射到板中。） | 对比文件公开了至少一个反射器（镜子50），用于引导IR辐射，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体元件被设置在所述照明子系统和所述至少一个反射器之间 《未公开》 | 对比文件[0048]中，镜子50位于照明源和探测器之间，将IR反射进探测器，半导体元件并非设置在照明子系统和反射器之间。 | 对比文件未公开半导体元件位于照明子系统和反射器之间的位置关系，因此未公开。 |
| 技术特征Z：所述至少一个反射器将贯穿所述半导体元件的照明辐射反射回所述半导体元件内 《未公开》 | 对比文件[0048]中，镜子50将外部IR辐射反射进入半导体元件，而不是反射已经贯穿元件的辐射。 | 对比文件未公开反射器将贯穿半导体元件的照明辐射反射回元件内，因此未公开。 |
### 公开性代码
根据上述分析，直接公开的技术特征：A、B、C、D、E、F、I、K、L、O、P、R、S、T、U、X。
隐含公开的技术特征：G、J、M、V、W。
对应代码输出如下：
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