对比文件名称：2009-06-04_US2009141375A_发明申请_US20090141375A1 LENS MODULE AND CAMERA MODULE HAVING SAME
目标专利名称：1285电离辐射探测CN103562746B
本次调用的模型名称：DeepSeek R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括，探测器(112) **《直接公开》** | 对比文件[0014]：“相机模块100包括透镜模块10和与透镜模块对准的图像传感器20。” | 对比文件公开了图像传感器20，其作为探测器用于探测光信号并转换为电信号，与目标专利中探测器112的功能均为探测并输出信号，作用相同，因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征B：其被配置为探测电离辐射 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开探测器用于探测电离辐射，且无法合理推断出该特征。 |
| 技术特征C：并输出指示探测到的电离辐射的信号 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开输出指示电离辐射的信号，且无法合理推断出。 |
| 技术特征D：其中，所述探测器至少包括半导体元件(118) **《直接公开》** | 对比文件[0019]：“图像传感器22可以选自电荷耦合器件（CCD）或互补金属氧化物半导体晶体管（CMOS）。” | 对比文件公开了图像传感器包括CCD或CMOS，这些均为半导体元件，与目标专利中探测器至少包含半导体元件相同，且均作为探测核心，作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征E：照明子系统(120) **《未公开》** | 无 | 对比文件未涉及任何照明子系统，无法得到该特征。 |
| 技术特征F：其被配置为生成并传递子带隙照明辐射 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开任何子带隙照明辐射。 |
| 技术特征G：用于选择性地照明仅所述半导体元件的子部分 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开选择性照明。 |
| 技术特征H：以便在所述元件内部生成空间图案化的照明分布 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开空间图案化照明分布。 |
| 技术特征I：还包括电触头 **《直接公开》** | 对比文件[0018]：“第二磁场发生器133是电路线圈，其两端1331穿过相应的通孔122。第二磁场发生器的两端1331连接到电源（未示出）。” | 对比文件公开了线圈的两端1331作为电触头，用于连接电源，其基本功能为导电连接，与目标专利中电触头的作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征J：其连接至所述半导体元件的被照明的子部分 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开电触头连接至半导体元件的被照明的子部分，且无照明，无法合理推断。 |
| 技术特征K：电源(122) **《直接公开》** | 对比文件[0018]：“第二磁场发生器的两端1331连接到电源（未示出）。” | 对比文件公开了电源，用于向线圈供电，其基本功能为提供电能，与目标专利中电源的作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征L：其被配置为向所述电触头施加电势 **《直接公开》** | 对比文件[0018]：“第二磁场发生器的两端1331连接到电源（未示出）。” | 对比文件公开了电源向电触头（两端1331）施加电势，以产生电流，与目标专利中电源向电触头施加电势的作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中，所述照明将所述子部分的导电性从第一导电性提高到更高的第二导电性 **《未公开》** | 无 | 对比文件未涉及照明及导电性变化。 |
| 技术特征N：其中，所述更高的第二导电性高于所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性；并且中，在没有所述照明辐射的情况下，所述第一导电性不超过所述半导体元件的所述的未被照明的子部分的导电性 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开导电性比较。 |
| 技术特征O：所述照明子系统包括至少一个照明源(2031、2032) **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开照明源。 |
| 技术特征P：其生成所述子带隙照明辐射 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开子带隙照明辐射。 |
| 技术特征Q：其中，所述照明辐射光子的能量不超过所述半导体元件的带隙的一半 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征R：其中，至少一个照明源直接或者通过光透射介质耦合至所述半导体元件 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述至少一个照明源是红外照明源 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征T：所述子带隙辐射是红外辐射 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述半导体元件包括碲化镉或碲化镉锌中的至少一个 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征V：其中，所述碲化镉包括碲化镉单晶 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征W：其中，所述碲化镉锌包括碲化镉锌的单晶 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征X：还包括至少一个反射器(2261，2262) **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体元件被设置在所述照明子系统和所述至少一个反射器之间 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征Z：所述至少一个反射器将贯穿所述半导体元件的照明辐射反射回所述半导体元件内 **《未公开》** | 无 | 对比文件未公开。 |
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